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直井美貴

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2024年11月15日更新

職名: 教授
電話: 088-656-7447
電子メール: naoi@tokushima-u.ac.jp
学歴: 1988/3: 徳島大学工学部電子工学科卒業
1990/3: 徳島大学大学院工学研究科電子工学専攻(修士課程)修了
1993/3: 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻博士課程後期3年の課程修了
学位: 博士(工学) (東北大学) (1993年3月)
職歴・経歴: 1993/4: 徳島大学工学部助手
1996/10: 徳島大学工学部講師
2003/3: 徳島大学工学部助教授
2006/4: 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部助教授
2007/4: 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部准教授
2013/3: 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部教授
2016/4: 徳島大学大学院理工学研究部教授
2017/4: 徳島大学大学院社会産業理工学研究部教授
2019/3: 徳島大学ポストLEDフォトニクス研究所教授(併任)
2020/4: 徳島大学大学院創成科学研究科教授(併任)

専門分野・研究分野: 半導体光デバイス
光工学

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専門分野・研究分野: 半導体光デバイス
光工学
担当経験のある授業科目: オリエンテーション1年 (学部)
フォトニックデバイス作製演習 (大学院)
プレゼンテーション技法(D) (大学院)
光デバイス特論 (大学院)
光半導体デバイス特論 (大学院)
理工学特別実習 (大学院)
科学技術論D (大学院)
電子物性工学 (学部)
電気磁気学1及び演習 (学部)
電気磁気学2及び演習 (学部)
電気電子システム特別研究 (大学院)
電気電子工学創成実験 (学部)
指導経験: 49人 (学士), 28人 (修士)

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専門分野・研究分野: 半導体光デバイス
光工学

研究テーマ: 半導体結晶成長と光デバイス開発 (窒化物, ワイドギャップ半導体, 光デバイス (optical device), 薄膜·結晶成長, 物性評価)

著書

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論文

Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Dynamic wide gamut color generation using highly lossy metal-based metal-dielectric-metal structure,
Applied Physics Express, Vol.17, No.7, 072005-1-072005-5, 2024.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 119535
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1882-0786/ad62d3
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.35848/1882-0786/ad62d3

(徳島大学機関リポジトリ: 119535, DOI: 10.35848/1882-0786/ad62d3) Yuusuke Takashima, Shunsuke Furuta, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Broadband Ag/SiO2/Fe/TiO2 ultrathin planar absorber with a wide acceptance angle from visible to near-infrared regions,
Optical Materials Express, Vol.14, No.3, 778-791, 2024.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics) / 電気電子材料 (electrical and electronic materials)
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 119044
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1364/OME.517239
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1364/OME.517239

(徳島大学機関リポジトリ: 119044, DOI: 10.1364/OME.517239) Tomita Atsushi, Miyagawa Takumi, Hirayama Hideki, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
Investigation of V/III ratio dependencies for optimizing AlN growth during reduced parasitic reaction in metalorganic vapor phase epitaxy.,
Scientific Reports, Vol.13, 3308.1-7, 2023.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 119114
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1038/s41598-023-30489-z
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1038/s41598-023-30489-z

(徳島大学機関リポジトリ: 119114, DOI: 10.1038/s41598-023-30489-z) Kentaro Nagamatsu, Miyagawa Takumi, Tomita Atsushi, Hirayama Hideki, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi :
High growth temperature for AlN by jet stream gas flow metalorganic vapor phase epitaxy.,
Scientific Reports, Vol.13, 2438, 2023.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 119075
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1038/s41598-023-29150-6
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1038/s41598-023-29150-6

(徳島大学機関リポジトリ: 119075, DOI: 10.1038/s41598-023-29150-6) Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Ultra-thin deep ultraviolet perfect absorber using an Al/TiO₂/AlN system,
Optics Express, Vol.30, No.24, 44229-44239, 2022.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 117757
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1364/OE.474847
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1364/OE.474847

(徳島大学機関リポジトリ: 117757, DOI: 10.1364/OE.474847) Kentaro Nagamatsu, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi :
Reduction of parasitic reaction in high temperature AlN growth by jet stream gas flow metal organic vapor phase epitaxy,
Scientific Reports, Vol.12, 7662, 2022.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 117388
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1038/s41598-022-10937-y
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1038/s41598-022-10937-y

(徳島大学機関リポジトリ: 117388, DOI: 10.1038/s41598-022-10937-y) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Numerical finite difference time domain calculation for extreme enhancement of magneto optical effect at ultraviolet wavelength using Ni subwavelength grating on SiO2/Ni structure,
Optical Review, Vol.29, No.1, 62-67, 2022.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 116760
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s10043-021-00711-2
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1007/s10043-021-00711-2

(徳島大学機関リポジトリ: 116760, DOI: 10.1007/s10043-021-00711-2) Yuusuke Takashima, Atsuki Sasada, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Design of AlN-subwavelength grating for deep ultraviolet wavelength reflector operating at 244 nm of wavelength,
Proceedings of SPIE, Vol.11926, 1192618-1-1192618-4, 2021.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 116674
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.2616175
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85120469004

(徳島大学機関リポジトリ: 116674, DOI: 10.1117/12.2616175, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Highly reflective visible color filter based on a double layer TiO2 subwavelength structure,
Optical Materials Express, Vol.11, No.8, 2712-2721, 2021.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 116127
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1364/OME.433431
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1364/OME.433431

(徳島大学機関リポジトリ: 116127, DOI: 10.1364/OME.433431) Kozo Sugimoto, Shigeki Matsuo and Yoshiki Naoi :
Inscribing diffraction grating inside silicon substrate using a subnanosecond laser in one photon absorption wavelength,
Scientific Reports, Vol.10, 21451, 2020.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 115528
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1038/s41598-020-78564-z
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85097287927

(徳島大学機関リポジトリ: 115528, DOI: 10.1038/s41598-020-78564-z, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Kohei Moriiwa, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Optical detection for magnetic field using Ni-subwavelength grating on SiO2/thin-film Ag/glass structure,
Scientific Reports, Vol.10, 19298, 2020.

