| カテゴリー | 工学、理学、電気電子、機械、光応用、材料、物理学 |
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| 代表研究者 | 富田 卓朗 |
| 関連する研究者 | 岡田 達也 直井 美貴 久澤 大夢 髙島 祐介 |
| 研究概要 | p型窒化物半導体に金属電極を作製する手段として、フェムト秒レーザー光と呼ばれる強力な短パルス光を照射する手法を提案、実証する。平成29年度の選定クラスター『フェムト秒レーザー照射を応用したデバイス作製技術の開発』において、p型窒化物半導体への電極形成にフェムト秒レーザー照射が有効であることが明らかになった。この結果はLEDや半導体レーザーなどの窒化ガリウムを用いた光半導体市場と比べても一桁大きな市場が期待できるとされる窒化物半導体の電子バイス応用への大きな一歩となるものである。また、フェムト秒レーザーを用いたp型窒化物半導体への電極形成は従来のイオン注入を用いた方法と比較し、局所的に電極を作製できることから、窒化物半導体の光デバイスや電子デバイスへの展開の上で、ブレークスルーを引き起こす期待が大きい。
研究クラスターNo.1803010 |
| 研究者の役割分担 | 電極を作製する材料の選定、レーザー照射のための試料の準備は直井が担当する。フェムト秒レーザー照射は富田が担当し、照射によって改質された電極の電子顕微鏡観察は岡田と久澤が担当する。実際のデバイス実装に関しては直井と高島が協力して行う。特に、高島はLEDへの実装についての検討を行う。これら全ての研究について富田が総括するとともに全責任を負う。 |
| 研究期間 | 2018年4月1日〜2021年3月31日 |
| 産業界へのメッセージ | 10兆分の1秒という非常に短い時間に強力な光を発するフェムト秒レーザーを用いて、窒化物半導体と金属電極の界面を合金化することを目指しています。この技術は界面の新しい合金化手法として応用できる可能性があります。 |
