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岡田達也

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2024年11月15日更新

職名: 教授
電話: 研究者総覧に該当データはありませんでした。
電子メール: tatsuya-okada@tokushima-u.ac.jp
学歴: 1986/3: 京都大学工学部物理工学科卒業
1988/3: 京都大学大学院工学研究科物理工学専攻修士課程修了
1996/11: McMaster大学Ph.D.学位取得
学位: Ph.D. (McMaster University) (1996年11月)
職歴・経歴: 1988/4: 住友電気工業
1995/10: 徳島大学工学部助手
1997/10: 徳島大学工学部講師
2001/4: 徳島大学工学部助教授
2003/3: 徳島大学大学院工学研究科博士後期課程担当 D ○合
2006/4: 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部助教授 (部局化に伴う変更)
2007/4: 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部准教授(学校教育法改正に伴う変更)
2009/5: 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部教授

専門分野・研究分野: 組織制御
結晶欠陥 (Crystallographic Defect)

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2024年11月15日更新

専門分野・研究分野: 組織制御
結晶欠陥 (Crystallographic Defect)
担当経験のある授業科目: STEM演習 (学部)
オリエンテーション3年 (学部)
プレゼンテーション技法(D) (大学院)
技術英語基礎1 (学部)
技術英語基礎2 (学部)
機械材料学1 (学部)
機械材料物性特論 (大学院)
結晶物性制御特論 (大学院)
指導経験: 18人 (学士), 27人 (修士), 1人 (博士)

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2024年11月15日更新

専門分野・研究分野: 組織制御
結晶欠陥 (Crystallographic Defect)

研究テーマ: 純金属の変形·再結晶微細組織のSEM/EBSD法による解析 (組織制御, 再結晶, 結晶塑性, 単結晶, 双結晶, 三重結晶, SEM/EBSD) (AlやCuなどの純金属の単結晶
双結晶
三重結晶を塑性変形して
変形の様相や局所的な方位変化を解析する．変形した試験片を焼鈍し
形成した再結晶粒の方位を解析して
変形により導入された転位との関係を考察する．)
半導体中の結晶欠陥の透過電子顕微鏡観察 (炭化ケイ素 (SiC), 結晶欠陥 (crystallographic defect), エピタキシャル膜 (epitaxial film), 透過電子顕微鏡法 (transmission electron microscopy), ダイヤモンド (diamond)) (SiCやダイヤモンド等に含まれる結晶欠陥(転位
積層欠陥)の解析を透過型電子顕微鏡を用いて行う．)

著書

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論文

Taketo Furuichi, Hiroto Seki, Taiyo Kawano, Keisuke Takabayashi, Tsubasa Endo, Eibon Tsuchiya, Makoto Yamaguchi, Yohei Kobayashi, Tatsuya Okada and Takuro Tomita :
Quenching high-temperature phase in CuSn alloy system by femtosecond and picosecond laser irradiation,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.130, 818(1)-818(8), 2024.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 119637

(徳島大学機関リポジトリ: 119637) Tatsuya Okada, Fumiya Iwaasa, Yuya Sakurai, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa and Takuro Tomita :
N-type ion implantation on femtosecond-laser-irradiated diamond surface,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.130, 629-1-629-6, 2024.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s00339-024-07791-2
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1007/s00339-024-07791-2

(DOI: 10.1007/s00339-024-07791-2) Taiyoh Kawano, Taketo Furuichi, Eibon Tsuchiya, Makoto Yamaguchi, Tatsuya Okada, Yohei Kobayashi and Takuro Tomita :
Pulse Duration Dependence of Novel Metal Alloying on Fe/Cr/Ni Thin Films by Ultra-Short Pulsed Laser Irradiation,
Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.18, No.2, 100-104, 2023.

(要約): We examined the possibility of suppressing elemental segregation of high-entropy alloys (HEAs) using femtosecond laser irradiation. Thin films of iron (Fe), chromium (Cr), and nickel (Ni) were deposited on the surfaces of n-type SiC and p-type GaN substrates. The thicknesses of the Fe, Cr, and Ni films were 12, 7, and 11 nm, respectively. Laser irradiation was performed from the substrate side by focusing on the interface between the Fe film and substrate. Scanning transmission electron microscopy (STEM) bright-field images superimposed on the elemental maps of Fe, Cr, and Ni showed a more homogenous mixing of Fe, Cr, and Ni in the femtosecond-laser-modified region than in the picosecond-laser-modified region. In particular, the Ni distribution showed a significant improvement in homogeneity. In other words, the Ni mixture was more homogeneous in the femtosecond laser-modified region than in the picosecond laser-modified region. Although the duration of the picosecond laser pulse was sufficiently long for atomic diffusion, segregation still occurred during the cooling process following laser irradiation.
(キーワード): high-entropy alloys (HEAs) / Fe/Cr/Ni thin films / ultra-short pulsed laser irradiation / pulse-duration-dependence / scanning transmission electron microscopy (STEM) / element maps
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 118600
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1050861074219734144; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85173009905

(徳島大学機関リポジトリ: 118600, CiNii: 1050861074219734144, Elsevier: Scopus) Takuro Tomita, Yota Bando, Kazumasa Takenaka, Yasuhiro Tanaka, Makoto Yamaguchi, Shin-ichi Nakashima and Tatsuya Okada :
Surface-polarity-dependent Raman spectra of ultrathin silicon carbide crystal,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.129, No.6, 420-1-420-4, 2023.

(キーワード): Raman intensity / Polarity dependence / Silicon carbide / Ultrathin crystal
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 118217
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s00339-023-06689-9
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85159283952

(徳島大学機関リポジトリ: 118217, DOI: 10.1007/s00339-023-06689-9, Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Kenya Bando, Fumiya Iwaasa, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa and Takuro Tomita :
Boron ion implantation on femtosecond-laser-irradiated diamond surface,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.61, No.10, 102002-1-102002-5, 2022.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1347-4065/ac8c29
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.35848/1347-4065/ac8c29

(DOI: 10.35848/1347-4065/ac8c29) Tatsuya Okada, Hiromu Hisazawa, Hiroki Morimoto, Kazuki Nakao, Ryota Okubo and Tomoyuki Ueki :
Creep Fracture of Copper Tricrystal along Grain Boundaries,
Materials Transactions, Vol.63, No.8, 1133-1137, 2022.

(要約): The major objective of the present study was to investigate the creep fracture process of a copper tricrystal having 110 -tilt Σ3, 3, 9 grain boundaries. Creep tests at 0.81 TM (TM: melting temperature on the absolute temperature scale) under 4 MPa tensile stress were carried out for three samples prepared from the same tricrystal. Grain-boundary sliding occurred along only the Σ9 boundary, and the triple junction of the boundaries completely suppressed the sliding. The three samples were in different stages of creep deformation. Creep fracture was initiated by sliding-induced voids along the Σ9 boundary. Grain-boundary damage by the void formation developed into complete separation along the Σ9 boundary, and the Σ9 boundary crack induced surface grooves along one of the Σ3 boundaries, arranged almost perpendicular to the tensile axis. The crack propagation resulted in the final fracture of the tricrystal along the Σ9 and Σ3 boundaries. The formation of cavities in the Σ3 fracture surface suggested that the final fracture occurred in a ductile manner after the neighboring grains were partly separated along the Σ3 boundary.
(キーワード): tricrystal / copper / creep fracture / grain-boundary sliding / void / crack
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.MT-M2022066
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390855809731163264; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.MT-M2022066

(DOI: 10.2320/matertrans.MT-M2022066, CiNii: 1390855809731163264) 城鮎美, 菖蒲敬久, 岡田達也 :
放射光単色X線を用いたアルミニウム単結晶の再結晶その場観察,
材料, Vol.71, No.4, 354-360, 2022年.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2472/jsms.71.354
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2472/jsms.71.354

(DOI: 10.2472/jsms.71.354) Ayumi Shiro, Tatsuya Okada and Takahisa Shobu :
In situ synchrotron radiation observation of deformation and annealing processes of aluminum single crystal,
Mechanical Engineering Journal, Vol.8, No.6, 00106-1-00106-8, 2021.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1299/mej.21-00106
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1299/mej.21-00106

(DOI: 10.1299/mej.21-00106) Tatsuya Okada, Hiromu Hisazawa, Akihiro Iwasaki, Katsuya Kawaguchi, Hiroki Morimoto, Kazuki Nakao, Tomoyuki Ueki and Takuro Tomita :
Creep fracture of aluminum and copper tricrystals having <110>-tilt Σ3, 3, 9 grain boundaries,
Materials Transactions, Vol.62, No.2, 239-245, 2021.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.MT-M2020325
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.MT-M2020325

(DOI: 10.2320/matertrans.MT-M2020325) Tatsuya Okada, Yuki Fuchikami, Kazuki Mimura, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa and Takuro Tomita :
Formation of ohmic Ni electrodes on femtosecond laser-modified 4H-SiC surface,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.126, No.7, 535-1-535-7, 2020.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s00339-020-03733-w
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85086631907

(DOI: 10.1007/s00339-020-03733-w, Elsevier: Scopus) Ayumi Shiro, Tatsuya Okada and Takahisa Shobu :
Tensile deformation and recrystallization of aluminum single crystals with sub-grained structures studied by synchrotron X-ray radiation,
Mechanical Engineering Journal, Vol.7, No.2, 19-00634-1-19-00634-11, 2020.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1299/mej.19-00634
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1299/mej.19-00634

(DOI: 10.1299/mej.19-00634) Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Hiroyuki Katayama, Yuki Fuchikami, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka :
Local melting of Au/Ni thin films irradiated by femtosecond laser through GaN,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.125, No.10, 690-1-690-6, 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s00339-019-2982-1
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1007/s00339-019-2982-1

(DOI: 10.1007/s00339-019-2982-1) Tatsuya Okada, Hiromu Hisazawa, Akihiro Iwasaki, Shota Amimoto, Jun Miyaji, Masaki Shisawa and Tomoyuki Ueki :
Grain-Boundary Sliding and its Accommodation at Triple Junctions in Aluminum and Copper Tricrystals,
Materials Transactions, Vol.60, No.1, 86-92, 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.M2018296
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.M2018296

(DOI: 10.2320/matertrans.M2018296) Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Takuya Hashimoto, Yuki Fuchikami, Hiroyuki Katayama, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka :
Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.11, 116501-1-116501-7, 2018.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.57.116501
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/JJAP.57.116501

(DOI: 10.7567/JJAP.57.116501) Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando and Yasuhiro Tanaka :
Femtosecond-laser-induced modifications on the surface of a single-crystalline diamond,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.11, 112701-1-112701-5, 2017.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.56.112701
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85039060399

(DOI: 10.7567/JJAP.56.112701, Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Hirofumi Tai and Minoru Tagami :
Early-Stage Recrystallized Grains in Copper Single Crystals Deformed in Tension along <111> Direction,
Materials Transactions, Vol.58, No.4, 574-579, 2017.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.M2016455
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.M2016455

(DOI: 10.2320/matertrans.M2016455) Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando and Yasuhiro Tanaka :
Femtosecond laser-induced modification at aluminum/diamond interface,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.2, 026601-1-026601-5, 2017.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 111014
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.56.026601
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/JJAP.56.026601

(徳島大学機関リポジトリ: 111014, DOI: 10.7567/JJAP.56.026601) Yusuke Takidani, Kazuki Morimoto, Kenta Kondo, Tomoyuki Ueki, Takuro Tomita, Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada :
Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain,
Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.10, No.3, 314-319, 2015.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2961/jlmn.2015.03.0014
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2961/jlmn.2015.03.0014

(DOI: 10.2961/jlmn.2015.03.0014) Ayumi Shiro, Masayuki Nishida, Muslih Rafai M., Tatsuya Okada and Takao Hanabusa :
Micro Stresses within Cu Bi-crystal and Al Tri-crystal after Plastic Deformation,
Materials Science Forum, Vol.768-769, 363-373, 2014.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.768-769.366
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84885965893

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.768-769.366, Elsevier: Scopus) 加藤慎也, 大坪啓視, 植木智之, 岡田達也 :
不均一変形した銅単結晶における初期段階の再結晶粒方位,
日本金属学会誌, Vol.77, No.3, 101-106, 2013年.

(要約): The objective of the present study was to find the orientation relationship between a recrystallized grain at its initial stage and a deformation microstructure in a non-uniformly deformed copper single crystal. A tensile strain of 25% was applied to a <110> copper single crystal sample in which shallow grooves were made at both side faces before the tensile test to promote non-uniform deformation. A thin disc specimen prepared from the deformed sample was annealed in a high vacuum. A scanning electron microscope (SEM)/electron backscatter diffraction (EBSD) method was used to analyze the orientations of deformed and annealed states. There are two primary slip planes of the largest Schmid factor in a face-centered-cubic metal single crystal deformed along a <110> direction. In the present copper single crystal sample, both right-up and right-down band-like regions are formed in which either of the primary slips was activated. The arrangement of band-like regions on the overall sample surface was almost symmetrical. Between band-like regions, there were regions of patchy slip appearance, consisting of double-slip and single-slip areas. The band-like regions were rotated so that the slip directions moved towards the tensile axis. On the other hand, the rotation of patchy regions was relatively small. In the disc specimen annealed at 833 K, a recrystallized region was formed at the boundary between band-like and patchy regions. The recrystallized region consisted of two types of recrystallized grains having a twin relationship each other. Both types of recrystallized grains had an <111>-rotated orientation relationship with the band-like region.
(キーワード): copper / single crystal / tensile deformation / non-uniform deformation / recrystallization
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/jinstmet.77.101
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001206482226560; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84877703303

(DOI: 10.2320/jinstmet.77.101, CiNii: 1390001206482226560, Elsevier: Scopus) Ayumi Shiro, Tatsuya Okada and Takahisa Shobu :
Internal Residual Stress Measurements of Tensile-Deformed Aluminum Single Crystals using Synchrotron Radiation,
Journal of Solid Mechanics and Materials Engineering, Vol.7, No.1, 79-91, 2013.