(要約): An optical sensor for magnetic field detection using Ni-subwavelength grating (SWG) on SiO/Ag-thin-film/glass substrates was experimentally developed on the basis of the re-radiation condition of surface-plasmon-polaritons (SPPs) at Ag surfaces. The fabricated sample showed two dips in the reflection spectra associated with SPP excitation, and the optical response exhibited good agreement with that simulated by the finite-difference time-domain method. The reflectivity at one of the dip wavelengths varied minimally with the application of the magnetic field, whereas that at the other dip wavelength significantly decreased owing to the large electric field overlap of SPP with the magnetized Ni-SWG. As a result, a magnetic field on the order of a few mT could be detected with a simple normal-incidence optical system.
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 115419
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1038/s41598-020-74202-w
(文献検索サイトへのリンク): ● PubMed @ National Institutes of Health, US National Library of Medicine (PMID): 33168843; ● Search Scopus @ Elsevier (PMID): 33168843; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1038/s41598-020-74202-w

(徳島大学機関リポジトリ: 115419, DOI: 10.1038/s41598-020-74202-w, PubMed: 33168843) Yua Okano, Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Magnetically tunable visible reflectivity utilizing the electron accumulation in indium-tin-oxide waveguide layer with subwavelength grating,
Proceedings of SPIE, Vol.11467, 114671U-1-114671U-7, 2020.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 115147
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.2568382
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85091964007

(徳島大学機関リポジトリ: 115147, DOI: 10.1117/12.2568382, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
GaN-Based High-Contrast Grating for Refractive Index Sensor Operating BlueViolet Wavelength Region,
Sensors, Vol.20, No.16, 4444-1-4444-12, 2020.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 115150
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.3390/s20164444
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.3390/s20164444

(徳島大学機関リポジトリ: 115150, DOI: 10.3390/s20164444) Yuusuke Takashima, Kouhei Moriiwa, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Ni subwavelength grating/SiO2/Ag based optical magnetic field sensor with normal incident geometry,
Proceedings of SPIE, Vol.11089, 11089V-1-11089V-6, 2019.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 113719
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.2529017
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1117/12.2529017

(徳島大学機関リポジトリ: 113719, DOI: 10.1117/12.2529017) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Dual-wavelengths filter operating at visible wavelength region using subwavelength grating on waveguide structure,
Optical Review, Vol.26, No.5, 466-471, 2019.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 113814
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s10043-019-00541-3
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1007/s10043-019-00541-3

(徳島大学機関リポジトリ: 113814, DOI: 10.1007/s10043-019-00541-3) Yuusuke Takashima, Keita Kusaba, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Highly Sensitive Refractive Index Sensor Using Dual Resonance in Subwavelength Grating/Waveguide With Normally Incident Optical Geometry,
IEEE Sensors Journal, Vol.19, No.15, 6147-6153, 2019.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 113453
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1109/JSEN.2019.2910585
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1109/JSEN.2019.2910585

(徳島大学機関リポジトリ: 113453, DOI: 10.1109/JSEN.2019.2910585) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Optical magnetic field sensor based on guided mode resonance with Ni subwavelength grating/ waveguide structure,
Proceedings of SPIE, Vol.10928, 109281S-1-109281S-8, 2019.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 113100
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.2509490
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1117/12.2509490

(徳島大学機関リポジトリ: 113100, DOI: 10.1117/12.2509490) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Highly sensitive magnetic field sensor with normal-incidence geometry using Ni-based bilayer subwavelength periodic structure operating in visible-wavelength region,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.8S2, 08PE01-1-08PE01-5, 2018.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 112173
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.57.08PE01
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/JJAP.57.08PE01

(徳島大学機関リポジトリ: 112173, DOI: 10.7567/JJAP.57.08PE01) Hiroki Kawakami, Yoshiki Naoi and Takuro Tomita :
Femtosecond laser-assisted thermal annealing of Ni electrode on SiC substrate,
AIP Advances, Vol.8, No.6, 065204-1-065204-5, 2018.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 111814
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/1.5036804
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85048129118

(徳島大学機関リポジトリ: 111814, DOI: 10.1063/1.5036804, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
High-sensitivity refractive index sensor with normal incident geometry using a subwavelength grating operating near the ultraviolet wavelength,
Sensors and Actuators B: Chemical, Vol.255, No.2, 1711-1715, 2018.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 112172
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.snb.2017.08.185
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.snb.2017.08.185

(徳島大学機関リポジトリ: 112172, DOI: 10.1016/j.snb.2017.08.185) Yuusuke Takashima, Masato Tanabe, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Ultraviolet polarizer with a Ge subwavelength grating,
Applied Optics, Vol.56, No.29, 8224-8229, 2017.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 112171
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1364/AO.56.008224
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1364/AO.56.008224

(徳島大学機関リポジトリ: 112171, DOI: 10.1364/AO.56.008224) Takuro Tomita, Manato Deki, Eizo Yanagita, Yota Bando, Yoshiki Naoi, Takahiro Makino and Takeshi Ohshima :
Femtosecond-Laser-Induced Defects on Silicon Carbide Probed by Electrical Conductivity,
Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.12, No.2, 72-75, 2017.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2961/jlmn.2017.02.0004
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85029502848

(DOI: 10.2961/jlmn.2017.02.0004, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Masato Tanabe, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Theoretical investigation of polarization control in ultraviolet wavelength region using eigenmode within subwavelength grating,
Optical Review, Vol.24, No.1, 80-86, 2017.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 112170
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s10043-016-0293-8
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84996879650

(徳島大学機関リポジトリ: 112170, DOI: 10.1007/s10043-016-0293-8, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Masato Tanabe, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Highly polarized emission from a GaN-based ultraviolet light-emitting diode using a Si-subwavelength grating on a SiO₂ underlayer,
Optics Communications, Vol.369, 38-43, 2016.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 112169
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.optcom.2016.02.027
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.optcom.2016.02.027

(徳島大学機関リポジトリ: 112169, DOI: 10.1016/j.optcom.2016.02.027) Yun Jeong Choi, Yoshiki Naoi and Takuro Tomita :
Self-organization of highly ordered honeycomb buckling patterns in crystalline thin films,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, No.10, 105502-1-105502-5, 2015.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.54.105502
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84943327917

(DOI: 10.7567/JJAP.54.105502, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Ryo Shimizu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Influence of low-contrast subwavelength grating shape on polarization characteristics of GaN-based light-emitting diode emissions,
Optical Engineering, Vol.54, No.6, 067112-1-067112-5, 2015.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 112168
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/1.OE.54.6.067112
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84947460636

(徳島大学機関リポジトリ: 112168, DOI: 10.1117/1.OE.54.6.067112, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Ryo Shimizu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Polarized emission characteristics of UV-LED with subwavelength grating,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.7, 072101-1-072101-6, 2014.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 112167
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.53.072101
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84903574737

(徳島大学機関リポジトリ: 112167, DOI: 10.7567/JJAP.53.072101, Elsevier: Scopus) Manato Deki, Tomoki Oka, Shodai Takayoshi, Yoshiki Naoi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima and Takuro Tomita :
Temperature Dependence of Electric Conductivities in Femtosecond Laser Modified Areas in Silicon Carbide,
Materials Science Forum, Vol.778-780, 661-664, 2014.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.661
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84896091686

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.661, Elsevier: Scopus) Dohyung Kim, Heesub Lee, Kazuya Yamazumi, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Fabrication of C-Doped p-AlGaInN Light-Emitting Diodes by the Insertion of Al₄C₃,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.8S, 08JG18-1-08JG18-5, 2013.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.52.08JG18
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520009408993458176; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/JJAP.52.08JG18

