フェムト秒レーザー光照射によるワイドバンドギャップ半導体と金属界面の非熱的合金化
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-17H03147 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(B) |
| 研究分野 | 理工系 工学 機械工学 機械材料・材料力学 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 富田 卓朗 |
| 研究分担者 | 岡田 達也 |
| 研究分担者 | 直井 美貴 |
| 研究分担者 | 山口 誠 |
| 研究期間 開始年月日 | 2017/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2019 |
| 研究ステータス | 完了 (2019/4/1) |
| 配分額（合計） | 17,420,000 (直接経費 :13,400,000、間接経費 :4,020,000) |
| 配分額（履歴） |
2019年度：3,770,000 (直接経費 :2,900,000、間接経費 :870,000) 2018年度：4,160,000 (直接経費 :3,200,000、間接経費 :960,000) 2017年度：9,490,000 (直接経費 :7,300,000、間接経費 :2,190,000) |
| キーワード | フェムト秒レーザー レーザー加工・改質 シリコンカーバイド 窒化ガリウム 金属電極 ワイドバンドギャップ半導体 ダイアモンド レーザー合金化 界面合金化 オーミック電極 窒化物半導体 レーザーアニール |