(要約): The changes in the microstructures associated with plastic deformation and strain/stress were measured using the strain scanning method with hard synchrotron radiation. Aluminum single crystals tensile-deformed along the <111> direction exhibit a macroscopically uniform multiple-slip without deformation bands. Plastic deformation has an insignificant effect on lattice spacing, and is likely responsible for the relatively uniform distribution of internal stress with a small absolute value. With regard to the crystallographic orientation, the rocking curves in the as-annealed sample differed with position, strongly suggesting that mosaic structures exist in a single crystal. In the 8% tensile-deformed sample, mosaic blocks are divided into smaller size. The increase in the number of mosaic blocks with deformation causes broadening the rocking curve and FWHM of the profile.
(キーワード): Aluminum Single Crystal / Tensile Deformation / Synchrotron Radiation / Strain / Stress
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1299/jmmp.7.79
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001205264490496; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1299/jmmp.7.79

(DOI: 10.1299/jmmp.7.79, CiNii: 1390001205264490496) Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Ryota Kashino and Takuto Ito :
Formation of Nanovoids in Femtosecond Laser-Irradiated Single Crystals of Silicon Carbide,
Materials Science Forum, Vol.725, 19-22, 2012.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.19
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.19

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.19) Shigeki Matsuo, Kodai Iwasa, Takuro Tomita, Shuichi Hashimoto and Tatsuya Okada :
Femtosecond Laser-Assisted Etching of Fluoride Crystals,
Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.6, No.3, 245-248, 2011.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2961/jlmn.2011.03.0014
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2961/jlmn.2011.03.0014

(DOI: 10.2961/jlmn.2011.03.0014) Takuro Tomita, Tatsuya Okada, Hiroyuki Kawahara, Ryota Kumai, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Masako Kawamoto, Makoto Yamaguchi, Shigeru Ueno, Emi Shindou and Akira Yoshida :
Microscopic analysis of carbon phases induced by femtosecond laser irradiation on single-crystal SiC,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.100, No.1, 113-117, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s00339-010-5786-x
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1007/s00339-010-5786-x

(DOI: 10.1007/s00339-010-5786-x) Fukuji Inoko, Keizo Kashihara, Minoru Tagami and Tatsuya Okada :
Relationship between <111> Rotation Recrystallization Mechanism and Slip Bands with Compressive Strains during Tensile Deformation in Aluminum Single Crystals,
Materials Transactions, Vol.51, No.4, 597-606, 2010.

(キーワード): aluminum single crystals / tensile deformation / 111 rotation recrystallization mechanism / slip band intersection model / twenty-four slip systems / compressive slip / kink band / vortex in couette flow
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.MG200905
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204249726592; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.MG200905

(DOI: 10.2320/matertrans.MG200905, CiNii: 1390001204249726592) Minoru Yamamoto, Manato Deki, Tomonori Takahashi, Takuro Tomita, Tatsuya Okada, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Makoto Yamaguchi, Kei Nakagawa, Nobutomo Uehara and Masaru Kamano :
Raman Spectroscopic Stress Evaluation of Femtosecond-Laser-Modified Region Inside 4H-SiC,
Applied Physics Express, Vol.3, No.1, 016603-1-016603-3, 2010.

(要約): A femtosecond (fs)-laser-modified region inside single-crystal silicon carbide was studied by micro-Raman spectroscopy. Higher and lower peak energy shifts of the transverse optical (TO) phonon mode, which correspond to compressive and tensile stresses, were observed. Mappings of peak energies and spectral widths of the TO phonon mode showed a clear correspondence with the distributions of strained layers observed by transmission electron microscopy. The maximum compressive and tensile stresses were estimated to be 1.4 and 0.4 GPa, respectively. This result indicates that the periodic strained layers contain many nano-voids which are formed by nano-explosions induced by fs laser irradiation.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/APEX.3.016603
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1523106605189982720; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/APEX.3.016603

(DOI: 10.1143/APEX.3.016603, CiNii: 1523106605189982720) Ayumi Shiro, Takao Hanabusa, Tatsuya Okada, Masayuki Nishida, Kazuya Kusaka and Osami Sakata :
Measurement of Micro Residual Stresses near the Grain Boundary in Copper Bicrystal,
Advanced Materials Research, Vol.89-91, 515-520, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/AMR.89-91.515
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/AMR.89-91.515

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.89-91.515) Tatsuya Okada, Atsushi Ikeda, Daiki Noguchi, Takashi Yamahata, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Axial Compression and Post-Deformation Annealing of <011> Aluminum Single Crystal,
Materials Transactions, Vol.50, No.10, 2391-2395, 2009.

(キーワード): aluminum / single crystal / axial compression / deformation band / recrystallization
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.M2009194
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282679227965440; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.M2009194

(DOI: 10.2320/matertrans.M2009194, CiNii: 1390282679227965440) Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Yoichiro Ishida, Satoshi Kiyama and Tomonori Takahashi :
Formation of periodic strained layers associated with nanovoids inside a silicon carbide single crystal induced by femtosecond laser irradiation,
Journal of Applied Physics, Vol.106, No.5, 054307-1-054307-4, 2009.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/1.3211311
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1063/1.3211311

(DOI: 10.1063/1.3211311) Tatsuya Okada, Hiroshi Kinoshita, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Tensile Deformation and Recrystallization in Copper Single Crystal and Bicrystal with Schmid Factor of 0.5,
Materials Transactions, Vol.50, No.3, 446-452, 2009.

(キーワード): copper / single crystal / bicrystal / tensile deformation / recrystallization / kink band
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.MBW200808
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204249646848; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.MBW200808

(DOI: 10.2320/matertrans.MBW200808, CiNii: 1390001204249646848) Tatsuya Okada, Hiroyuki Kawahara, Yoichiro Ishida, Ryota Kumai, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Masako Kawamoto, Yoji Makita and Makoto Yamaguchi :
Cross-sectional TEM analysis of laser-induced ripple structures on the 4H-SiC single-crystal surface,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.92, No.3, 665-668, 2008.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s00339-008-4611-2
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1007/s00339-008-4611-2

(DOI: 10.1007/s00339-008-4611-2) Tatsuya Okada, Hiroyuki Yasuda, Tetsuya Watanabe, Fukuji Inoko and Yukichi Umakoshi :
Kink Band Formation and its Effect on Recrystallization in Ordered and Disordered Ni3Fe Single Crystals,
Materials Transactions, Vol.48, No.4, 759-763, 2007.

(キーワード): Ni3Fe / single crystal / ordering / tensile deformation / kink band / recrystallization
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.48.759
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204248925696; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.48.759

(DOI: 10.2320/matertrans.48.759, CiNii: 1390001204248925696) 池田篤, 和田哲也, 田上稔, 岡田達也, 猪子富久治 :
90°対称傾角粒界を有するアルミニウム双結晶の引張変形と再結晶,
日本金属学会誌, Vol.70, No.10, 790-796, 2006年.

(キーワード): aluminum / bicrystal / recrystallization / band of secondary slip / BSS / kink band / KB / strain induced boundary migration / SIBM
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/jinstmet.70.790
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681457349632; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/jinstmet.70.790

(DOI: 10.2320/jinstmet.70.790, CiNii: 1390282681457349632) Tatsuya Okada, Kengo Ochi, Hiroyuki Kawahara, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Makoto Yamaguchi, Kouichi Higashimine and Tsunenobu Kimoto :
Source of Surface Morphological Defects Formed on 4H-SiC Homoepitaxial Films,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.45, No.10A, 7625-7631, 2006.

(要約): Plan-view transmission electron microscopy (TEM) was carried out to investigate the source of morphological defects formed on the surface of 4H-SiC homoepitaxial films. The source at the substrate/epifilm interface consisted of an inclusion and partial dislocations emerging from it. Selected-area diffraction pattern analysis, energy dispersive X-ray spectroscopy and micro-Raman spectroscopy revealed that the chemical composition of the inclusion was ZrO2. From the comparison between TEM images and calculated images, it was suggested that the partial dislocations were sheared Frank dislocations with the Burgers vector of the (1/12)$angle 4ar{4}03angle$ type.
(キーワード): silicon carbide / SiC / homoepitaxial film / surface morphological defect / transmission electron microscopy / TEM / micro-Raman spectroscopy / zirconia (ZrO2) inclusion / sheared Frank dislocation
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.45.7625
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520290883497822464; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.45.7625

(DOI: 10.1143/JJAP.45.7625, CiNii: 1520290883497822464) Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Tatsuya Okada, Tsunenobu Kimoto, Takeshi Mitani and Shin-ichi Nakashima :
Structures of Comets in a Homoepitaxially Grown 4H-SiC Film Studied by DUV Micro-Raman Spectroscopy,
Materials Science Forum, Vol.527-529, 339-342, 2006.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.339
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(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.339) Shigeki Matsuo, Y. Tabuchi, Tatsuya Okada, Saulius Juodkazis and Hiroaki Misawa :
Femtosecond laser assisted etching of quartz: microstructuring from inside,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.84, No.1--2, 99-102, 2006.

(キーワード): SIMULATION / GLASS
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s00339-006-3603-3
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(DOI: 10.1007/s00339-006-3603-3) Saulius Juodkazis, Koichi Nishimura, Hiroaki Misawa, Takahiro Ebisui, Ryoichi Waki, Shigeki Matsuo and Tatsuya Okada :
Control over the Crystalline State of Sapphire,
Advanced Materials, Vol.18, No.11, 1361-1364, 2006.

(キーワード): Crystallinity / Microfabrication / Phase transitions / Shock amorphization
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/adma.200501837
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(DOI: 10.1002/adma.200501837) Tatsuya Okada, Masashi Kotaka, Tetsuya Wada, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Deformation and Recrystallization of Aluminum Bicrystals Having Asymmetric Tilt Grain Boundary,
Materials Transactions, Vol.47, No.3, 838-844, 2006.

(キーワード): bicrystal / asymmetric tilt boundary / tensile deformation
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.47.838
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204251523200; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.47.838

(DOI: 10.2320/matertrans.47.838, CiNii: 1390001204251523200) Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Tatsuya Okada, Tsunenobu Kimoto, Hiroyuki Matsunami, Takeshi Mitani and Shin-ichi Nakashima :
Deep-ultraviolet micro-Raman investigation of surface defects in a 4H-SiC homoepitaxially grown film,
Applied Physics Letters, Vol.87, No.24, 241906-1-241906-3, 2005.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/1.2142080
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1050001201935174272; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1063/1.2142080

(DOI: 10.1063/1.2142080, CiNii: 1050001201935174272) 樫原恵蔵, 田上稔, 岡田達也 :
純アルミニウム双結晶の不均一変形領域における再結晶機構,
高温学会誌, Vol.31, No.6, 357-363, 2005年.

(キーワード): SIBM / Recrystallization / Deformation / Aluminum / Bicrystal
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7791/jhts.31.357
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1523388080269181312; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7791/jhts.31.357

(DOI: 10.7791/jhts.31.357, CiNii: 1523388080269181312) J.A. Wert, Keizo Kashihara, Tatsuya Okada, X. Huang and Fukuji Inoko :
Deformation band evolution in [110] Al single crystals strained in tension,
Philosophical Magazine, Vol.85, No.18, 1989-2006, 2005.

(キーワード): ORIENTATIONS
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1080/14786430412331314591
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1573105976309945984; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1080/14786430412331314591

(DOI: 10.1080/14786430412331314591, CiNii: 1573105976309945984) Tatsuya Okada, Mitsuyoshi Utani, Atsushi Osue, Nobukazu Fujii, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Slip Morphology and Recrystallization in Copper Single Crystals Tensile-Deformed along <011> and <001> Direction,
Materials Transactions, Vol.46, No.3, 602-607, 2005.

(要約): 引張方向が<011>および<001>の2種類の銅単結晶を作製し，引張変形を与え，焼鈍により再結晶させた．<011>単結晶は，観察面が{100}に近いことから，変形帯が発達せず，2次すべり領域は分散して現れた．また，焼鈍後，再結晶粒は帯状には形成されず，分散して形成された．<001>単結晶は，アルミニウム単結晶の場合とは異なり，加工硬化が非常に大きかった．これは，積層欠陥エネルギーが低いことにより，交差すべりが短距離のものも抑制されたためと考えられる．焼鈍後は，大きなひずみの蓄積を反映して，再結晶が起こった．<011>単結晶，<001>単結晶ともに，再結晶粒方位は，マトリックス方位に対して，<111>軸回転関係に加えて<110>軸回転関係のものが多数認められた．
(キーワード): single crystal / tensile-deformation
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.46.602
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204250997376; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.46.602

(DOI: 10.2320/matertrans.46.602, CiNii: 1390001204250997376) Tatsuya Okada, Akiyo Soga, Koji Tamura, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Deformation and Recrystallization in Lightly-Rolled Aluminum Single Crystals of Cube Orientation,
Materials Transactions, Vol.46, No.2, 141-144, 2005.

(要約): コンデンサ用アルミニウム箔の組織制御においては，立方体方位の結晶粒を形成させた後，もう一度軽圧延を加え焼鈍を行って，立方体方位粒の割合を高める工程が採用されている．本研究では，軽圧延に対する立方体方位単結晶の変形と再結晶を調べるため，17%および34%の圧延を立方体方位アルミニウム単結晶に行って，すべりに伴う結晶回転，内部組織を解析し，焼鈍によって形成される再結晶粒の方位を調べた．<111>軸回転機構による再結晶粒が全体の67%を占めており，回転軸の選択性の偏りは，比較的均一な変形を反映して小さかった．
(キーワード): single crystal / rolling
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.46.141
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204249072384; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/matertrans.46.141

(DOI: 10.2320/matertrans.46.141, CiNii: 1390001204249072384) Tatsuya Okada, Masaru Sakaguchi, Osamu Ashida, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Deformation and Recrystallization of Tensile-deformed or Rolled Fe-3%Si Alloy Single Crystals,
ISIJ International, Vol.45, No.2, 248-253, 2005.

(要約): 観察面が{111}，圧延方向が<112>であるFe-3%Si合金単結晶試験片を25%圧延して，側面のすべりを調べた．その後焼鈍を行うと，再結晶粒が形成された．同じ方位の単結晶試験片を<112>方向に引張変形してもひずみが蓄積せず，焼鈍しても再結晶しない．圧延試験片の再結晶粒は，変形後の方位に対して，<110>軸回転関係になっていたが，回転関係の出現頻度は回転軸により大きく異なっていた．また，同じ圧延試験片を0.25mm研磨して，やや内側で形成されている再結晶粒の方位を調べたところ，圧延表面の傾向とは大きく異なっていた．
(キーワード): Fe-3%Si alloy / single crystal / deformation / recrystallization
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2355/isijinternational.45.248
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681430501760; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2355/isijinternational.45.248

(DOI: 10.2355/isijinternational.45.248, CiNii: 1390282681430501760) Tatsuya Okada, Yuki Negoro, Tsunenobu Kimoto, Kouichi Okamoto, Noriyuki Kujime, Naoki Tanaka and Hiroyuki Matsunami :
Defect Formation in (0001)- and (11-20)-Oriented 4H-SiC Crystals P+-Implanted at Room Temperature,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.43, No.10A, 6884-6889, 2004.