(DOI: 10.7567/JJAP.52.08JG18, CiNii: 1520009408993458176) Jin-Ping Ao, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno :
Thermally stable TiN Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure,
Vacuum, Vol.87, No.1, 150-154, 2013.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.vacuum.2012.02.038
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.vacuum.2012.02.038

(DOI: 10.1016/j.vacuum.2012.02.038) Tianya Tan, Mitsuaki Tohno, Masakazu Matsumoto, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Electroluminescence orientation in InGaN/GaN LED on nano-patterned sapphire by MOCVD,
Journal of Wuhan University of Technology. Materials Science Edition, Vol.27, No.6, 1137-1138, 2012.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1007/s11595-012-0617-x
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84875709083

(DOI: 10.1007/s11595-012-0617-x, Elsevier: Scopus) Jin-Ping Ao, Asato Suzuki, Kouichi Sawada, Satoko Shinkai, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno :
Schottky contacts of refractory metal nitrides on gallium nitride using reactive sputtering,
Vacuum, Vol.84, No.12, 1439-1443, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.vacuum.2009.12.006
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.vacuum.2009.12.006

(DOI: 10.1016/j.vacuum.2009.12.006) Yoshiki Naoi, Masakazu Matsumot, Tianya Tan, Mitsuaki Tohno, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
GaN-based light emitting diodes with periodic nano-structures on the surface fabricated by nanoimprint lithography technique,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.7-8, 2154-2156, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200983486
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1002/pssc.200983486

(DOI: 10.1002/pssc.200983486) Yuji Nariyuki, Masakazu Matsumot, Takeshi Noda, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
Evaluation and re-growth of p-GaN on nano-patterned GaN on sapphire substrate,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.7-8, 2121-2123, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200983481
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1002/pssc.200983481

(DOI: 10.1002/pssc.200983481) Jing Zhang, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
GaN surface nanostructure photodetector based on back side incidence,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.7-8, 1804-1806, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200983506
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1002/pssc.200983506

(DOI: 10.1002/pssc.200983506) Jing Zhang, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
Fabrication and Photovoltaic Measurements of Surface Nanostructure of AlGaInN-Based Photodetector,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.48, No.11, 111001-1-111001-5, 2009.

(要約): The photovoltage from a surface nanostructure photodetector was measured at wavelengths of 410 and 388 nm as a function of incident angle. Nanostructure devices were fabricated from the wafer with the light-emitting diode (LED) structure grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). A nanopattern was successfully fabricated on the surface of the wafer by a nanoimprint lithography technique. The nanopattern was designed as regular triangles consisting of columns, whose diameter and period were 150 and 300 nm, respectively. The photovoltage between the p- and n-layers of the surface nanostructure photodetector showed 6 or 12 periods when the incident illumination angle was changed. The photovoltage minimums were obtained at 30° off of the direction $(10ar{1}0)$ of GaN at large incident angle, and this corresponded well to the experimental results obtained from the LED with the same nanopattern.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.48.111001
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520572358500484736; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.48.111001

(DOI: 10.1143/JJAP.48.111001, CiNii: 1520572358500484736) Ryo Matsuoka, Takashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate,
Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.10, 2847-2849, 2009.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.027
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(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.027) T Okimoto, M Tsukihara, K Kataoka, A Kato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
GaN- and AlGaN-based UV-LEDs on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 3066-3068, 2008.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200779205
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(DOI: 10.1002/pssc.200779205) Yoshiki Naoi, K. Ikeda, T. Hama, K. Ono, R. Choi, T. Fukumoto, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, S. M. Lee and M. Koike :
Blue light emitting diode fabricated on a-plane GaN film over r-sapphire substrate and on a-plane bulk GaN substrate,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2810-2813, 2007.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200674826
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-45749104253

(DOI: 10.1002/pssc.200674826, Elsevier: Scopus) M Yamamoto, Y Hamazaki, M Tsukihara, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai :
Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.46, No.14, L323-L325, 2007.

(要約): BP with the size of 50 μm to 3 mm was synthesized by the Cu flux method. The BP crystals have a zincblend structure, and the lattice constant and the cathodoluminescence peak wavelength were 4.557 Å and 370 nm, respectively. GaN and AlN were grown by metalorganic chemical vapor deposition on BP. It was found that AlN grown at 1150 °C on (100)BP was grown smoothly but that grown on (111)BP had a rough surface. GaN, however, was irregularly grown on both (100) and (111)BP. It was demonstrated that AlN on (100)BP is another candidate as a substrate for a UV-light-emitting diode.
(キーワード): AlN / GaN / MOCVD / BP / flux method
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.46.L323
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1360847871783684096; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.46.L323

(DOI: 10.1143/JJAP.46.L323, CiNii: 1360847871783684096) M Tsukihara, K Sumiyoshi, T Okimoto, K Kataoka, S Kawamichi, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition,
Journal of Crystal Growth, Vol.300, No.1, 190-193, 2007.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.011
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(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.011) K. Sumiyoshi, M. Tsukihara, K. Kataoka, S. Kawamichi, T. Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Al_0.17Ga_0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.2, 491-495, 2007.

(要約): The reduction of the dislocation density in a high-temperature (HT)-Al0.17Ga0.83N epitaxial layer was achieved by a middle-temperature (MT)-intermediate layer technique, in which the HT and the MT were 1050 and 950 °C, respectively. For one set of the MT-intermediate layer, the structure was 4.5-μm-thick HT-Al0.17Ga0.83N/1-μm-thick MT-intermediate layer/100-nm-thick HT-Al0.17Ga0.83N layer/low-temperature (LT)-GaNP buffer/trenched (0001) sapphire. The full-width at half maximum values of (0002) and ($10ar{1}2$) diffraction peaks of the X-ray diffraction for the Al0.17Ga0.83N epitaxial layer using one set of the MT-intermediate layer were improved to 359 and 486 arcsec compared with 401 and 977 arcsec for the film without the MT-intermediate layer technique, respectively. Transmission electron microscopy result showed that the dislocation density in the Al0.17Ga0.83N film using one set of MT-intermediate layer was reduced from $(1--4)imes 10^{10}$ to $1.7imes 10^{9}$ cm-2. The Al0.17Ga0.83N epitaxial film including two sets of MT-intermediate layers improved the most, showing a dislocation density of $9.3imes 10^{8}$ cm-2.
(キーワード): intermediate layer / middle temperature / aluminum gallium nitride / metal-organic chemical vapor deposition
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.46.491
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520572357679538176; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.46.491

(DOI: 10.1143/JJAP.46.491, CiNii: 1520572357679538176) Kazuhide Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Ken Kataoka, Shuichi Kawamichi, Tadashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Al0.17Ga0.83N film with Middle Temperature Intermediate Layer Grown on Trenched Sapphire Substrate by MOCVD,
Journal of Crystal Growth, Vol.298, No.SI, 300-304, 2007.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.031
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(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.031) F.W. Yan, Yoshiki Naoi, M. Tsukihara, S. Kawamichi, T. Yadani, K. Sumiyoshi and Shiro Sakai :
Diffusion effect-induced InNAs films growth on GaAs(100) substrates by MOCVD,
Physica B : Condensed Matter, Vol.376-377, 595-597, 2006.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.physb.2005.12.150
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(DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.150) Takashi Okimoto, Masashi Tsukihara, Kazuhide Sumiyoshi, Ken Kataoka, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.8, L236-L238, 2006.