(要約): (0001)および(11-20)方位を持つ2種類の4H-SiCエピ膜に，室温でPイオンを注入し，注入ダメージとアニールによる回復をTEMにより調べた．両方位とも室温でのイオン注入により，ほぼ完全にアモルファス化するダメージを受けるが，結晶性回復には大きな違いが生じた．アニールによる回復は結晶領域/アモルファス界面から起こると考えられるが，4H-SiCの積層が界面に現れている(11-20)方位が，元の構造に戻りやすいのに対して，積層が界面に現れていない(0001)方位は，アニールの過程で3C構造が導入されやすく，結晶性回復後の膜は4H構造と3C構造がまだら状になっていた．また膜内の積層欠陥も非常に多くなっており，これがアニール後の膜の電気的特性の低下につながっていると考えられる．
(キーワード): 4H-SiC / phosphorous ion implantation / amorphization / recrystallization / transmission electron microscopy
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.43.6884
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001206263783168; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.43.6884

(DOI: 10.1143/JJAP.43.6884, CiNii: 1390001206263783168) 宮崎剛行, 田上稔, 浜敏雄, 小川仁, 岡田達也, 猪子富久治 :
77Kにおいて<001>方向に引張変形した純度99.999mass%Al単結晶における活動すべり系と<111>軸回転再結晶機構,
日本金属学会誌, Vol.68, No.5, 342-349, 2004年.

(要約): 純度99.999%の高純度アルミニウムインゴットから作製した<001>引張単結晶を，液体窒素温度で引張変形した．一般に高純度アルミニウムは再結晶を起こしにくいことが知られている．この単結晶の引張方位は<001>という室温ではひずみの蓄積が小さい方位であるが，低温で変形することにより，純度99.99%の場合より15%程度変形応力が低下するものの，ほぼ同様の変形を起こした．焼鈍後も<111>軸回転機構による再結晶粒が形成された．
(キーワード): 99.999mass% aluminum / single crystal / tensile deformation / cross-slip / <111> rotation recrystallization mechanism
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/jinstmet.68.342
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520572358628668544; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2320/jinstmet.68.342

(DOI: 10.2320/jinstmet.68.342, CiNii: 1520572358628668544) Tatsuya Okada, Masaru Sakaguchi, Osamu Ashida, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Relationship between Deformation and Recrystallization Structures in Fe-Si Single Crystal and Bicrystal Containing {111}<112> Grain,
Materials Transactions, Vol.45, No.2, 415-418, 2004.

(要約): Fe-3%Si合金粗大粒多結晶から，引張方向が<112>で観察面法線が<111>となる結晶粒({111}<112>粒)を1つ含む双結晶試験片を切り出し引張変形を与えた．もう1つの結晶粒は{001}<110>粒であったが，両者のすべりの様相には非常に大きな違いが認められた．{111}<112>粒内の粒界近傍の領域では，変形帯のようなひずみの蓄積が認められたのに対して，{001}<110>粒では交差すべりが顕著でひずみの蓄積は小さかった．焼鈍後は{111}<112>粒側だけで再結晶が起こった．
(キーワード): iron-silicon alloy / single crystal / bicrystal / tensile deformation / recrystallization
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.45.415
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204251741824; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-1942476763

(DOI: 10.2320/matertrans.45.415, CiNii: 1390001204251741824, Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Tsunenobu Kimoto, Keita Yamai, Hiroyuki Matsunami and Fukuji Inoko :
Crystallographic defects under device-killing surface faults in a homoepitaxially grown film of SiC,
Materials Science and Engineering A, Vol.361, No.1-2, 67-74, 2003.

(要約): SiC薄膜を4H-SiC基板上にホモエピ成長させた際に導入される，表面欠陥直下の内部欠陥について調査するため，平面TEM法を適用した．コメット欠陥と呼ばれる表面欠陥の直下には，局所的に3C構造の領域が存在することが明らかになった．3C構造の分布には2種類あり，コメット欠陥の内部すべてが3C構造になっているタイプと，板状の3C構造の領域がコメット欠陥の下に存在しているタイプがあった．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0921-5093(03)00520-3
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1571135651743840256; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/S0921-5093(03)00520-3

(DOI: 10.1016/S0921-5093(03)00520-3, CiNii: 1571135651743840256) 樫原恵蔵, 田上稔, 岡田達也, 猪子富久治 :
初期方位に双晶粒界をもつアルミニウム双結晶における変形および再結晶の特徴,
軽金属, Vol.53, No.5, 205-211, 2003年.

(要約): 初期方位において双晶粒界をもつアルミニウム双結晶に20%ひずみおよび48%ひずみを与えた場合について変形·再結晶を比較した．低ひずみの場合は，この方位の双結晶の結晶粒どうしの応力伝達が良いことを反映して，焼鈍後にひずみ誘起粒界移動を起こす．大ひずみにいおては，初期方位からの方位変化が大きくなり，ひずみ誘起粒界移動に加えて，粒内の変形帯において<111>軸回転機構による再結晶粒が形成された．
(キーワード): pure aluminum / bicrystal / twin boundary / <111> rotation / strain induced grain boundary migration
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2464/jilm.53.205
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520853832515178496; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0038457389

(DOI: 10.2464/jilm.53.205, CiNii: 1520853832515178496, Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Xiaoxu Huang, Keizo Kashihara, Fukuji Inoko and J.A. Wert :
Crystal orientations before and after annealing in an Al single crystal strained in tension,
Acta Materialia, Vol.51, No.7, 1827-1839, 2003.

(要約): <110>方向に引張変形したアルミニウム単結晶において，引張ひずみを70%ととすると，変形帯の一種であるSBSSと変形マトリックスの方位差が40°に達した．これはある種の結晶粒界と見なせるほどの大きな方位差であり，CSL理論に当てはめるとΣ9粒界に相当する．この結晶を焼鈍すると，元のSBSS/マトリックス境界において，多数の再結晶粒が形成された．この再結晶粒は，SBSSおよびマトリックスの双方に対して双晶関係になっていた．これは，SBSS/マトリックス界面が焼鈍によりΣ9粒界となって，局所的に2つのΣ3粒界に分解する反応により生じた再結晶粒であると考えられる．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S1359-6454(02)00565-7
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1571698601683093888; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/S1359-6454(02)00565-7

(DOI: 10.1016/S1359-6454(02)00565-7, CiNii: 1571698601683093888) Tatsuya Okada, Tsunenobu Kimoto, Hiroshi Noda, Takahiro Ebisui, Hiroyuki Matsunami and Fukuji Inoko :
Correspondence between Surface Morphological Faults and Crystallographic Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Film,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.41, No.11A, 6320-6326, 2002.

(要約): 4H-SiC単結晶基板上にSiC薄膜をホモエピ成長させた際に形成された，エピ膜表面の表面欠陥直下に存在する内部欠陥について調べるために，平面TEM法および断面TEM法を適用した．キャロット欠陥の下にはc面上の積層欠陥と部分転位が確認された．コメット欠陥の下には，ある厚さを持つ欠陥領域の存在が認められた．表面欠陥の導入に伴うデバイス性能の劣化は，これらのエピ膜内の欠陥の存在によって引き起こされている可能性が高い．
(キーワード): 4H-SiC / homoepitaxy / off-cut substrate / surface morphological fault / transmission electron microscopy
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.41.6320
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681231552640; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0036873227

(DOI: 10.1143/JJAP.41.6320, CiNii: 1390282681231552640, Elsevier: Scopus) 樫原恵蔵, 田中弘, 田上稔, 岡田達也, 猪子富久治 :
純アルミニウム双結晶における集積転位の相互作用とひずみ誘起粒界移動との関係,
軽金属, Vol.52, No.3, 101-107, 2002年.

(要約): Σ3対応傾角粒界を有するアルミニウム双結晶試験片に20%の引張変形を与えた．この結晶方位は隣接する結晶粒間の応力伝達が容易であるため，粒界近傍の転位の集積が比較的小さく，焼鈍後は，結晶粒内に形成された変形帯を伝ってお互いに侵食しあうようなひずみ誘起粒界移動が起こる．
(キーワード): pure aluminum / bicrystal / dislocation / slip transfer / strain induced boundary migration
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2464/jilm.52.101
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681314022912; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2464/jilm.52.101

(DOI: 10.2464/jilm.52.101, CiNii: 1390282681314022912) Minoru Tagami, Keizo Kashihara, Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Effect of Cross Slips on Deformation Microstructure and Recrystallization in <111> and <001> Al Single Crystals,
Materials Transactions, Vol.42, No.9, 2013-2020, 2001.

(要約): 引張方位が<111>および<001>のアルミニウム単結晶において，変形温度が変形と再結晶に及ぼす影響を調査した．室温で変形した場合，<111>引張単結晶は<001>引張単結晶よりも変形応力が3倍程度となる．液体窒素温度で変形すると，<001>引張単結晶においても，交差すべりが抑制されて，室温の場合の5倍程度の変形応力となる．また，焼鈍により再結晶が起こるようになる．これらの結果は，アルミニウムにおいて，応力緩和機構である交差すべりの重要性を如実に示している．

Tatsuya Okada, Leona Ikeda, Xiaoxu Huang, J.A. Wert, Keizo Kashihara and Fukuji Inoko :
Electron Backscatter Diffraction Analysis of Recrystallized Grains Formed in Deformation Band in Aluminum Single Crystal,
Materials Transactions, Vol.42, No.9, 1938-1944, 2001.

(要約): アルミニウム単結晶を<110>方向に引張変形すると，SBSSと略称される帯状の変形帯が形成される．焼鈍後，SBSSは再結晶粒の優先的な形成サイトとなる．本研究は，幅の広いSBSSが形成された<110>引張単結晶において，再結晶粒の形状·方位をSEM/EBSP法を用いて決定した．再結晶粒方位はSBSS方位に対して<111>軸回転関係をもっているが，粒の形状は，その<111>回転軸に垂直な方向へ広がる傾向を示した．これは再結晶粒をとりまく傾角粒界が，ねじり粒界よりも移動度が大きいことに起因する．また，<111>軸周りの回転方向は，時計方向，反時計方向がほぼ半々の割合で現れた．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2320/matertrans.42.1938
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0035176553

(DOI: 10.2320/matertrans.42.1938, Elsevier: Scopus) 田上稔, 樫原恵蔵, 岡田達也, 猪子富久治 :
液体窒素温度および室温で引張変形した<111>アルミニウム単結晶の変形組織と再結晶,
日本金属学会誌, Vol.65, No.8, 672-679, 2001年.

(要約): アルミニウム単結晶を<111>方向に室温および液体窒素温度で引張った．元来<111>軸引張変形に要する変形応力は多重すべり方位の中で最も高いが，液体窒素温度に冷却された場合，室温の場合の2倍以上となった．これは，<111>軸引張の場合，応力緩和機構である交差すべりが起き難いことに加えて，低温で変形することにより，短距離の交差すべりも抑制されるからである．転位組織も，セルサイズが室温変形と比べて半分程度にまで小さくなっていた．焼鈍後形成される再結晶粒の密度も高くなった．

田上稔, 樫原恵蔵, 岡田達也, 猪子富久治 :
<112>アルミニウム単結晶の多重すべりと再結晶の関係,
日本金属学会誌, Vol.65, No.6, 517-523, 2001年.

(要約): アルミニウム単結晶を<112>方向に室温で引張変形した．<112>方向は，FCC金属の安定方位の1つであり，2つのすべり系がバランスよく活動するため，初期方位から結晶方位がほとんど変わらないまま変形が進行する．変形応力は，先に行った<100>引張単結晶と<111>引張単結晶のほぼ中間であり，すべり組織および内部転位組織も両者の特徴を併せ持っていた．この単結晶試験片は焼鈍により再結晶したが，再結晶粒の形成密度は<111>引張単結晶よりも低くなった．

Keizo Kashihara, Minoru Tagami, Hiroshi Tanaka, Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Relationship between Deformation and Recrystallization in Σ3 Isoaxial Aluminum Bicrystal Deformed in Tension along the <011> Axis,
Materials Transactions, Vol.42, No.3, 381-384, 2001.

(要約): アルミニウムを用いて，Σ3粒界を有する等軸双結晶を育成して，引張変形を行った．引張軸方位は両構成結晶粒ともに<011>である．引張変形により変形帯が左右の両結晶粒に形成され，焼鈍により互いに侵入するひずみ誘起粒界移動が起こった．双結晶において頻繁に見られる<111>軸回転機構による再結晶粒は形成されなかった．これは，{111}面を粒界面とするこのタイプの双結晶で，粒界をはさんだすべりの伝達が良好であることにより説明できる．

Keizo Kashihara, Minoru Tagami, Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Nucleation of recrystallized grains in multiple slipped structure without deformation band in aluminum single crystal,
Materials Science and Engineering A, Vol.291, No.1-2, 207-217, 2000.

(要約): 引張方向が<111>であるアルミニウム単結晶において，変形後の内部組織をTEMにより観察した．表面の細かいすべり組織を反映して，内部のセル組織も非常に細かいものであった．セル間の方位差を，菊池線から測定したが，高々4°程度であり，焼鈍後に形成される再結晶粒が，マトリックスに対して20°∼50°回転することは，セル間の方位差から説明することは難しい．再結晶核の形成場所として，すべり帯の交接部を想定するのが妥当であると考えられる．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0921-5093(00)00961-8
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0034299876

(DOI: 10.1016/S0921-5093(00)00961-8, Elsevier: Scopus) Wen-Yue Liu, Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Influence of Activated Dislocations on Recrystallization near Grain Boundaries in Coarse-Grained Fe-30Cr Alloy,
Materials Transactions, Vol.41, No.10, 1360-1365, 2000.

(要約): ひずみ焼鈍法により結晶粒を粗大化させたFe-30Cr多結晶を圧縮変形して，粒界近傍のすべり変形と再結晶の関係を調べた．再結晶粒は粒界近傍に優先的に形成されたが，単結晶の場合と同じく，隣接する結晶粒のいずれかの方位に対して，<110>軸回転関係になっているものが多数を占めた．各回転関係の出現頻度を，変形時のすべりの活動度と関連づけて解析することにより，再結晶核の転位モデルの妥当性を裏付けた．
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0034292165

(Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Tetsuya Fukuoka, Wen-Yue Liu and Fukuji Inoko :
Rotations Involved in Tensile Deformation and Recrystallization in Fe-11Cr-19Ni Alloy Single Crystal,
ISIJ International, Vol.40, No.9, 909-913, 2000.

(要約): Fe-11Cr-19Ni合金多結晶から，引張軸が<110>で観察面法線が<001>に近い単結晶試験片を切り出した．変形に伴う結晶回転を，SEM/ECP法により測定し，オイラー角で表示した．焼鈍後形成される再結晶粒のうち，マトリックス方位と<111>軸回転関係をもつものの多くは，時計方向の回転をしていた．

Tatsuya Okada, Katsunori Takechi, Hiroshi Noda, Wen-Yue Liu, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Recrystallization of Tensile-Deformed Fe-11Cr-19Ni Alloy Single Crystal,
Materials Transactions, Vol.41, No.8, 1082-1087, 2000.

(要約): 粗大粒で構成されたFe-11Cr-19Ni合金多結晶から，引張方位が<110>に近く，観察面法線がほぼ<001>である単結晶試験片を得た，引張変形を与えたところ，結晶回転の軸が観察面法線から大きくずれていたために，大規模な変形帯は形成されなかった．焼鈍後の再結晶粒は，試験片全体に分散して形成された．マトリックス方位に対して<111>軸回転関係になっている再結晶粒が比較的多い．

田上稔, 樫原恵蔵, 岡田達也, 猪子富久治 :
<111>および<001>Al単結晶の多重すべりと再結晶におよぼす交差すべりの影響,
日本金属学会誌, Vol.64, No.7, 535-542, 2000年.

(要約): アルミニウム単結晶を<111>方向および<001>方向に室温で引張変形したところ，非常に異なった変形挙動および変形組織を示した．<111>単結晶においては加工硬化が非常に大きく，表面すべり組織および内部転位組織は非常に微細になっている．これに対し，<001>単結晶は，変形の非常に早い段階で変形応力が飽和して，加工硬化が小さいまま変形が進む．表面の変形組織は，段差の大きな交差すべりが支配的で，内部の転位組織も，ルーズなセル組織になっている．焼鈍後<111>単結晶は再結晶したが，<001>単結晶には再結晶粒は形成されなかった．<001>単結晶を液体窒素温度で冷却して引張変形を与えた場合は，交差すべりが抑制され，変形応力も大きくなり，すべり組織や内部転位組織も非常に細かくなる．また，焼鈍により再結晶粒が形成された．

Tatsuya Okada, Katsunori Takechi, Uminori Takenaka, Wen-yue Liu, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Recrystallization Involving <111> Rotation in Fe-11Cr-19Ni Alloy Single Crystal,
Materials Transactions, JIM(-2000), Vol.41, No.4, 470-475, 2000.

(要約): ブリッジマン法により，平均粒径が10mm程度の非常に粗大な結晶粒で構成されているFe-11Cr-19Ni合金多結晶を育成した．この多結晶から，単結晶試験片を切り出して引張変形を与えたところ，試験片平行部が，引張軸にほぼ平行に山折れになるような変形を起こした．内部転位組織をTEMにより観察し，焼鈍後に形成される再結晶粒の方位を調べたところ，マトッリクス方位に対して<111>回転関係を持つものが多く認められた．
(キーワード): iron-11% chromium-19% nickel alloy / single crystal / tensile deformation / recrystallization / <111>-rotation
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1522262179857142016; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0042191197

(CiNii: 1522262179857142016, Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Kenji Urushihara, Minoru Tagami, Fukuji Inoko and Satoshi Hashimoto :
Morphology of [011]-tilt Σ3 boundaries in pure copper and copper-aluminum alloy tricrystals,
Materials Science and Engineering A, Vol.282, No.1-2, 8-15, 2000.

(要約): 純銅およびCu-Al合金において，<011>傾角Σ3粒界はステップ状になり，整合面{111}と非整合面で構成されていることが知られている．Σ3粒界をSEMおよびTEMにより観察して，非整合面の面指数を決定した．また，整合面から非整合面への折れ曲がり部分に，亜粒界が伴っているケースはほとんど見られなかった．ステップは，結晶育成時に，固液界面とΣ3粒界の相互作用により形成されるものと考えられる．
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0039550257

(Elsevier: Scopus) Masafumi Ohmori, Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Strain Induced Premelting at Grain Boundaries and Deformation Bands in Copper Bulk Bicrystals,
Materials Transactions, Vol.40, No.9, 946-949, 1999.

(要約): 銅双結晶を圧縮変形してそのまま昇温した．この双結晶の初期方位は，粒界が純粋なねじり粒界でないことを示していたが，変形によって構成結晶粒が逆方向に回転する方位となっていた．粒界には，ひずみ誘起粒界予融解による明瞭な割れが生じた．また，粒内の一部にも変形帯が形成され，この変形帯の左右では結晶が逆方向に回転していたため，割れが生じた．

Fukuji Inoko, Tatsuya Okada, Takashi Nishimura, Masafumi Ohmori and Takashi Yoshikawa :
Strain Induced Grain Boundary Premelting along Twin Boundaries in Copper Polycrystals,
Interface Science, Vol.7, No.2, 131-140, 1999.

(要約): 双晶粒界を多く含む銅多結晶試験片を室温で圧縮変形して，そのまま昇温した．粒界エネルギーが低く安定な双晶粒界においても，隣接する結晶粒が変形により互いに逆回転する場合は，粒界が強いせん断変形を受け，ひずみ誘起粒界予融解による割れを生じる．この結果は，粒界の持つ性質を，その幾何学的，エネルギー的な面だけで評価することの危険性を示している．

Tatsuya Okada, Wen-Yue Liu and Fukuji Inoko :
Recrystallization Mechanism Involving <110> Rotation in Fe-30Cr Alloy Single Crystal,
Materials Transactions, Vol.40, No.7, 586-593, 1999.

(要約): <111>方向に圧縮変形したFe-30Cr単結晶において，せん断帯に形成される再結晶粒の方位を詳しく調査するために，単結晶の裏面および，単結晶を切断して内部の再結晶粒の方位を調査した．どの面においても，再結晶粒方位のせん断帯方位に対する回転方向は，変形に伴うせん断帯の回転方向の逆になっており，再結晶核の転位モデルの妥当性を裏付ける結果となった．

吉川貴士, 岡田達也, 猪子富久治 :
圧縮変形下の多結晶銅における粒界予融解割れ,
伸銅技術研究会誌, Vol.38, 121-126, 1999年.

(要約): 各種の粒界を含む銅多結晶を室温で圧縮して，そのまま昇温した．粒界に生じる割れに隣接する結晶の回転を調べたところ，相互にねじり変形になっている場合が多く，粒界予融解による割れであると解釈できた．

Tatsuya Okada, Minoru Tagami, Keizo Kashihara and Fukuji Inoko :
Relationship between Active Slip Systems and Orientations of Recrystallized Grains in Fe-30Cr Alloy,
ISIJ International, Vol.38, No.6, 518-523, 1998.

(要約): <111>方向に圧縮変形されたFe-30Cr合金単結晶には，試験片観察面の対角線に沿って，顕著なせん断帯を生じる．せん断帯は初期方位に対して時計回りに回転する．焼鈍後，せん断帯内に形成される再結晶粒の70%程度は，せん断帯の方位に対して<110>軸回転関係をもっている．これらの再結晶粒の回転方向は，ほとんどすべて反時計方向である．変形に伴うせん断帯の回転方向と，再結晶粒の回転方向が逆になった理由を，再結晶粒の転位モデルにより解釈した．

Tatsuya Okada and George C Weatherly :
The role of strain and composition on the morphology of InGaAsP layers grown on <001>InP substrates,
Journal of Crystal Growth, Vol.179, No.3-4, 339-348, 1997.

(要約): InP(001)基板上に圧縮ひずみないしは引張ひずみをもつIn1-xGaxAsyP1-y薄膜および量子井戸を，系統的に厚さを変えてMBE成長させた．膜内のスピノーダル的な相分離および膜表面の凹凸を，断面TEM法により観察した．引張ひずみをもつ場合は，膜厚が小さな段階から相分離および表面の凹凸が生じていた．これに対して，圧縮ひずみをもつ場合は，ひずみが1.5%に達していても相分離は小さく，表面の平坦性は良好であった．以上の結果を，成長中の表面における簡単な拡散モデルに基づき解釈した．

Tatsuya Okada, G.C. Weatherly and D.W. McComb :
Growth of strained InGaAs layers on InP substrates,
Journal of Applied Physics, Vol.81, No.5, 2185-2196, 1997.

(要約): InP基板上にMBE成長させたIn1-xGaxAsひずみ薄膜においては，特殊な相分離および膜表面の荒れが観察されることを，断面TEM法により明らかにした．ひずみ薄膜の相分離に伴うエネルギー変化を，異方性を取り入れた弾性論計算に基づいて評価した．また，成長中の膜表面の荒れを簡単な拡散モデルに基づいて解釈した．

Fukuji Inoko, Tatsuya Okada, Toshinori Muraga, Yoko Nakano and Takashi Yoshikawa :
Strain Induced Grain Boundary Premelting in Bulk Copper Bicrystals,
Interface Science, Vol.4, No.3, 263-272, 1997.

(要約): ねじり粒界を有する銅双結晶を，室温で圧縮変形して，そのまま昇温した．粒界近傍の強いせん断変形により，ひずみ誘起粒界予融解が起こり，割れが生じた．一方，高温で連続的に圧縮した双結晶では，粒界近傍で動的再結晶粒が形成してひずみを解放するため，粒界割れが起こらないことが観察された．
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0030314035

(Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Satoshi Kurai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Fukuji Inoko and Shiro Sakai :
Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.35, No.10, 1318-1320, 1996.

(要約): 昇華法で作製したGaN単結晶上にGaN膜をMOCVD法でホモエピ成長させた．FIB法により加工して電子線が透過する部分を壁状に加工し，結晶内の転位をTEMにより観察した．また，この観察結果に基づき，GaN単結晶内の転位密度を推定した．

R.R. LaPierre, Tatsuya Okada, B.J. Robinson, D.A. Thompson and G.C. Weatherly :
Lateral composition modulation in InGaAsP strained layers and quantum wells grown on (100) InP by gas source molecular beam epitaxy,
Journal of Crystal Growth, Vol.158, No.1-2, 6-14, 1996.

(要約): InP(100)基板上にMBE成長させたIn1-xGaxAsyP1-yひずみ薄膜および量子井戸をフォトルミネッセンスおよびTEMで評価した．特に，スピノーダル的な相分離の解析を行った．InP基板とのひずみが0%(格子整合)，+0.5%(引張ひずみ)，-0.5%(圧縮ひずみ)の3つの場合について，膜の成分を連続的に変えて観察した．膜内の相分離と，表面のモフォロジーとは密接な関係があることが分かった．

R.R. LaPierre, Tatsuya Okada, B.J. Robinson, D.A. Thompson and G.C. Weatherly :
Spinodal-like decomposition of InGaAsP /(100) InP grown by gas source molecular beam epitaxy,
Journal of Crystal Growth, Vol.155, No.1-2, 1-15, 1995.

(要約): InP(100)基板と格子整合しているIn1-xGaxAsyP1-y薄膜に見られるスピノーダル的な相分離を，TEMおよびフォトルミネッセンスで評価した．相分離のコントラストは，(0-11)断面でのみ明瞭に認められ，(011)断面では周期性が明確ではない．これが液相エピで作製された薄膜内のスピノーダル分解とは決定的に異なる点である．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/0022-0248(95)00123-9
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/0022-0248(95)00123-9

(DOI: 10.1016/0022-0248(95)00123-9) M. Dynna, Tatsuya Okada and G.C. Weatherly :
The Nature of Dislocation Sources and Strain Relief in InAsP Films Grown on <100> InP Substrates,
Acta Metallurgica et Materialia, Vol.42, No.5, 1661-1672, 1994.

(要約): InP(100)基板上に MBE法により成長させた， InAsyP1-y薄膜と基板界面の転位を， TEM により観察した．界面転位のひずみ場を弾性論計算により求めてコントラスト計算を行った結果， g·b解析を行わなくても，1枚の写真から転位のバーガースベクトルを決定しうることを示した．また弾性論解析により，このひずみ薄膜における転位導入の臨界厚さを求めて，他の手法による計算結果と比較した．

Susumu Onaka, Tatsuya Okada and Masaharu Katoh :
Relaxation Kinetics and Relaxed Stresses Caused by Interface Diffusion around Spheroidal Inclusions,
Acta Metallurgica et Materialia, Vol.39, No.5, 971-978, 1991.

(要約): 異方性をもつ無限大物質中の，回転楕円体介在物周りの応力場を弾性論計算により求めた．また，介在物周りの応力場が，界面拡散によって緩和する場合について，拡散時間を計算した．

MISC

Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Takuya Hashimoto, Hiroki Kawakami, Yuki Fuchikami, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka :
Low-temperature diffusion assisted by femtosecond laser-induced modifications at Ni/SiC interface,
Applied Physics Express, Vol.11, No.1, 016502-1-016502-4, 2018.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/APEX.11.016502
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1360284924860328960; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85039981004

(DOI: 10.7567/APEX.11.016502, CiNii: 1360284924860328960, Elsevier: Scopus) Tomoyuki Ueki, Kazuki Morimoto, Hiroki Yokota, Takuro Tomita and Tatsuya Okada :
Application of femtosecond laser irradiation to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface,
Applied Physics Express, Vol.8, No.2, 026503-1-026503-4, 2015.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/APEX.8.026503
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84922376842

(DOI: 10.7567/APEX.8.026503, Elsevier: Scopus) D.W. McComb, Tatsuya Okada, G.C. Weatherly, R.A. Wolkow and J.E. Hulse :
Cross-sectional transmission electron microscopy and scanning tunnelling microscopy applied to investigation of phase segregation in III-V multilayers grown by molecular beam epitaxy,
Philosophical Magazine Letters, Vol.73, No.3, 129-136, 1996.

(要約): InP(001)基板上にMBE成長させたIn1-xGaxAsyP1-yひずみ薄膜内の相分離の解析を，走査トンネル顕微鏡およびTEMを用いて行った．断面TEMで得られた相分離に伴うひずみコントラストと，走査トンネル顕微鏡像は良い一致を示した．

Tatsuya Okada, V R Kruzelecky, C G Weatherly, A D Thompson and J B Robinson :
Dislocation relaxation in InAsyP1-y films deposited onto (001) InP by gas-source molecular beam epitaxy,
Applied Physics Letters, Vol.63, No.23, 3194-3196, 1993.

(要約): InP(001)基板上にガスソースMBEにより成長させた，InAsyP1-y薄膜/基板界面の転位をSEM/CL法により観察した．この試料からTEM薄片試料を作製し，界面転位および転位源をTEMにより観察した．転位密度の測定から，界面転位はひずみ薄膜と基板の格子不整合を完全には緩和していないことが明らかとなった．

Tatsuya Okada, Susumu Onaka, Satoshi Hashimoto and Sei Miura :
Suppression of Grain-Boundary Sliding by a Boundary Node in Cu-9at.%Al Tricrystals,
Scripta Metallurgica, Vol.23, No.1, 49-54, 1989.

(要約): Cu-9at.%Al合金を用いて，<110>傾角Σ＝3,3,9粒界を有する三重結晶を育成し，1073Kで高温クリープ変形を行った．Σ9粒界だけを含む双結晶試験片も同じ三重結晶から切り出し，比較を行った．粒界すべりの時間依存性を調査し，粒界三重線の拘束効果を明らかにした．この合金においてはΣ3粒界はほとんど高温粒界すべりを起こさないので，粒界三重線付近において，Σ9粒界のすべりによりひずみが蓄積し，粒界割れを起こすことも観察された．

総説・解説

猪子富久治, 樫原恵蔵, 田上稔, 岡田達也 :
アルミニウム単結晶・双結晶の変形・再結晶(2), --- 変形帯(キンク帯およびSBSS)を形成する単結晶 ---,
軽金属, Vol.61, No.9, 475-484, 2011年9月.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2464/jilm.61.475
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520572357171034240; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-81255191784

(DOI: 10.2464/jilm.61.475, CiNii: 1520572357171034240, Elsevier: Scopus) 猪子富久治, 樫原恵蔵, 田上稔, 岡田達也 :
アルミニウム単結晶・双結晶の変形・再結晶(1), --- 変形帯のない多重すべり<001>，<112>および<111>引張方位の単結晶 ---,
軽金属, Vol.61, No.8, 410-420, 2011年8月.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2464/jilm.61.410
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520009409259063680; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-80053916549

(DOI: 10.2464/jilm.61.410, CiNii: 1520009409259063680, Elsevier: Scopus) 猪子富久治, 樫原恵蔵, 田上稔, 岡田達也 :
アルミニウムの変形転位組織と再結晶粒の形成との関係,
軽金属, Vol.51, No.8, 422-427, 2001年8月.