(要約): AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers grown on (0001) sapphire substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition with low-temperature (LT)-GaNP buffer have been characterized using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). It is found that the full width at half maximum (FWHM) values of the GaNP-buffer-based AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers decrease are lower than that of the conventional GaN-buffer-based AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers, but the difference becomes smaller as the Al composition increases. These results could be mainly attributed to a longer diffusion length with the GaNP buffer layer than with the GaN buffer layer.
(キーワード): nucleation / MOCVD / XRD
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.45.L236
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1360566396806119680; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.45.L236

(DOI: 10.1143/JJAP.45.L236, CiNii: 1360566396806119680) Fawang Yan, Yoshiki Naoi, Masashi Tsukihara, Takayuki Yadani and Shiro Sakai :
Interdiffusion induced In(Ga)NAs films growth on GaAs substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition,
Journal of Crystal Growth, Vol.282, No.1-2, 29-35, 2005.

(キーワード): A1. Interdiffusion / A1. HRXRD / A1. SIMS / A3. MOCVD / B2. InNAs
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.jcrysgro.2005.04.083
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(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.04.083) R.J. Choi, S. Kubo, M. Tsukihara, K. Inoue, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai :
Effects of V/III flux ratio on AlInGaN/AlGaN quantum wells grown by atmospheric pressure MOCVD,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.2, No.7, 2149-2152, 2005.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200461442
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-27344459458

(DOI: 10.1002/pssc.200461442, Elsevier: Scopus) Fawang Yan, Masashi Tsukihara, Akihiro Nakamura, Takayuki Yadani, Tetsuya Fukumoto, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Surface smoothing mechanism of AlN film by initially alternating supply of ammonia,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.43, No.8B, L1057-L1059, 2004.

(要約): A buffer technique that initially alternates supply of ammonia (IASA) is employed for AlN film growth on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Atomic force microscopy (AFM) study reveals that step-flow-like growth morphology is achieved for the AlN film with the root-mean-square (rms) roughness as small as 0.336 nm. In contrast, the surface morphology of thick AlN film grown directly on sapphire substrate shows rough grainy feature with a large rms value of 28.9 nm. The mechanism leading to superior morphology by introducing IASA process is investigated using transmission electron microscopy (TEM), hot wet chemical etching and scanning electron microscopy (SEM) techniques. Evidence is presented that their morphological differences are attributed to strain reduction and polarity inversion. The present work provides insight into the AlN epitaxial growth and indicates that IASA is an effective method to realize atomically smooth AlN film.
(キーワード): AlN / MOCVD / TEM / AFM / wet chemical etching
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.43.L1057
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001206266378240; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.43.L1057

(DOI: 10.1143/JJAP.43.L1057, CiNii: 1390001206266378240) Hong-dong Li, Masashi Tsukihara, Yoshiki Naoi, Bae Young Lee and Shiro Sakai :
Investigations of V-shaped Defects and Photoluminescence of Thin GaN-Rich GaNP Layers Grown on a GaN Epilayer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Applied Physics Letters, Vol.84, No.11, 1886-1888, 2004.

(要約): GaNでは珍しいGaPNを歪超格子に用いている．GaPNは圧縮歪を受け，V型溝を形成する．
(キーワード): MOLECULAR-BEAM EPITAXY / PIT FORMATION / SAPPHIRE / MG / SEMICONDUCTORS / BUFFER / ALLOYS / SIDE
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/1.1687462
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(DOI: 10.1063/1.1687462) Masashi Tsukihara, Yoshiki Naoi, Hongdong Li, Tomoya Sugahara and Shiro Sakai :
The Influence of a Low Temperature GaNP Buffer on GaN Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.0, No.7, 2757-2760, 2003.

(要約): サファイヤ上に，普通は低音成長AlN かGaN を使うところにGaPNを用いた．GaPNは核発生しにくく飛び飛びの核しか形成しない．これで大型のGaN膜が形成できるようになった．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200303550
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(DOI: 10.1002/pssc.200303550) Yoshiki Naoi, Toshihiko Tada, Hongdong Li, Nan Jiang and Shiro Sakai :
Growth and evaluation of GaN with SiN Interlayer by MOCVD,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.0, No.7, 2077-2081, 2003.

(要約): MOCVD法においてSiN中間層を用いたGaN膜の低転位化手法について検討した,TEM実験により,中間SiN層で転位が終端することを示し,そのメカニズムを議論した.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200303442
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(DOI: 10.1002/pssc.200303442) Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta, Naotaka Kubota, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno :
High-Temperature Stability of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,
IEICE Transactions on Electronics, Vol.E86-C, No.10, 2051-2057, 2003.

(要約): High-temperature stability of copper (Cu) gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) was investigated. Samples were annealed at various temperatures to monitor the changes on device performances. Current-voltage performance such as drain-source current, transconductance, threshold voltage and gate leakage current has no obvious degradation up to annealing temperature of 500℃ and time of 5 minutes. Also up to this temperature, no copper diffusion was found at the Cu and AlGaN interface by secondary ion mass spectrometry determination. At annealing temperature of 700℃ and time of 5 minutes, device performance was found to have degraded. Gate voltage swing increased and threshold voltage shifted due to Cu diffusion into AlGaN. These results indicate that the Schottky contact and device performance of Cu-gate AlGaN/GaN HEMT is stable up to annealing temperature of 500℃. Cu is a promising candidate as gate metallization for high-performance power AlGaN/GaN HEMTs.
(キーワード): Cu-gate / AlGaN/GaN / HEMT / gate leakage current / high-temperature stability
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1573950402232322944; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0242664193

(CiNii: 1573950402232322944, Elsevier: Scopus) Young-Bae Lee, Ryohei Takaki, Hisao Sato, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
High Efficiency GaN-Based LEDs using Plasma Selective Treatment of p-GaN Surface,
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.200, No.1, 87-90, 2003.

(要約): GaNベースの発光ダイオードでp型の表面層をどうするかで中身は変わってくる．P型を少し削って透明電極をつけると20%出力が増加する．
(キーワード): LIGHT-EMITTING-DIODES / LAYER / SUBSTRATE
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssa.200303253
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1002/pssa.200303253

(DOI: 10.1002/pssa.200303253) Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta, Naotaka Kubota, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno :
Copper Gate AlGaN/GaN HEMT With Low Gate Leakage Current,
IEEE Electron Device Letters, Vol.24, No.8, 500-502, 2003.

(キーワード): AlGaN/GaN / copper gate / gate leakage current / HEMT / Schottky contact
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1109/LED.2003.815158
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1362262944526194560; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1109/LED.2003.815158

(DOI: 10.1109/LED.2003.815158, CiNii: 1362262944526194560) Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Daigo Kikuta, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno :
Thermal Stability Investigation of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.0, No.7, 2376-2379, 2003.

(キーワード): thermal stability / copper gate / AlGaN/GaN / HEMT
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssc.200303350
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1002/pssc.200303350

(DOI: 10.1002/pssc.200303350) Masashi Tsukihara, Yoshiki Naoi, Hongdong Li and Shiro Sakai :
Dislocation Reduction in GaN Layer by Introducing GaN-rich GaNP Intermediate Layers,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.42, No.4A, 1514-1516, 2003.

(要約): 低温成長のGaNPにつぃてその詳細を発表した．
(キーワード): GaNP / MOCVD
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.42.1514
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681232981504; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0038269280

(DOI: 10.1143/JJAP.42.1514, CiNii: 1390282681232981504, Elsevier: Scopus) Hiroyuki Naoi, Denis M Shaw, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai and G Collins :
Growth of InAs on GaAs(100) by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Employing in situ Generated Arsine Radicals,
Journal of Crystal Growth, Vol.250, No.3-4, 290-297, 2003.

(要約): イン·シツで発生したアルシンとTMGを用いたGaをベースにInAs を成長した．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0022-0248(02)02352-7
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/S0022-0248(02)02352-7

(DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02352-7) Masashi Tsukihara, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai and Hong-Dong Li :
GaN growth using a low-temperature GaNP buffer on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition,
Applied Physics Letters, Vol.82, No.6, 919-921, 2003.

(要約): 低温成長GaNPのTEMを始めて示した．この結果，転位密度が1/4になっていることがわかった．
(キーワード): PHASE EPITAXIAL-GROWTH / THREADING DISLOCATIONS / LAYER / 還元 (reduction) / DENSITY / FILMS
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/1.1544061
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1573950401501645056; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1063/1.1544061

(DOI: 10.1063/1.1544061, CiNii: 1573950401501645056) Hongdong Li, Masashi Tsukihara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Dislocation reduction in GaN epilayers grown on a GaNP buffer on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.41, No.11B, L1332-L1335, 2002.

(要約): 成長したGaNPへの転位の動向についてしらべた．その結果，転位は減ることが確認された．
(キーワード): GaN epilayer / GaNP buffer / dislocation / TEM / AFM
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.41.L1332
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681233585664; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-20244365150

(DOI: 10.1143/JJAP.41.L1332, CiNii: 1390282681233585664, Elsevier: Scopus) Jie Bai, Tao Wang, Yuhuai Liu, Yoshiki Naoi, Hongdong Li and Shiro Sakai :
Influence of pyramidal defects on photoluminescence of Mg-doped AlGaN/GaN superlattice structures,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.41, No.10, 5909-5911, 2002.

(要約): Mg をドープした結晶によく現れるピラミッド型の欠陥に対してAlGaN/GaN のPLへの影響を調べた．
(キーワード): Mg doping / AIGaN / GaN SLS / pyramidal defects / TEM / photoluminescence
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.41.5909
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001206256518016; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0036818474

(DOI: 10.1143/JJAP.41.5909, CiNii: 1390001206256518016, Elsevier: Scopus) Young-Bae Lee, Tao Wang, Yu-Huai Liu, Jin-Ping Ao, Hong-Dong Li, Hisao Sato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Fabrication of high-output-power AlGaN/GaN-based UV-light-emitting diode using a Ga droplet layer,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.41, No.10A, L1037-L1039, 2002.

(要約): GaドロップレットをはさみこみLEDの効率が改善した．Gaにより，その回りが歪みがあるようである．その歪みにより効率が改善する．
(キーワード): ultraviolet (UV) / light-emitting diode (LED) / AlGaN / GaN / optical output power / Ga droplet layer
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.41.L1037
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681231464576; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.41.L1037

(DOI: 10.1143/JJAP.41.L1037, CiNii: 1390282681231464576) Young-Bae Lee, Tao Wang, Yu-Huai Liu, Jin-Ping Ao, Yuji Izumi, Yves Lacroix, Hong-Dong Li, Jie Bai, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
High-Performance 348nm AlGaN/GaN-based ultraviolet-light-emitting diode with a SiN buffer layer,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.41, No.7A, 4450-4453, 2002.

(要約): SiNつきで348 nmで明るく光るLEDを開発した．SiNによりGaN中の転位が減るので明るく光る．
(キーワード): SiN buffer / ultraviolet-Iight-emitling diode (UV-LED) / TEM / electro-luminescence / injection current / GaN / AIGaN
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.41.4450
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681231785472; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.41.4450

(DOI: 10.1143/JJAP.41.4450, CiNii: 1390282681231785472) Hirofumi Yamamoto, Yoshiki Naoi, Yoshio Fujii and Yoshihiro Shintani :
Lateral Overgrowth of Diamond Films on Metal Masked Substrate by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition,
International Journal of Modern Physics B, Vol.16, No.6-7, 841-844, 2002.

(要約): ストライプパターン形成されたSi基板上にダイヤモンドを横方向選択成長させた.マスク材料およびマスク幅について検討した.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1142/S0217979202010488
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0037139106

(DOI: 10.1142/S0217979202010488, Elsevier: Scopus) Hirofumi Yamamoto, Yoshiki Naoi and Yoshihiro Shintani :
Growth of Diamond Films on Grooved Si Substrates,
Journal of Crystal Growth, Vol.236, No.1, 176-180, 2002.

(要約): 溝つきSi基板上へのダイヤモンド成長について検討した.成長された膜を評価した結果,平滑で高品質なダイヤモンド膜が形成され,成長時間を増加させることにより膜品質が向上することを示した.
(キーワード): growth models / chemical vapor deposition processes / diamond / PLASMA
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0022-0248(01)01912-1
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/S0022-0248(01)01912-1

(DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01912-1) A.P. Young, L.J. Brillson, Yoshiki Naoi and C.W. Tu :
Chemical composition, morphology, and deep level electronic states of GaN(0001) (1x1) surfaces prepared by indium decapping,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.B19, No.6, 2063-2066, 2001.

(要約): GaN表面にごく薄いInを堆積させて,その酸化特性等を光学特性から詳細に調べた.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1116/1.1412656
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(DOI: 10.1116/1.1412656) Yoshiki Naoi, Yoshihisa Kawakami, T Nakanishi, Yves Lacroix, Yoshihiro Shintani and Shiro Sakai :
Characterization of GaN Films etched using reactive ion etching technique by secondary ion mass spectrometry,
Materials Science in Semiconductor Processing, Vol.4, No.6, 555-558, 2001.