(要約): 多重すべりするアルミニウム単結晶の変形·再結晶挙動は，その引張方位により大きく異なる．変形応力は<100>引張単結晶が最も低く，次いで<112>引張単結晶であり，<111>引張単結晶は最も高い．また，再結晶粒の形成密度もこの傾向にほぼ対応したものとなる．これは，アルミニウムのような積層欠陥エネルギーが高いFCC金属において，応力緩和機構である交差すべりが変形·再結晶に重要な役割を果たすことを示している．

講演・発表

Kenya Bando, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa, Takuro Tomita, Tatsuya Okada and Makoto Yamaguchi :
Modifications induced by femtosecond laser irradiation on (001) surface of diamond crystal,
The 22nd International Symposium on Laser Precision Microfabrication, 97, Online, Jun. 2021. Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Yuki Fuchikami, Yusaku Mizuo, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka :
Formation of Ohmic Contact at Ni/SiC Interface with the Assistance of Femtosecond-Laser-Induced Modifications,
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019, A3-P-8-(1040), Nagoya, Nov. 2019. Hiroyuki Katayama, Yoshiki Naoi, Tatsuya Okada, Yasuhiro Tanaka and Takuro Tomita :
Study of ohmic contact electrode on p-GaN using moderate crystal damage effect induced by femtosecond laser irradiation technique,
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, ThP-ED-6, Kanazawa, Nov. 2018. Hiroyuki Katayama, Hiroki Kawakami, Yasuhiro Tanaka, Yoshiki Naoi, Tatsuya Okada and Takuro Tomita :
Femtosecond laser irradiation for the low contact resistance electrode fabrication on p-type gallium nitride,
19th International Symposium on Laser Precision Microfabrication (LPM 2018), 57, Edinburgh, Jun. 2018. Renwei Liu, Yoshihiro Deguchi, Akihiro Ikutomo, Tatsuya Okada, Fang-jung Shiou, Jiping Liu and Zhenzhen Wang :
Composition measurement of steel at evaluated temperature using laser-induced breakdown spectroscopy,
Proceedings of International Forum on Advanced Technologies IFAT2016, 165-167, Tokushima, Mar. 2016. Takao Hanabusa, Ayumi Shiro and Tatsuya Okada :
Residual Stress Measurement around the Interface of Copper Bicrystal Deformed by Uniaxial Extension,
Advances in Science and Technology, Vol.64, 125-134, Montecatini Terme (June 2010), Jun. 2010. Takuro Tomita, Tatsuya Okada, Tomonori Takahashi, Minoru Yamamoto, Manato Deki, Shigeki Matsuo and Shuichi Hashimoto :
Femtosecond laser induced periodic structure inside SiC observed by TEM,
The Extended Abstract of International Symposium on the Physics of Excitation-assisted nano-proceses, P-13, Wakayama, Nov. 2009. Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Yoichiro Ishida, Satoshi Kiyama and Tomonori Takahashi :
Periodic structures induced by femtosecond laser pulses inside 4H-SiC single crystal,
LAMP2009 (The 5th International Congress on Laser Advanced Materials Processing) Program and Technical Digest, 75, Kobe, Jun. 2009. Hiroyuki Kawahara, Tatsuya Okada, Ryota Kumai, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto and Makoto Yamaguchi :
Cross-Sectional TEM Analysis of Structural Change in 4H-SiC Single Crystal Irradiated by Femtosecond Laser Pulses,
Materials Science Forum, Vol.600-603, 883-886, Otsu, Japan (Oct.2007), Jan. 2009.

(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-63849306615

(Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Hiroyuki Kawahara, Yoichiro Ishida, Ryota Kumai, Masako Kawamoto and Makoto Yamaguchi :
Structural Changes Induced by Femtosecond Laser Pulses on 4H-SiC Single Crystal: Studies Utilizing Transmission Electron Microscopy,
Proceedings of the 9th International Symposium on Laser Precision Microfabrication, #08-59, Québec City, Jun. 2008. Tatsuya Okada, Hiroyuki Kawahara, Ryota Kumai, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto and Makoto Yamaguchi :
TEM observation of structural changes under 4H-SiC single crystal surface irradiated by femtosecond laser pulses,
The proceedings of the 8-th International Symposium on Laser Precision Microfabrication, 65, Wien, Apr. 2007. Tatsuya Okada, Kouichi Okamoto, Kengo Ochi, Kouichi Higashimine and Tsunenobu Kimoto :
Origin of Surface Morphological Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Films,
Materials Science Forum, Vol.527-529, 399-402, Pittsburgh, Oct. 2006. Shigeki Matsuo, Yusuke Tabuchi, Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Shuichi Hashimoto, Saulius Juodkazis and Hiroaki Misawa :
Femtosecond laser assisted etching of quartz,
XXIst IUPAC Symposium on Photochemistry, 520, Kyoto, Apr. 2006. Fukuji Inoko, Keizo Kashihara, Minoru Tagami and Tatsuya Okada :
Relation between Activated Slip Systems and Nucleation of Recrystallized Grains in Deformed Single- and Bi-crystals,
Materials Science Forum, Vol.467-470, 57-62, Annecy, Nov. 2004.

(要約): 引張変形されるアルミニウム単結晶の再結晶は，すべり帯の交接部が再結晶粒の形成サイトになるという転位モデルで統一的に説明できる．変形帯を生じる<110>引張単結晶や主すべり系のシュミット因子が0.5となる単結晶，マクロ的に均一なすべりを起こす<001>引張，<112>引張，<111>引張のデータについて，活動するすべり系，交接部で局所的に活動が起こり，再結晶粒の核形成に重要な働きをするすべり系を考え，実際に形成されている再結晶粒の方位の，マトリックス方位に対する回転軸と比較することにより，モデルの妥当性を示した．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.467-470.57
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-17144407901

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.467-470.57, Elsevier: Scopus) Keizo Kashihara, Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Evolution of Deformation Structure and Interaction of Piled-up Dislocations in an Aluminum Bicrystal,
Proceedings of the 25th Risoe International Symposium on Materials Science, 377-382, Roskilde, Sep. 2004.

(要約): 初期方位においてΣ3双晶粒界を有するアルミニウム双結晶を2個用意し，20%ないしは48%の引張変形を与えた．構成結晶粒のなす角は，20%ひずみの場合14°変化し，48%ひずみの場合は44°変化した．これにより両者の変形に違いが生じた．粒界をはさむすべり伝達の詳細な解析を行うため，応力伝達係数を計算して検討を行った．

Keizo Kashihara, Tatsuya Okada, Minoru Tagami and Wen-An Chiou :
SEM/EBSP and TEM study of tensile-deformed structure in aluminum bicrystal,
The 8th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy, 110, Kanazawa, Jun. 2004. Tatsuya Okada, Tsunenobu Kimoto, Keita Yamai, Hiroyuki Matsunami and Fukuji Inoko :
Crystallographic defects under surface morphological defects of 4H-SiC homoepitaxial films,
Materials Science Forum, Vol.457-460, 521-524, Lyon, May 2004.

(要約): 4H-SiC基板上に形成されたSiC薄膜において，表面欠陥直下の内部欠陥の様相を調べるため，平面TEM法を適用した．コメット欠陥に伴う3C構造およびキャロット欠陥に伴う積層欠陥と部分転位を確認した．一部の試料にプラズマエッチングを行い，エピ膜の一部を除去してからTEM試料を作製したところ，三角欠陥のエピ膜内の構造を観察することができ，エピ膜表面での欠陥構造と基本的に変わらないことが確認された．

Tatsuya Okada, Hiroshi Noda, Wen-Yue Liu, Minoru Tagami and Fukuji Inoko :
Recrystallization in Tensile-Deformed Fe-11Cr-19Ni Alloy Single Crystals,
Proceedings of Risoe 21st International Symposium on Materials Science, 485-490, Roskilde, Sep. 2000.

(要約): Fe-11Cr-19Ni粗大粒多結晶から，引張方位が<110>，観察面法線が<001>に近い単結晶試験片を2本切り出し，引張変形を与えた．観察面が{001}に近いため，大規模な変形帯の形成は見られなかった．側面では，一部に変形帯が形成され，再結晶粒の形成サイトになった．再結晶粒のマトリックス方位に対する回転方向は，同じFCC金属であるアルミニウム単結晶の場合とは異なり，一方向(時計回り)に偏る傾向が認められた．

Keizo Kashihara, Minoru Tagami, Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Nucleation of Recrystallized Grains in Interiors and Surfaces of Aluminum Single- and Poly-Crystals,
Proceedings of Risoe 21st International Symposium on Materials Science, 371-377, Roskilde, Sep. 2000.

(要約): 再結晶粒形成に対する自由表面の影響を調査するため，アルミニウム単結晶および多結晶を用いて，あらかじめ2つの試料を用意し，重ね合わせて圧縮変形を与えて，その後焼鈍を行った場合と，元々1つの試料をそのまま圧縮して，焼鈍し，その後切断した場合とについて比較した．両方の場合ともに，表面が再結晶粒の優先的な形成サイトになることが確認された．再結晶粒の多くは<111>軸回転機構により形成されていた．

Fukuji Inoko, Tatsuya Okada, Minoru Tagami and Keizo Kashihara :
Nucleation of Recrystallized Grains in Interactions of Slip Bands with Tensile Strain and Those with Compressive Strain,
Proceedings of Risoe 21st International Symposium on Materials Science, 365-370, Roskilde, Sep. 2000.

(要約): FCC金属における再結晶粒の<111>軸回転機構および，BCC金属における再結晶粒の<110>軸回転機構は，ともに再結晶核の転位モデルで説明できる．一般的に，再結晶粒の優先的な形成サイトは，変形帯や粒界などの不均一変形領域であるが，マクロ的に均一な変形をする場合でも，すべり帯の交接部において，再結晶核の形成に不可欠な，マトリックスに対する回転領域を生じる場合がありうることを示した．

Fukuji Inoko, Tatsuya Okada, Minoru Tagami and Keizo Kashihara :
Relation between Deformed Microstructures and, <111>(FCC) and <011>(BCC) Rotation Recrystallization Mechanisms,
Proceedings of Risoe 20th International Symposium on Materials Science, 375-380, Roskilde, Sep. 1999.

(要約): FCC金属における再結晶粒の<111>軸回転機構および，BCC金属における再結晶粒の<011>軸回転機構は，ともに再結晶核の転位モデルで説明できる．一般的に，再結晶粒の優先的な形成サイトは，変形帯や粒界などの不均一変形領域であるが，マクロ的に均一な変形をする場合は，内部の微細な変形組織の不均一性を考慮に入れた解釈が不可欠である．

Keizo Kashihara, Minoru Tagami, Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Influence of Free Surface on Formation of Primary Recrystallized Grains in Pure Aluminum,
Proceedings of 4th International Conference on Recrystallization and Related Phenomena, 489-494, Tsukuba, Jul. 1999.

(要約): 柱状晶組織を有するアルミニウム粗大粒多結晶試験片に圧縮変形を与えた．2つの試料を重ねて圧縮した場合と，1つの試料を圧縮して圧縮方向に垂直に2つに切断した場合について，焼鈍後に形成された再結晶粒の方位を比較して，自由表面の影響について考察した．いずれの場合も<111>軸回転機構によって再結晶粒が形成されたが，試料内部に比べて，自由表面で優先的に形成されることが確認された．

Tatsuya Okada, Wen-yue Liu, Tetsuya Fukuoka, Katsunori Takechi and Fukuji Inoko :
Recrystallization of Coarse-Grained Stainless Steels,
Proceedings of 4th International Conference on Recrystallization and Related Phenomena, 197-201, Tsukuba, Jul. 1999.

(要約): Fe-30Cr合金の粗大粒多結晶から引張試験片を切り出し，20%ないしは25%のひずみを与えて焼鈍した．一部の粒界にひずみ誘起粒界移動が起こった．粒界移動の方向を，変形時に各結晶粒内で活動した転位の性格と照合して解析しところ，移動は，粒界近傍でらせん転位が集積した結晶粒から，刃状転位が集積した結晶粒に向かって起こることが確かめられた．

Fukuji Inoko, Keizo Kashihara, Minoru Tagami and Tatsuya Okada :
Influence of Kind and Quantity of Dislocations of Activated Slip Systems on Deformation and Recrystallization,
Proceedings of 4th International Conference on Recrystallization and Related Phenomena, 131-136, Tsukuba, Jul. 1999.

(要約): Fe-30Cr合金単結晶を<111>方向に圧縮変形した場合について，試験片表面のすべり帯の様相や結晶方位の変化に伴うシュミット因子の計算などから．活動する転位の種類や量を見積もった．焼鈍によって形成される再結晶粒の方位は，マトリックス方位に対して<110>軸回転関係を持っており，その出現確率は軸により大きく異なる．この違いを再結晶核の転位モデルに基づいて解釈した．

Fukuji Inoko, Tatsuya Okada and Takashi Yoshikawa :
Strain Induced Grain Boundary Premelting due to Heavy Pile-up of Screw Dislocations in Deformed Copper Bicrystals,
Defects and Diffusion Forum, Vol.156, 175-180, Moscow, May 1998.

(要約): 積層欠陥エネルギーが低い銅のような金属おいて，ねじり変形によりらせん転位が集積した粒界には，ひずみ誘起粒界予融解による割れが生じやすい．これは，TEM薄膜試料およびバルク結晶の両方で確かめられてきた．転位集積による粒界近傍領域の融点の低下は，簡単なひずみエネルギーの計算により見積もることができる．

Tatsuya Okada and Fukuji Inoko :
Compressive Deformation and Recrystallization of Fe-30Cr Alloy Single Crystal,
Proceedings of 3rd International Symposium on Microstructures and Mechanical Properties of New Engineering Materials, 117-124, Tsu, Aug. 1997.

(要約): Fe-30Cr合金単結晶を<111>方向に圧縮変形した．試験片観察面の対角線方向に，せん断帯が形成され，この部分は隣接する2つの領域に対して大きく方位回転しており，変形も複雑であった．焼鈍後，再結晶粒がせん断帯内に多数形成された．再結晶粒とせん断帯の方位関係では，<110>軸回りの回転関係になっているものが70%程度の高い割合で存在した．

Fukuji Inoko, Tatsuya Okada and Takashi Nishimura :
Strain Induced Grain Boundary Premelting along Twin Boundaries in Compressed Copper Polycrystals,
Proceedings of IMSP'97, 37-44, Tsu, Aug. 1997.