(要約): 2次イオン質量分析法を用い,反応性イオンエッチング法によりエッチングされたGaN膜を評価した.残留ボロンが電気特性大きな影響を与え,Clによる表面改質がデバイス特性改善に有効であることを示した.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S1369-8001(02)00016-1
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0035574893

(DOI: 10.1016/S1369-8001(02)00016-1, Elsevier: Scopus) Hiroyuki Naoi, Denis M Shaw, Yoshiki Naoi, G J Collins and Shiro Sakai :
Growth of InNAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition employing microwave-cracked nitrogen and in situ generated arsine radicals,
Journal of Crystal Growth, Vol.222, No.3, 511-517, 2001.

(要約): 減圧MOCVD成長によりInNAsをGaAs基板上にした．プラズマにより発生したアルシンラジカルを使用して，初めて成長に成功した．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0022-0248(00)00975-1
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(DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00975-1, Elsevier: Scopus) Shiro Sakai, Tao Wang, Y Morishima and Yoshiki Naoi :
A New Method of Reducing Dislocation Density in GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by MOVPE,
Journal of Crystal Growth, Vol.221, No.1, 334-337, 2000.

(要約): SiNバッファ層を用いた低転位GaN膜成長方法について議論し，その低転位化機構をAFM，X線回折を用いて調査し，結晶成長モデルを提案した．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0022-0248(00)00709-0
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(DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00709-0, Elsevier: Scopus) Leonard J Brillson, Alexander P Young, T.M. Levin, G.H. Jessen, J. Schafer, Y. Yang, S.H. Xu, H. Cruguel, G.J. Lapeyre, F.A. Ponce, Charles W Tu, Yoshiki Naoi, J.D. McKenzie and C.R. Abernathy :
Localized States at GaN Surfaces, Schottky Barriers, and Quntaum Well,
Materials Science and Engineering B, Vol.B75, No.2-3, 218-223, 2000.

(要約): 低エネルギー電子線励起ルミネッセンス法を用い，GaN表面および金属/GaN界面，InGaN/GaN多重量子井戸界面の局所電子状態を議論した．

Nan Jiang, Susumu Kujime, Hirofumi Yamamoto, Takeshi Inaoka, Yoshiki Naoi, Yoshihiro Shintani, Hiroshi Makita, Akimitsu Hatta and Akio Hiraki :
Electron Microscopic Study on the Initial Stages of (111)-Oriented Diamonds Growth on Pt Substrates,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.39, No.6B, L623-L625, 2000.

(要約): 白金基板上(111)配向ダイヤモンドの成長初期段階をTEMにより評価した．スクラッチング手法が白金基板におおきく損傷を与えること，損傷をうけた多結晶的は400-500nmの厚さに分布すること，損傷部分が成長初期段階に再結晶化し，この再結晶化過程がダイヤモンド配向に大きな影響を及ぼす事を示した．

Alexander P Young, Leonard J Brillson, Yoshiki Naoi and Charles W Tu :
The Effect of Nitrogen Ion Damage on the Optical and Electrical Properties of MBE GaN grown on MOCVD GaN/Sapphire Templates,
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, Vol.5S1, No.W11.56, 2000.

(要約): MOCVD成長GaN上にMBE成長したGaNの光学·電気特性を，低エネルギー電子線励起ルミネッセンス法により調査した．MBE成長時の窒素イオン損傷の効果と，偏向電極によるイオン除去効果による移動度への影響について議論した．

Leonard J Brillson, M. T. Levin, H. G. Jessen, Alexander P Young, Charles W Tu, Yoshiki Naoi, A. F. Ponce, Y. Yang, J. G. Lapeyre, D. J. MacKenzie and R. C. Abernathy :
Defect Formation Near GaN Surfaces and Interfaces,
Physica B : Condensed Matter, Vol.273-274, 70-74, 1999.

(要約): 低速電子励起ルミネッセンス法を用い,GaN表面付近の欠陥特性を調査した.表面付近のネイティブな離散欠陥準位および,ヘテロ構造界面における界面準位の評価に有効な手法であることを示した.

Sourindra Mahanty, Maosheng Hao, Tomoya Sugahara, Qhalid RS Fareed, Yoshinori Morishima, Yoshiki Naoi, Tao Wang and Shiro Sakai :
V-shaped Defects in InGaN/GaN Multiquantum Wells,
Materials Letters, Vol.41, No.2, 67-71, 1999.

(要約): MOCVD法により成長されたサファイア基板上InGaN/GaN多重量子井戸構造の欠陥構造を,TEMにより評価した.V欠陥が低温成長GaN試料に対して観察され,貫通転位,混合,刃状転位と密接な関連があることを示した.

Tohru Tsuruoka, Makoto Kawasaki, Sukekatsu Ushioda, R. Francy, Yoshiki Naoi, Tomoya Sugahara, Shiro Sakai and Yoshihiro Shintani :
Combined HREELS/LEED Study on the Oxidation of GaN Surfaces,
Surface Science, Vol.427-428, 257-261, 1999.

(要約): GaN表面の酸化過程を,300-700Kについて高分解能エネルギー損失分光法および低速電子線回折法により調査した.格子振動数の評価から,加熱によりGa酸化物が形成されることを示した.

Maosheng Hao, Sourindra Mahanty, Tomoya Sugahara, Sadanori Morishima, Yusuke Takenaka, Tao Wang, Satoru Tottori, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Configuration of Dislocations in Lateral Overgrowth GaN Films,
Journal of Applied Physics, Vol.85, No.9, 6497-6501, 1999.

(要約): LEO成長されたGaN膜の転位分布と光学特性を,カソードルミネッセンス法およびTEMを用いて議論した.転位分布と光放出分布は密接な関係があり,転位はバンド端発光強度に影響を及ぼすだけでなく黄色発光に著しく影響を及ぼすことを明らかにした.

Jie Wang, Masaaki Nozaki, Mohamed Lachab, Qhalid RS Fareed, Yasuhiro Ishikawa, Tao Wang, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Formation and Optical Properties of InGaN/GaN Nano-structures Grown on Amorphous Si Substrates by MOCVD,
Journal of Crystal Growth, Vol.200, No.1-2, 85-89, 1999.

(要約): MOCVD法を用いてアモルファスSi基板上に,ナノメータサイズのInGaN/GaN構造を形成し,その光学特性について調査した.

Jie Wang, Masaaki Nozaki, Yasuhiro Ishikawa, Maosheng Hao, Sadanori Morishima, Tao Wang, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Fabrication of Nanoscale Structures of InGaN by MOCVD Lateral Overgrowth,
Journal of Crystal Growth, Vol.197, No.1-2, 48-53, 1999.