(要約): 列状に並んだ双晶粒界をもつ銅多結晶を，室温で圧縮変形してそのまま昇温した．ねじり変形を受ける双晶粒界において，ひずみ誘起予融解による割れが観察された．割れは，1つおきの双晶粒界に生じており，これは双晶粒界に隣接する結晶粒の回転を考慮に入れて解釈できることを示した．

Fukuji Inoko, Tatsuya Okada, Toshinori Muraga and Yoko Nakano :
Dynamic Recrystallization and Grain Boundary Cracking in Copper Bicrystals,
Proceedings of 3rd International Conference on Recrystallization and Related Phenomena, 677-682, Monterey, Oct. 1996.

(要約): ねじり粒界を有する銅双結晶を室温で圧縮変形してそのまま焼鈍すると，粒界において割れが形成される．これはひずみ誘起予融解によるものと考えられる．一方，高温で連続的に圧縮変形すると粒界には割れが生じない．この場合，粒界においては，動的再結晶粒が形成してひずみの蓄積を解放していた．

Fukuji Inoko, Tatsuya Okada, Toshinori Muraga and Yoko Nakano :
Dynamic Recrystallization and Grain Boundary Premelting in Copper Bicrystals,
Proceedings of 8th Japan Institute of Metals International Symposium, 327-330, Toyama, Jun. 1996.

(要約): ねじり粒界を有する銅双結晶を室温で圧縮変形してそのまま昇温すると，融点(絶対温度)の半分程度である773Kから853Kにおいて，粒界が割れる現象が観察された．これは粒界予融解によるものであると解釈できる．一方，高温で連続的に圧縮すると，粒界には割れを生じない．これは，高温圧縮変形初期に動的再結晶粒が粒界に沿って形成されるためであることが見出された．

R.R. LaPierre, Tatsuya Okada, B.J. Robinson, D.A. Thompson and G.C. Weatherly :
Spinodal-Like Decomposition of InGaAsP/(100) InP Strained Layers and Quantum Wells Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy,
Proceedings of 7th International Conference on InP and Related Materials, 175-178, Sapporo, May 1995.

(要約): InP(100)基板上にMBE成長させたIn1-xGaxAsyP1-y薄膜および量子井戸にフォトルミネッセンスおよびTEM解析を適用し，スピノーダル的な相分離を評価した．InP基板に格子整合している膜および0.5%の引張ないしは圧縮ひずみを有する膜について調べた結果，膜内に相分離が存在するとき，膜表面の平坦性が失われる傾向が見出された．

Tatsuya Okada, R.R. LaPierre, C. Mullan, G.C. Weatherly, B.J. Robinson and D.A. Thompson :
Transmisson electron microscopy and photoluminescence studies of In1-xGaxAsyP1-y films grown on <100> InP substrates,
Proceedings of 9th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials, 20-23, Oxford, Mar. 1995.

(要約): InP(100)基板上にMBE成長させたIn1-xGaxAsyP1-y格子整合膜およびひずみ膜を，TEMおよびフォトルミネッセンスで評価した．特に，膜内のスピノーダル的な相分離に注目した．ひずみ膜内で起こる相分離が，膜表面のモフォロジー的な乱れに関係が深いことが示された．

Sei Miura, Tatsuya Okada, Susumu Onaka and Satoshi Hashimoto :
Effects of a Boundary Node on Grain-Boundary Sliding and Intergranular Fracture in Cu-9at.%Al Tricrystals,
Colloque de Physique, Vol.C1, 587-592, Paris, Jan. 1990.

(要約): Cu-9at.%Al合金において<110>傾角Σ＝3,3,9対応粒界を有する三重結晶を育成し，1073Kで高温クリープ変形を行った．並行して，三重結晶からΣ9粒界だけを含む双結晶試験片を切り出し同様の実験を行って，両者の比較から粒界三重線の粒界すべり拘束効果と，三重線におけるクリープ破壊の関係を調べた．

中川功士, 関宏都, 高林圭佑, 遠藤翼, 土屋叡本, 山口誠, 岡田達也, 小林洋平, 富田卓朗 :
超短パルスレーザー照射によるNi/Cu/Sn金属薄膜の合金化,
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18p-A25-12, 2024年9月. 須藤直也, 関宏都, 川上拓哉, 高林圭佑, 土屋叡本, 遠藤翼, 髙島祐介, 永松謙太郎, 直井美貴, 山口誠, 岡田達也, 小林洋平, 富田卓朗 :
超短パルスレーザーによるSiC上オーミック電極の電気特性のパルス時間幅依存性,
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18p-A25-11, 2024年9月. 岡田達也, 岸田崇秀, 植木智之, 富田卓朗 :
引張変形した銅単結晶におけるフェムト秒レーザ誘起周期表面構造,
2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会講演概要集, 18a-A25-6, 2024年9月. 山上聡, 岡田達也, 久澤大夢 :
Ni-Al-Mo 合金における析出物の形態に及ぼす格子ミスフィットの影響の詳細実験,
日本金属学会中国四国支部第64回講演大会講演概要集, C04, 2024年8月. 趙睿恩, 岡田達也, 久澤大夢 :
フェーズフィールド法によって再現したNi 基合金の組織に対する析出物の形状パラメーター,
日本金属学会中国四国支部第64回講演大会講演概要集, C03, 2024年8月. 山村空大, 大久保隆太, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
Σ3またはΣ9粒界を有するCu-Al合金双結晶の高温粒界破壊,
日本金属学会中国四国支部第64回講演大会講演概要集, B18, 2024年8月. 中川功士, 関宏都, 高林圭佑, 遠藤翼, 土屋叡本, 山口誠, 岡田達也, 小林洋平, 富田卓朗 :
超短パルスレーザー照射によるNi/Cu/Sn金属薄膜への影響,
2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ap-3, 2024年7月. 関宏都, 古市健人, 高林圭佑, 土屋叡本, 山口誠, 岡田達也, 小林洋平, 富田卓朗 :
超短パルスレーザー照射によるSnCu固溶体中間相の生成,
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, 23a-13M-9, 2024年3月. 千種晃平, 伏見勇人, 岡田達也, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー照射によるSiC表面周期構造形成過程のパルス分解観察,
令和6年電気学会全国大会, 1-024, 2024年3月. 伏見勇人, 岡田達也, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー照射によるSiC表面周期構造形成のその場観察,
レーザー学会学術講演会第44回年次大会, Vol.44, D04-18a-X-03, 2024年1月. 伏見勇人, 千種晃平, 岡田達也, 富田卓朗 :
走査型電子顕微鏡を用いたレーザー加工のその場観察光学系構築とSiC表面周期構造形成過程のパルス分解観察,
第34回光物性研究会, Vol.34, IB-28, 2023年12月. 久澤大夢, 日下大輔, 植木智之, 岡田達也 :
Ni-Al-Moモデル合⾦に対するひずみ時効による格⼦ミスフィットの簡易測定,
⽇本⾦属学会2023年秋期(第173回)講演⼤会概要集, 389, 2023年9月.

(キーワード): Ni基合金 / 格子ミスフィット / マイクロメカニクス / ガンマプライム相 / X線回折 (X-ray diffraction)

関宏都, 古市健人, 土屋叡本, 山口誠, 岡田達也, 小林洋平, 富田卓朗 :
ピコ秒レーザー照射によるチタン/ニッケル界面への影響,
2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会講演概要集, 20p-B205-9, 2023年9月. 岩浅郁哉, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射したダイヤモンド表面へのP+およびN+イオン注入,
2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会講演概要集, 20a-B205-8, 2023年9月. 佐藤健次, 岡田達也, 久澤大夢 :
高強度Ni基合金のマルチモーダル組織におけるTi/Nbの分配と析出挙動,
日本金属学会中国四国支部第63回講演大会講演概要集, B04, 2023年8月. 鴨頭勇斗, 岡田達也, 久澤大夢 :
Ni-Al 合金における拡散対を用いた傾斜体積率試料の作製,
日本金属学会中国四国支部第63回講演大会講演概要集, B03, 2023年8月. 家根啓文, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9粒界を有するAl-Ag合金三重結晶のクリープ変形,
日本金属学会中国四国支部第63回講演大会講演概要集, B02, 2023年8月. 宮田崇貴, 横内陽来, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
Al-Ag合金単結晶における高温すべり変形,
日本金属学会中国四国支部第63回講演大会講演概要集, B01, 2023年8月. 村上大介, 植木智之, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射を応用した4H-SiC上のNIオーミック電極形成,
日本金属学会中国四国支部第63回講演大会講演概要集, A14, 2023年8月. 櫻井雄弥, 岩浅郁哉, 植木智之, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射したダイヤモンド単結晶へのn型イオン注入,
日本金属学会中国四国支部第63回講演大会講演概要集, A15, 2023年8月. 関宏都, 古市健人, 土屋叡本, 山口誠, 岡田達也, 小林洋平, 富田卓朗 :
チタン/ニッケル界面へのピコ秒レーザー照射による界面改質,
2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Dp-5, 2023年7月. 河野太洋, 山口誠, 岡田達也, 富田卓朗 :
銅/亜鉛界面へのフェムト秒レーザー照射による新奇金属合金化手法,
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会概要集, 23p-C301-3, 2022年9月. 亀井優之, 山口誠, 岡田達也, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー照射によるAlのSiCへの局所フルエンスに依存した拡散,
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会概要集, 23p-C301-2, 2022年9月. 岩浅郁哉, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
ダイヤモンド表面へのフェムト秒レーザ照射とホウ素イオン注入,
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会概要集, 22a-C301-9, 2022年9月. 岸田崇秀, 植木智之, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射したSiC表面におけるNiシリサイド形成,
日本金属学会中国四国支部第65回講演大会講演概要集, B15, 2022年8月. 岩浅郁哉, 植木智之, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也 :
ダイヤモンド表面に形成したフェムト秒レーザ誘起改質によるホウ素イオン導入促進,
日本金属学会中国四国支部第65回講演大会講演概要集, B14, 2022年8月. 日下大輔, 岡田達也, 久澤大夢 :
様々な大きさの格子ミスフィットを有するNi基モデル合金におけるγ′相の特異な配列と粒子径分布,
日本金属学会中国四国支部第65回講演大会講演概要集, A02, 2022年8月. 大久保隆太, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9粒界を有するCu-Al合金三重結晶のクリープ変形と破壊,
日本金属学会中国四国支部第65回講演大会講演概要集, A01, 2022年8月. 河野太洋, 山口誠, 岡田達也, 富田卓朗 :
銅/亜鉛界面へのフェムト秒レーザー照射による非熱力学的な合金生成手法,
2022年度応用物理学会中国四国支部学術講演会講演概要集, Aa-5, 2022年7月. 古市建人, 山口誠, 岡田達也, 富田卓朗 :
SiC上のAu/Cu積層膜へのフェムト秒レーザー照射,
2022年度応用物理学会中国四国支部学術講演会講演概要集, Aa-4, 2022年7月. 岩浅郁哉, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射したダイヤモンド結晶表面へのホウ素イオン注入,
2022年度応用物理学会中国四国支部学術講演会講演概要集, Aa-2, 2022年7月. 岸田崇秀, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射したSiC表面におけるNi電極形成,
2022年度応用物理学会中国四国支部学術講演会講演概要集, Aa-1, 2022年7月. 河野太洋, 峯元希, 三村一暉, 山口誠, 岡田達也, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザーアブレーションの走査電子顕微鏡によるその場観察,
第69回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集, Vol.69, 24p-E106-2, 2022年3月. 中尾和輝, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9粒界を有する銅三重結晶の粒界すべりに伴うクリープ破壊,
日本金属学会2021年秋期講演(第169回)大会講演概要集, 38, 2021年9月. 三村一暉, 坂東賢哉, 山口誠, 岡田達也, 富田卓朗 :
Cuをキャップ層として用いたAlのフェムト秒レーザー誘起構造変化,
第82回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.82, 11a-N321-8, 2021年9月. 小川倖平, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ誘起改質を導入した SiC 単結晶表面における Ni 電極形成,
日本金属学会中国四国支部第61回講演大会講演概要集, A16, 2021年8月. 猪子麟太郎, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
<110>傾角 Σ3,3,9 粒界を有する Al-Cu 固溶合金三重結晶のクリープ変形,
日本金属学会中国四国支部第61回講演大会講演概要集, A01, 2021年8月. 小川倖平, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射した4H-SiC表面におけるNi電極の電流-電圧特性,
2021年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Fp-5, 2021年7月. 城鮎美, 菖蒲敬久, 岡田達也 :
放射光X線を用いたアルミニウム単結晶の変形・再結晶中のその場観察,
第17回学術講演会講演予稿集, D-1-2-2, 2021年7月. 久澤大夢, 中村洋一郎, 梅田晃平, 植木智之, 岡田達也 :
Ni– Al 2元系合金におけるγ′析出相の分散とその体積率依存性,
日本金属学会日本金属学会2021年春期(第168回)講演大会概要集, 166, 2021年3月.

(キーワード): Ni基超合金 / 格子ミスフィット / マイクロメカニクス / γ′相 / 画像処理 (image processing)

森本博己, 川口克哉, 中尾和輝, 大西厚徳, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
純Cuおよび純Al中のΣ3,3,9対応粒界三重線におけるクリープ損傷,
日本金属学会2020年秋期講演(第167回)講演概要集, 303, 2020年9月. 坂東賢哉, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 小林幸雄, 伊藤元雄 :
ダイヤモンド単結晶表面へのフェムト秒レーザ照射誘起改質導入とホウ素イオン注入,
日本金属学会中国四国支部第60回講演大会講演概要集, B05, 2020年8月. 中尾和輝, 森本博己, 川口克哉, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9三重線を有する純銅および純アルミニウム三重結晶のクリープ破壊,
日本金属学会中国四国支部第60回講演大会講演概要集, B04, 2020年8月. 坂東賢哉, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 小林幸雄, 伊藤元雄 :
フェムト秒レーザ照射したダイヤモンド表面へのホウ素イオン注入,
2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, Cp-2, 2020年8月. 渕上裕暉, 薮内麻由, 宮本美佑, 二村大, 山口誠, 岡田達也, 富田卓朗 :
走査型電子顕微鏡を用いたフェムト秒レーザー加工過程のパルス分解観察,
第80回応用物理学会秋季学術講演会講演概要集, 18p-N304-8, 2019年9月. 久澤大夢, 岡田達也 :
Ti/Al比によって格子ミスフィットを制御した Ni基合金におけるγ′相の析出形態の定量解析,
日本金属学会2019年秋期(第165回)講演大会講演予稿集, 282, 2019年9月.

(キーワード): Ni基超合金 / 格子ミスフィット / 画像処理 (image processing) / Ti/Al比

長野慎也, 岡田達也, 久澤大夢 :
Ni基合金におけるマイクロメカニクスを用いたγ′相の析出形態に影響を及ぼす要素の抽出,
日本金属学会中国四国支部第59回講演大会講演概要集, A06, 2019年8月. 森本博己, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
純銅Σ3,3,9対応粒界三重線近傍のクリープ変形初期段階,
日本金属学会中国四国支部第59回講演大会講演概要集, B04, 2019年8月. 水尾優作, 渕上裕暉, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也 :
SiC単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi電極の作製,
日本金属学会中国四国支部第59回講演大会講演概要集, B08, 2019年8月. 川口克哉, 岩﨑旭紘, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9対応粒界を有するアルミニウム三重結晶のクリープ変形初期段階,
日本金属学会中国四国支部第59回講演大会講演概要集, A02, 2019年8月. 内田健介, 今垣諒彌, 植木智之, 久澤大夢, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘 :
ダイヤモンド単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質とTiの反応,
日本金属学会中国四国支部第59回講演大会講演概要集, B25, 2019年8月. 内田健介, 今垣諒彌, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
ダイヤモンド単結晶表面に導入したフェムト秒レーザ照射誘起改質とTi薄膜の反応,
2019年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集, Fa-7, 2019年7月. 水尾優作, 渕上裕暉, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射誘起改質を導入したSiC単結晶上Ni電極の特性評価,
2019年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集, Fp-4, 2019年7月. 片山裕之, 直井美貴, 岡田達也, 田中康弘, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー照射による結晶改質がp-GaNへのオーミックコンタクトに与える影響,
第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-W631-12, 2019年3月. 水尾優作, 渕上裕暉, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也 :
フェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi/SiC界面における電極形成,
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集, 9a-W631-2, 2019年3月. 久澤大夢, 岡田達也 :
Ni基合金におけるγ′析出相の分散に及ぼす格子ミスフィットの影響,
日本金属学会2018年秋期(第163回)講演大会概要集, 57, 2018年9月. 岩﨑旭紘, 網本翔太, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9粒界を有する純Alおよび純Cu三重結晶における粒界すべり,
日本金属学会2018年秋期講演大会講演概要集, 91, 2018年9月. 富田卓朗, 竹中一将, 板東洋太, 滝谷悠介, 山口誠, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也 :
表面局在した格子振動に由来するSiCのラマンスペクトル,
日本物理学会2018年秋季大会, 11aPS36, 2018年9月. 岩﨑旭紘, 網本翔太, 植木智之, 久澤大夢, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9粒界を有する純Alおよび純Cu三重結晶のクリープ変形,
日本金属学会中国四国支部第58講演大会講演概要集, 52, 2018年8月. 渕上裕暉, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 田中康弘 :
フェムト秒レーザ照射改質の導入によるNi/SiC界面のNiシリサイド形成,
日本金属学会中国四国支部第58回講演大会講演概要集, 26, 2018年8月. 今垣諒彌, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 田中康弘 :
ダイヤモンド表面へのフェムト秒レーザ照射改質の導入によるTi/ダイヤモンド界面反応,
日本金属学会中国四国支部第58回講演大会講演概要集, 25, 2018年8月. 今垣諒彌, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 田中康弘 :
フェムト秒レーザ照射改質を導入したダイヤモンド表面へのTi蒸着,
2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 5, 2018年8月. 渕上裕暉, 植木智之, 富田卓朗, 久澤大夢, 岡田達也, 田中康弘 :
4H-SiC表面へのフェムト秒レーザ照射改質導入によるNi/SiC界面反応の促進,
2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集, 4, 2018年8月. 渕上裕暉, 橋本拓哉, 川上博貴, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘 :
フェムト秒レーザ誘起改質を応用したNi/SiC界面における低温拡散,
第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集, 19p-A404-9, 2018年3月. 片山裕之, 川上博貴, 今垣諒彌, 橋本拓哉, 山口誠, 田中康弘, 直井美貴, 岡田達也, 富田卓朗 :
p-GaN上オーミック電極形成のためのフェムト秒レーザー照射方法の検討,
第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-A404-11, 2018年3月. 竹中一将, 板東洋太, 滝谷悠介, 山口誠, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗 :
サブミクロン厚4H-SiCにおけるラマンスペクトルの極性面依存性,
第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集, 18p-B203-17, 2018年3月. 竹中一将, 板東洋太, 滝谷悠介, 山口誠, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗 :
SiCのサブミクロン厚領域におけるラマンスペクトルの数値計算,
第28回光物性研究会, IIA-68, 2017年12月. 竹中一将, 板東洋太, 滝谷悠介, 山口誠, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗 :
サブミクロン厚SiCにおける極性面に依存したラマンスペクトル,
先進パワー半導体分科会第4回講演会, IIA-20, 2017年11月. 二村大, 川上博貴, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘 :
フェムト秒レーザ照射によるダイヤモンド単結晶表面への改質導入とアニールに伴う変化,
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 7p-S45-12, 2017年9月. 二村大, 川上博貴, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘 :
ダイヤモンド単結晶表面へのフェムト秒レーザ照射による改質導入,
日本金属学会第57回中国四国支部講演大会講演概要集, A21, 2017年8月. 網本翔太, 髙田大輔, 植木智之, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9対応粒界を有する銅およびアルミニウム三重結晶の焼鈍に伴う粒界挙動,
日本金属学会第57回中国四国支部講演大会講演概要集, B11, 2017年8月. 二村大, 川上博貴, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也, 田中康弘 :
ダイヤモンド単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質,
2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 55, 2017年7月. 板東洋太, 滝谷悠介, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗 :
極薄SiCにおけるラマンスペクトルの極性面及び膜厚依存性,
第27回光物性研究会論文集, Vol.27, 19-22, 2016年12月. 板東洋太, 竹中一将, 滝谷悠介, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗 :
極薄SiCにおけるラマンスペクトルの極性面依存性,
2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 44, 2016年7月. 政井勇輝, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也 :
Al/ダイヤモンド単結晶界面へのフェムト秒レーザ照射に伴う微細周期構造形成,
2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 27, 2016年7月. 橋本拓哉, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也 :
SiC単結晶上に電子ビーム蒸着したニッケル薄膜の双晶化,
2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 26, 2016年7月. 滝谷悠介, 近藤健太, 直井美貴, 富田卓朗, 岡田達也 :
レーザー支援アニールによるNi/SiC界面でのニッケルシリサイド形成及び炭素拡散,
公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第2回講演会, Vol.2, 148, 2015年11月. 滝谷悠介, 近藤健太, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也 :
Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成,
日本金属学会2015年秋期講演大会(第157回)概要集, 80, 2015年9月. 滝谷悠介, 近藤健太, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也 :
フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール,
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 13p-2F-10, 2015年9月. 滝谷悠介, 近藤健太, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也 :
Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散,
日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, 52, 2015年8月. 南俊介, 植木智之, 岡田達也 :
{112}板面アルミニウム単結晶の<110>方向せん断変形による変形帯形成,
日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, 36, 2015年8月. 髙田大輔, 植木智之, 岡田達也 :
<110>傾角Σ3,3,9アルミニウム三重結晶の引張変形および焼鈍による粒界挙動,
日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, 35, 2015年8月. 出来真斗, 近藤健太, 柳田栄造, 板東洋太, 森本和樹, 岡田達也, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー支援アニールによるNi/SiC界面の低温シリサイド化,
応用物理学会先進パワー半導体分科会第1回講演会, 114, 2014年11月. 森本和樹, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
Ni/SiC界面へのfsレーザ照射によるひずみ導入と低温アニール,
日本金属学会2014年秋期講演大会, 213, 2014年9月. 佐藤崇史, 加藤慎也, 植木智之, 岡田達也 :
<110>方位溝付き銅単結晶試験片の変形と再結晶,
日本金属学会2014年秋期講演大会, 235, 2014年9月. 近藤健太, 柳田栄造, 板東洋太, 出来真斗, 岡田達也, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC 界面反応の物性解析,
第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.75, 03-225, 2014年9月. 森本和樹, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
Ni/SiC 界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールによるNi 拡散の促進,
第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.75, 03-224, 2014年9月. 佐藤崇史, 植木智之, 岡田達也 :
銅単結晶のせん断変形とキンク帯形成,
日本金属学会中国四国支部第54回講演大会講演概要集, 8, 2014年8月. 佐藤崇史, 植木智之, 岡田達也 :
<110>方位溝付き銅単結晶試験片の引張変形と再結晶,
日本金属学会中国四国支部第54回講演大会講演概要集, 7, 2014年8月. 森本和樹, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
fsレーザ照射によるSiC中へのひずみ導入と低温アニールに伴うNi拡散,
日本金属学会中国四国支部第54回講演大会講演概要集, 6, 2014年8月. 森本和樹, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールに伴う変化,
2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部講演予稿集, 62, 2014年7月. 森本和樹, 植木智之, 岡田達也 :
4H-SiC単結晶に蒸着したNi薄膜のアニールに伴う変化,
日本金属学会中国四国支部第53回講演大会講演概要集, 35, 2013年8月. 長谷香奈美, 植木智之, 岡田達也 :
<111>引張アルミニウム単結晶における変形および内部転位組織と再結晶,
日本金属学会第53回中国四国支部講演大会講演概要集, 42, 2013年8月. 森本和樹, 植木智之, 岡田達也 :
アニール前後におけるNi/SiC界面の変化,
2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部講演予稿集, 102, 2013年7月. 加藤慎也, 大坪啓視, 植木智之, 岡田達也 :
銅単結晶の不均一変形領域近傍に形成する初期段階の再結晶粒方位,
2012年秋期講演大会講演概要, 670, 2012年9月. 横田洋輝, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
4H-SiC単結晶内部における円偏光フェムト秒レーザ照射誘起欠陥,
日本金属学会中国四国支部第52回講演大会講演概要集, 71, 2012年8月. 河野智哉, 植木智之, 岡田達也 :
均一変形方位アルミニウム単結晶の再結晶挙動,
日本金属学会中国四国支部第52回講演大会講演概要集, 65, 2012年8月. 加藤慎也, 植木智之, 岡田達也 :
銅単結晶における不均一変形領域に形成した再結晶粒方位,
日本金属学会中国四国支部第52回講演大会講演概要集, 64, 2012年8月. 上島隆伸, 植木智之, 岡田達也 :
均一変形方位銅単結晶における内部転位組織,
日本金属学会中国四国支部第52回講演大会講演概要集, 63, 2012年8月. 横田洋輝, 植木智之, 富田卓朗, 岡田達也 :
円偏光フェムト秒レーザー照射による4H-SiC単結晶内部の欠陥形成,
2012年度支部学術講演会講演予稿集, 16, 2012年7月. 城鮎美, 岡田達也, 菖蒲敬久, 河野智哉, 文屋宏友 :
アルミニウム単結晶における残留応力と再結晶挙動に関する研究,
日本材料学会第46回X線材料強度に関するシンポジウム, 2012年7月. 植木智之, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
4H-SiC単結晶内部におけるフェムト秒レーザ誘起欠陥の照射条件依存性,
日本金属学会2012年春期(第150回)大会講演概要集, 283, 2012年3月. 植木智之, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
4H-SiC 単結晶内部において形成するフェムト秒レーザ照射誘起欠陥,
第59 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 04-271, 2012年3月. 文屋宏友, 北口貴之, 植木智之, 岡田達也 :
<111>引張アルミニウム単結晶の薄片焼鈍による再結晶,
日本金属学会中国四国支部第51回講演大会講演概要集, 24, 2011年8月. 中村公俊, 植木智之, 岡田達也 :
ねじり粒界を有する銅双結晶における再結晶,
日本金属学会中国四国支部第51回講演大会講演概要集, 23, 2011年8月. 柏野亮太, 篠岡幸臣, 植木智之, 岡田達也 :
SiC単結晶内部に形成したレーザ誘起欠陥のアニールによる改質,
日本金属学会中国四国支部第51回講演大会講演概要集, 22, 2011年8月. 伊藤研一, 大坪啓視, 植木智之, 岡田達也 :
銅単結晶の変形帯における再結晶粒形成初期段階,
日本金属学会中国四国支部第51回講演大会講演概要集, 21, 2011年8月. 柏野亮太, 伊藤拓人, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
SiC単結晶内部に形成したレーザ誘起微細周期構造のアニールによる変化,
応用物理学会中国四国支部2011年度支部学術講演会講演予稿集, 134, 2011年7月. 城鮎美, 岡田達也, 英崇夫, 菖蒲敬久 :
塑性変形させた金属双結晶残留応力/ひずみ測定,
中性子・放射光による材料強度評価に関する研究会, 2011年3月. 田上稔, 岡田達也, 猪子富久治 :
<112>軸90°ねじり粒界アルミニウム双結晶における再結晶粒の方位,
日本金属学会2010年秋期(第147回)大会, 2010年9月. 山畑隆史, 高木大樹, 田上稔, 岡田達也 :
<111>引張変形を加えたアルミニウム単結晶における再結晶粒形成,
日本金属学会2010年秋期(第147回)大会, 2010年9月. 田井宏典, 大坪啓視, 田上稔, 岡田達也 :
ねじり粒界を有する銅双結晶の引張変形と再結晶,
日本金属学会2010年秋期(第147回)大会, 2010年9月. 城鮎美, 岡田達也, 英崇夫, 菖蒲敬久 :
銅双結晶における残留応力測定,
日本金属学会2010年秋期(第147回)大会, 2010年9月. 高橋智則, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
4H-SiC単結晶内部におけるフェムト秒レーザ誘起周期構造,
日本金属学会2010年秋期(第147回)大会講演概要集, 360, 2010年9月. 高橋智則, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
4H-SIC単結晶内部におけるフェムト秒レーザ誘起周期構造の3次元可視化,
2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会講演予稿集, 15a-L6, 2010年9月. 大坪啓視, 田上稔, 岡田達也 :
引張変形した銅双結晶のねじり粒界近傍における再結晶,
日本金属学会中国四国支部第50回講演大会概要集, 54, 2010年8月. 高木大樹, 田上稔, 岡田達也 :
<111>引張アルミニウム単結晶における再結晶粒形成,
日本金属学会中国四国支部第50回講演大会概要集, 53, 2010年8月. 篠岡幸臣, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
4H-SiC単結晶内部におけるフェムト秒レーザ誘起周期構造の照射条件依存性,
日本金属学会中国四国支部第50回講演大会概要集, 55, 2010年8月. 篠岡幸臣, 山本稔, 出来真斗, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
4H-SiC単結晶内部へのフェムト秒レーザ照射により誘起される微細周期構造の形態,
2010年度応用物理学会中国四国支部学術講演会講演予稿集, 17, 2010年7月. 高橋智則, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
4H-SiC単結晶内部に形成したフェムト秒レーザ誘起周期構造の3次元イメージング,
2010年度応用物理学会中国四国支部学術講演会講演予稿集, 16, 2010年7月. 山本稔, 出来真斗, 高橋智則, 富田卓朗, 岡田達也, 松尾繁樹, 橋本修一, 山口誠, 中川圭, 上原信知, 釜野勝 :
ラマン分光法による4H-SiC内部へのフェムト秒レーザー誘起ひずみ層形成過程の解明,
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集, Vol.18, 84-85, 2009年12月. 山本稔, 出来真斗, 高橋智則, 富田卓朗, 岡田達也, 松尾繁樹, 橋本修一, 山口誠, 中川圭, 上原信知, 釜野勝 :
ラマン分光測定を用いた4H-SiCにおけるフェムト秒レーザー内部改質部の応力評価,
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会・講演予稿集, 1056, 2009年9月. 岡田達也, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 高橋智則 :
フェムト秒レーザ照射により誘起された4H-SiC単結晶内部における周期構造の偏光依存性,
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会・講演予稿集, 1049, 2009年9月. 高橋智則, 岡田達也, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 石田陽一郎, 木山聡 :
4H-SiC単結晶内部におけるフェムト秒レーザ誘起周期構造のパルスエネルギー依存性,
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会・講演予稿集, 1048, 2009年9月. 高橋智則, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 岡田達也 :
4H-SiC単結晶内部へのフェムト秒レーザ照射による周期構造形成,
日本金属学会中国四国支部第49回講演大会講演概要集, 59, 2009年8月. 高橋智則, 岡田達也, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一 :
4H-SiC単結晶内部へのフェムト秒レーザ照射に伴う微細周期構造の断面TEM観察,
応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会講演予稿集, 27, 2009年8月. 城鮎美, 英崇夫, 岡田達也 :
銅双結晶の粒界近傍の残留応力測定,
日本材料学会第58期学術講演会, 2009年5月. 岡田達也, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 石田陽一郎, 木山聡, 高橋智則 :
4H-SiC単結晶内部におけるフェムト秒レーザ誘起周期構造,
第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1175, 2009年4月. 富田卓朗, 岡田達也, 河原啓之, 熊井亮太, 松尾繁樹, 橋本修一, 山口誠, 上野滋, 川本昌子, 新藤恵美, 吉田明 :
顕微ラマン分光およびTEM/EELSによるレーザー誘起表面ナノ構造の解析,
日本物理学会年次大会, Vol.64, No.4, 749, 2009年3月. 富田卓朗, 岡田達也, 河原啓之, 熊井亮太, 松尾繁樹, 橋本修一, 山口誠, 上野滋, 川本昌子, 新藤恵美, 吉田明 :
フェムト秒レーザー照射による4H-SiC改質部のTEM観察とラマン分光,
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集, Vol.17, 125-126, 2008年12月. 岡田達也, 河原啓之, 熊井亮太, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 山口誠, 川本昌子 :
フェムト秒レーザ照射により誘起された4H-SiC表面周期構造の断面TEM観察,
日本金属学会2008年春期大会講演概要, 342, 2008年3月. 富田卓朗, 河原啓之, 熊井亮太, 川本昌子, 山口誠, 岡田達也, 松尾繁樹, 橋本修一 :
レーザー誘起ナノ周期構造の断面形状と物性解析,
日本物理学会年次大会, Vol.63, 742, 2008年3月. 河原啓之, 岡田達也, 熊井亮太, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 山口誠 :
フェムト秒レーザーを照射した4H-SiC単結晶表面における構造変化のTEM観察,
第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1206, 2007年3月. 松尾繁樹, 富田卓朗, 橋本修一, 岡田達也, ヨードカシスサウリウス, 三澤弘明 :
感光性を付与されていない透明固体材料の内部加工,
レーザ学会第356回研究会報告, 47-51, 2006年12月. 越智謙吾, 富田卓朗, 岡田達也, 山口誠, 東嶺孝一, 木本恒暢 :
4H-SiC基板/エピ膜界面における表面欠陥の起源のTEM観察,
第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 370, 2006年8月. 河原啓之, 富田卓朗, 岡田達也, 東嶺孝一, 山口誠, 木本恒暢 :
4H-SiC基板/エピ膜界面に存在するエピ膜表面欠陥の起源のTEM観察,
2006年度応用物理学会中国四国支部学術講演会講演予稿集, 138, 2006年7月. 松尾繁樹, 富田卓朗, 橋本修一, 岡田達也, ヨードカシスサウリウス, 三澤弘明 :
フェムト秒レーザーによる透明固体材料の内部加工,
第66回レーザ加工学会講演論文集, 2006年6月. 富田卓朗, 松尾繁樹, 岡田達也, 木本恒暢, 三谷武志, 中島信一 :
4H-SiCホモエピタキシャル膜におけるコメット欠陥の深紫外顕微ラマン分光法による解析,
第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 306, 2005年9月. 岡田達也, 木本恒暢, 松波弘之 :
SiCエピ欠陥のTEM解析,
第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.0, 137, 2005年3月.