(要約): ナノメータサイズのInGaN量子線および量子ドットを選択成長法を用い形成できることを示し,その光学特性および転位について議論した.

Doo-Hyeb Youn, Mohamed Lachab, Maosheng Hao, Tomoya Sugahara, Hironori Takenaka, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Investigation on the p-type Activation Mechanism in Mg-doped GaN Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.38, No.2A, 631-634, 1999.

(要約): MgドープされたGaN中でのp型活性化について調査した.p型活性化のための最適加熱温度と転位との関連を議論した.

Tomoya Sugahara, Maosheng Hao, Tao Wang, Daisuke Nakagawa, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai :
Role of Dislocation in InGaN Phase Separation,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.37, No.10B, L1195-L1198, 1998.

(要約): MOCVD成長されたサファイア上のInGaNの光学特性に対する転位の役割をカソードルミネッセンス法およびAFMを用いて議論した.転位は非発光センターとして振る舞うこと,InGaN中の相分離は混合転位によるスパイラル成長により生じることを示した.

Doo-Hyeb Youn, Maosheng Hao, Yoshiki Naoi, Sourindra Mahanty and Shiro Sakai :
Comparison and Investigation of Ohmic Characteristics in the Ni/AuZn and Cr/AuZn Metal Schemes,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.37, No.9A, 4667-4671, 1998.

(要約): p型GaNに対する低接触抵抗材料に関して,Ni/AuZnおよびCr/AuZnを検討した.本手法を用いた場合の,電気的特性を示し,その物理機構をTEM,SIMSにより解析した.

Tohru Tsuruoka, Nobuyuki Takahashi, R. Francy, Sukekatsu Ushioda, Yoshiki Naoi, Hisao Sato, Shiro Sakai and Yoshihiro Shintani :
HREELS Analysis of the Vibrational and Electronic Properties of GaN Film on Sapphire(0001) Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, 677-681, 1998.

(要約): MOCVD成長されたGaN膜を高分解能電子エネルギー損失分光法,低速電子回折,ラマン分光法を用いて評価した.本手法を用いることにより,LOおよびTOフォノン周波数およびその異方性,表面付近のキャリヤ密度とその減衰定数を決定した.

Shiro Sakai, T.C. Cheng, T.C. Foxon, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi and Hiroyuki Naoi :
Growth of InNAs on GaAs(100) Substrates by Moleculer-Beam Epitaxy,
Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, 471-475, 1998.

(要約): 非常に小さなバンドギャップであると予想されるInNAs混晶を分子線エピタキシー法を用いGaAs基板上に成長した.窒素組成38%の混晶が得られた.この結晶は,GaAs基板と格子整合する場合に得られる事を示した.

Yoshiki Naoi, Keizo Kobatake, Satoshi Kurai, Katsushi Nishino, Hisao Sato, Ken-ichi Yamashita, Masaaki Nozaki, Shiro Sakai and Yoshihiro Shintani :
Characterization of Bulk GaN Grown by Sublimation Technique,
Journal of Crystal Growth, Vol.189-190, 163-166, 1998.

(要約): 昇華法によりつくられたバルクGaNをX線回折,2次イオン質量分析,ラマン散乱分光および電気的特性実験により評価した.本報告で使用したバルク結晶は高い結晶完全性をもち高い純度をもつものであることを示した.

Hiroki Uemura, Hirofumi Yamamoto, Takeshi Inaoka, Hiroshi Makita, Yoshiki Naoi and Yoshihiro Shintani :
Temperature Dependence of Crystal Size and Nucleation Density of Diamond Film,
Diamond Films and Technology, Vol.8, No.5, 339-346, 1998.

(要約): 白金基板上ダイヤモンド成長における,結晶の方位およびコアレッセンス特性と核発生密度およびサイズとの関連を調査した.核発生密度およびサイズは,結晶成長初期段階の基板温度により大きく支配され,ヘテロエピタキシャル成長の鍵である事を示した.

Shiro Sakai, Hisao Sato, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Ken-ichi Yamashita, Satoru Tottori, Maosheng Hao, Koichi Wada and Katsushi Nishino :
Growth of Bulk GaN Sublimation Method,
Materials Science Forum, Vol.264-268, No.PT2, 1107-1110, 1998.

(要約): 昇華法によるバルクGaN結晶製造技術およびMOCVD法によるホモエピタキシャル成長技術について検討した.バルク結晶の前処理により,ホモエピタキシャル成長後の表面モフォロジー,光学特性が大きく変化することを示した.

Hisao Sato, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Compositional Inhomogeneity of InGaN Grown on Sapphire and Bulk GaN Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.37, No.4A, 2013-2015, 1998.

(要約): MOCVD成長されたバルクGaN上InGaN膜の組成不均一を,カソードルミネッセンス法およびEDX法を用いて調査した.ホモエピタキシャル膜のIn組成不均一は,サファイア基板上のものよりもはるかに少ない事を示し,実験事実を説明できる物理的モデルを提案した.

Doo-Hyeb Youn, Maosheng Hao, Hisao Sato, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Ohmic Contact to p-type GaN,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.37, No.4A, 1768-1771, 1998.

(要約): p型GaNに対するオーミック接触について調査した.Au-Zn/Ni系金属を用いることにより,非常に小さな接触抵抗になること,および,その物理的機構を,2次イオン質量分析法等などを用いて議論した.

Tomoya Sugahara, Hisao Sato, Maosheng Hao, Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Satoru Tottori, Kenji Yamashita, Katsushi Nishino, Katsushi Nishino and Shiro Sakai :
Direct Evidence that Dislocations are Non-radiative Recombination Centers in GaN,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.37, No.4A, L398-L400, 1998.

(要約): 平面TEM観察およびカソードルミネッセンス像測定を,n型GaNにおいて同一試料·同一場所に対して行った.カソードルミネッセンス像中の暗点は,TEM像中における転位と1対1で対応することを示した.n型GaN中の正孔の拡散距離を約50nmであると評価した.GaN発光効率は,少数キャリヤの拡散長が転位の間隔よりも短いほど高くなることを実験的に明らかにした.

Maosheng Hao, Tomoya Sugahara, Hisao Sato, Sadanori Morishima, Yoshiki Naoi, L.T. Romano and Shiro Sakai :
Study of Threading Dislocations in Wurtzite GaN Films Grown on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.37, No.3A, L291-L293, 1998.

(要約): サファイア基板上に成長したGaN膜中の貫通転位を透過型電子顕微鏡を用いた平面像観察により調査した.刃状転位は低角粒界を形成することを示した.

Hisao Sato, Tomoya Sugahara, Maosheng Hao, Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Ken-ichi Yamashita, Katsushi Nishino and Shiro Sakai :
Surface Pretreatment of Bulk GaN for Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.37, No.2, 621-631, 1998.