(要約): 4H-SiCの(0001)オフカット基板上にCVD法によりエピ膜を成長させる技術は，高効率パワーデバイス実現に対して不可欠なものであるが，エピ成長の際に，様々な形状の表面欠陥が導入される場合があり，ダイオードの耐圧などのデバイス性能を低下させることが知られている．表面欠陥の導入部分は，基板/エピ膜界面に存在することが確実なので，エピ膜の大部分をプラズマエッチングにより除去して，0.3μm程度の厚みを残した後に，基板側から平面TEM試料を作製し，観察を行った．その結果，「キャロット欠陥」と呼ばれる表面欠陥の一種には，ジルコニア粒子が伴うことを，TEM/EDX分析および制限視野回折像により明らかにした．

研究会・報告書

辻颯太, 関宏都, 河野太洋, 岡田達也, 富田卓朗 :
GaN上でのピコ秒レーザー照射による新奇合金の形成,
2023年度応用物理学会中四国支部若手半導体研究会, P-10, 2023年11月. 富田卓朗, 岡田達也, 河原啓之, 熊井亮太, 松尾繁樹, 橋本修一, 山口誠, 上野滋, 川本昌子, 新藤恵美, 吉田明 :
SiCへのフェムト秒レーザー照射によって誘起されたアモルファス相の分析,
励起ナノプロセス研究会, Vol.4, P-11, 2008年11月. 猪子富久治, 岡田達也, 樫原恵蔵 :
FCCおよびBCCバルク単結晶における再結晶粒の形成に及ぼす自由表面の影響,
再結晶·集合組織とその組織制御への応用, 82-83, 1999年3月.

(要約): FCC金属およびBCC金属に生じる再結晶粒の多くは，マトリックスの方位に対して，それぞれ<111>軸および<110>軸回りに回転する方位関係になっている．これは，結晶内部においても同様である．BCC金属の場合は，結晶の表面と裏面では，再結晶粒の回転方向が逆になる結果が得られている．また，結晶の内部は，表面に比べて再結晶粒の形成が遅れる傾向にあるが，再結晶粒の方位が表面と大きく異なるわけではない．これらの結果は，再結晶核の転位モデルにより解釈できる．

特許: 研究者総覧に該当データはありませんでした。
作品: 研究者総覧に該当データはありませんでした。
補助金・競争的資金: ダイヤモンド表面へのフェムト秒レーザー照射改質導入によるイオン注入容易化 (研究課題/領域番号: 19K05033 )
フェムト秒レーザー光照射によるワイドバンドギャップ半導体と金属界面の非熱的合金化 (研究課題/領域番号: 17H03147 )
フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案 (研究課題/領域番号: 15K06466 )
SiC/金属界面レーザーアニールプロセスの動的モニタリング (研究課題/領域番号: 26630132 )
単結晶応力測定を基盤とする変形・再結晶の新しい理解 (研究課題/領域番号: 23560088 )
ミクロな視点から覗く結晶界面の変形拘束 (研究課題/領域番号: 21560095 )
シリコンカーバイドのエピ膜上に形成される表面欠陥の起源の解明とその除去方法の開発 (研究課題/領域番号: 16560009 )
ミクロ組織解析から構築した珪素鋼の集合組織形成機構の基礎的研究 (研究課題/領域番号: 12750642 )
リサイクル性の良い単純な成分構成をもつステンレス鋼の組織制御に関する基礎的研究 (研究課題/領域番号: 10750528 )
研究者番号（20281165）による検索

その他: 研究者総覧に該当データはありませんでした。

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2024年11月15日更新

専門分野・研究分野: 組織制御
結晶欠陥 (Crystallographic Defect)
所属学会・所属協会: 社団法人日本金属学会
日本機械学会
社団法人日本鉄鋼協会
応用物理学会
委員歴・役員歴: 社団法人日本金属学会 (会報編集委員 [1999年4月〜2001年3月], 第5分科会委員 [2003年4月〜2005年3月], 会報編集委員 [2003年4月〜2005年3月], 第1分科会委員 [2007年4月〜2009年3月], 中国四国支部評議員 [2010年4月〜2012年3月], 評議員 [2010年4月〜2012年3月], 代議員 [2015年4月〜2017年3月], 中国四国支部長 [2023年4月〜2025年3月], 会誌編集委員会・欧文誌編集委員会編集委員 [2024年4月〜2026年4月])
日本機械学会 (商議員，地区幹事 [2013年4月〜2015年3月])
社団法人日本鉄鋼協会 (中国四国支部幹事 [2002年4月〜2004年3月], 中国四国支部評議員 [2005年4月〜2007年3月], 中国四国支部理事 [2007年4月〜2011年3月], 中国四国支部幹事 [2013年4月〜2015年3月], 中国四国支部幹事 [2015年4月〜2017年3月])
受賞: 2002年6月, 中国四国支部優秀論文賞 (社団法人軽金属学会)
2004年3月, THE TEACHER OF THE YEAR (工学部)
2007年3月, THE TEACHER OF THE YEAR (工学部)
2010年3月, THE TEACHER OF THE YEAR (工学部)
2013年3月, THE TEACHER OF THE YEAR (工学部)
2016年3月, THE TEACHER OF THE YEAR (工学部)
2019年3月, THE TEACHER OF THE YEAR (理工学部)
2023年3月, THE TEACHER OF THE YEAR (理工学部)
活動: 研究者総覧に該当データはありませんでした。

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2024年11月10日更新

2024年11月9日更新

Ｊグローバル

Jグローバル最終確認日: 2024/11/9 01:18
氏名（漢字）: 岡田達也
氏名（フリガナ）: オカダタツヤ
氏名（英字）: Okada Tatsuya
所属機関: 徳島大学

リサーチマップ

researchmap最終確認日: 2024/11/10 01:26
氏名（漢字）: 岡田達也
氏名（フリガナ）: オカダタツヤ
氏名（英字）: Okada Tatsuya
プロフィール: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
登録日時: 2005/10/13 00:00
更新日時: 2024/10/23 13:35
アバター画像URI: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
ハンドル: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
eメール: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
eメール（その他）: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
携帯メール: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
性別: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
没年月日: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
所属ID: 0344005002
所属: 徳島大学
部署: 大学院社会産業理工学研究部理工学域機械科学系
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学位: Ph.D.
学位授与機関: McMaster University
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科研費研究者番号: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
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経歴
受賞: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
Misc
論文
講演・口頭発表等: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
書籍等出版物: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
研究キーワード
研究分野
所属学協会
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特許: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
学歴
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社会貢献活動: リサーチマップAPIで取得できませんでした。

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2024年11月9日更新

研究者番号: 20281165

所属（現在）: 2024/4/1 : 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授

所属（過去の研究課題 情報に基づく）*注記: 2017/4/1 – 2021/4/1 : 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授
2016/4/1 : 徳島大学, 大学院理工学研究部, 教授
2015/4/1 : 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 教授
2011/4/1 – 2015/4/1 : 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授
2010/4/1 – 2011/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授
2007/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授
2006/4/1 : 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 助教授
2004/4/1 – 2005/4/1 : 徳島大学, 工学部, 助教授
2001/4/1 : 徳島大学, 工学部, 助教授
1998/4/1 – 2000/4/1 : 徳島大学, 工学部, 講師

審査区分/研究分野

研究代表者

工学 / 材料工学 / 材料加工・処理
理工系 / 工学 / 機械工学 / 機械材料・材料力学
理工系 / 工学 / 応用物理学・工学基礎 / 応用物性・結晶工学
理工系 / 工学 / 材料工学 / 複合材料・表界面工学
小区分26030:複合材料および界面関連

研究代表者以外

理工系 / 工学 / 機械工学 / 機械材料・材料力学
理工系 / 工学 / 電気電子工学 / 電子・電気材料工学

キーワード

研究代表者

再結晶 / 集合組織 / すべり変形 / 単結晶 / ステンレス鋼 / 引張変形 / 回復・再結晶 / 再結晶粒核形成 / <110>回転メカニズム / 変形帯 / Fe-Si合金 / 変形 / 組織制御 / 粒界移動 / 残留応力 / 塑性変形 / 残留応力測定 / シリコンカーバイド(SiC) / ホモエピタキシャル成長 / 表面欠陥 / 透過電子顕微鏡(TEM) / 結晶欠陥 / フェムト秒レーザ / リップル構造 / アモルファス化 / リップ構造 / シリコンカーバイド / ジルコニア粒子 / 4H-SiC / エピ成長 / 内部欠陥 / 透過型電子顕微鏡 / 特性X線分析 / silicon carbaide (SiC) / homoepitaxial growth / surface defect / transmission electron microscopy (TEM) / crystallographic defect / femto second laser / ripple structure / amorphization / フェムト秒レーザー / 電極 / SiC / 相互拡散 / ダイヤモンド / 双晶化 / リップル / イオン注入 / ダイヤモンド単結晶 / 透過電子顕微鏡 / レーザー照射誘起改質 / ホウ素イオン注入 / ２次イオン質量分析 / 表面改質

研究代表者以外

銅双結晶 / アルミニウム3重結晶 / 結晶粒界 / 微視的残留応力 / 放射光応力測定 / 中性子応力測定 / X線応力測定 / 単結晶応力測定 / アルミニウム / 3重結晶 / 双結晶変形 / 変形拘束 / レーザーアニール / モニタリング / SiC / 金属電極 / 合金化 / フェムト秒レーザー / レーザー加工・改質 / シリコンカーバイド / 窒化ガリウム / ワイドバンドギャップ半導体 / ダイアモンド / レーザー合金化 / 界面合金化 / オーミック電極 / 窒化物半導体

研究課題研究成果共同研究者

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2019年9月30日

p型窒化物半導体へのオーミック電極作製技術の開発（富田卓朗）

富田卓朗岡田達也直井美貴久澤大夢髙島祐介

2019年11月12日

工業応用展開を可能とする最先端レーザ応用計測技術装置の開発（出口祥啓）

出口祥啓木戸口善行名田譲太田佳光岡田達也浮田浩行寺田賢治

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