(要約): 昇華法により成長されたバルクGaN上へ,有機金属気相成長法によりホモエピタキシャル成長を行い,バルク表面の前処理効果について検討した.平滑な表面をもち,強いカソードルミネッセンス光を発する試料が,バルク結晶に対して適切な前処理を施すことにより得られた.このカソードルミネッセンス光は,サファイア基板上へ成長させたGaN膜から得られるものよりも強い.また,ホモエピタキシャル膜の転位密度は,適切な前処理により,著しく減少する事を示した.

H. Uemura, A. Mizoguchi, T. Hanabusa, K. Takeda, Takeshi Inaoka, Hiroshi Makita, Yoshiki Naoi and Yoshihiro Shintani :
Growth Conditions of Highly Oriented Diamond on Pt Substrates,
Diamond Films and Technology, Vol.7, No.5-6, 293-296, 1997.

(要約): 白金基板上への高配向ダイヤモンドの成長条件について検討した.特に,核発生密度について詳細に検討し,核発生密度がダイヤモンドの配向方位およびコアレッセンスに重大な影響を及ぼすことを明らかにした.

Shiro Sakai, Satoshi Kurai, Katsushi Nishino, K Wada, Hisao Sato and Yoshiki Naoi :
Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD,
Material Research Society Symposium Proc., Vol.449, 15-22, 1997.

(要約): 昇華法によるバルクGaNおよび有機金属気相成長法によるホモエピタキシャル成長について報告している.昇華法における原料粉は,多種類のガリウム,窒素および水素化物から構成される化合物であることを示した.また,有機金属気相成長法におえる核発生制御手法について検討した.六角形柱状結晶が選択的に形成され,本手法がデバイスプロセスに応用できることを示した.

Hisao Sato, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Structural analysis of GaN and GaN/InGaN/GaN DH Structures on Sapphire (0001) Substrate grown by MOCVD,
Materials Research Society Symposia Proceedings, Vol.449, 441-446, 1997.

(要約): GaN,InGaN/GaNシングルヘテロ構造およびダブルヘテロ構造の格子構造をX線回折を用いた逆格子マッピング法を用いて調査した.特に,ダブルヘテロ構造において,InGaN とキャップGaN層におけるモザイク構造はInGaNの膜厚を20∼110nmに増やすことによって顕著となった.また,モザイク構造に関係した転位が観察された.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1557/PROC-449-441
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1557/PROC-449-441

(DOI: 10.1557/PROC-449-441) Hisao Sato, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
X-Ray Diffraction Analysis of GaN and GaN/InGaN/GaN Double-Hetero Structures Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.36, No.4A, 2018-2021, 1997.

(要約): MOCVD法により成長されたサファイア上GaNおよびGaN/InGaN/GaNダブルヘテロ構造の構造解析をX線回折および透過型電子顕微鏡観察により行った.GaN試料については,0.35ミクロン厚の非配向グレイン構造から,1.4ミクロン厚でモザイク構造をもった均一な膜へ遷移することが明瞭に観察された.また,ダブルヘテロ構造においては,膜厚変化に伴うモザイク構造変化および転位挙動について検討した.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.36.2018
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0031120414

(DOI: 10.1143/JJAP.36.2018, Elsevier: Scopus) Hisao Sato, Mihir Ranjan Sarkar, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
XPS Measurement of Valence Band Discontinuity at GaP/GaN Heterostructures,
Solid-State Electronics, Vol.41, No.2, 205-207, 1997.

(要約): X線光電子分光法により,GaP/GaNヘテロ界面のバンド不連続量を測定した.バンド不連続量ΔEvは,2.3±0.6eVであり,このヘテロ界面は,TypeⅡであることを示した.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0038-1101(96)00167-0
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0031076048

(DOI: 10.1016/S0038-1101(96)00167-0, Elsevier: Scopus) Hiroyuki Naoi, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
MOCVD Growth of InAsN for Infrared Applications,
Solid-State Electronics, Vol.41, No.2, 319-321, 1997.

(要約): 3元混晶InAsNを有機金属気相成長法により,はじめて成長した.減圧成長下で,成長温度をパラメータに実験を行った.X線回折法およびFTIR法により評価した結果,成長温度の上昇およびアンモニア気相比を高くすることにより,窒素の分解を増す事がわかった.また,すべての試料が直接遷移で,窒素組成とともにバンドギャップが減少すること,最小バンドギャップは,InAs(0.939)N(0.061)の試料に対して室温でo.12eVであった.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0038-1101(96)00236-5
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0031078861

(DOI: 10.1016/S0038-1101(96)00236-5, Elsevier: Scopus) Tatsuya Okada, Satoshi Kurai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Fukuji Inoko and Shiro Sakai :
Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.35, No.10, 1318-1320, 1996.

(要約): 昇華法で作製したGaN単結晶上にGaN膜をMOCVD法でホモエピ成長させた．FIB法により加工して電子線が透過する部分を壁状に加工し，結晶内の転位をTEMにより観察した．また，この観察結果に基づき，GaN単結晶内の転位密度を推定した．

Satoshi Kurai, Toshimitsu Abe, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Growth and Characterization of Thick GaN by Sublimation Method and Homoepitaxial Growth by MOCVD,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.35, No.3, 1637-1640, 1996.

(要約): 昇華法を用いて,サファイア基板上への10-30ミクロン厚のGaN厚膜合成に初めて成功した.光励起実験の結果,誘導放出を室温で観測した.

Tao Yang, Yoshiki Naoi, Hiroyuki Naoi and Shiro Sakai :
X-ray Photoelectron Spectroscopy of Zinc Blend InN and Valence-Band Discontinuity in the Heterojunction InN/GaAs,
Proceedings of the International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, 504-505, 1996.

(要約): ジンクブレンド構造InNをプラズマ支援有機金属気相成長法を用いて,GaAs基板上に成長した.X線光電子分光法により,InN/GaAs界面のバンド不連続を調査した.価電子帯バンド不連続は1.3±0.5eVと評価された.

Satoshi Kurai, Yoshiki Naoi, Toshimitsu Abe, Susumu Ohmi and Shiro Sakai :
Photopumped Stimulated Emission from Homoepitaxial GaN Grown on Bulk GaN Prepared by Sublimation Method,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.35, No.1B, 77-79, 1996.

(要約): 昇華法により作成されたバルク基板上のMOCVDホモエピタキシャルGaN膜からの光励起誘導放出を室温で初めて観測した.閾値ポンピングパワーは0.86MW/cm2であり,また,誘導放出光は結晶c軸に対して垂直な電界方向に偏光していることを示した.

Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Shiro Sakai, Tao Yang and Yoshihiro Shintani :
Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD,
Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 321-325, 1994.

(要約): フォトルミネッセンス法により，Si基板上に成長したGaAs膜中における転位近くの微視的応力分布を調査した．転位近くに存在する格子変形による圧縮応力が観察された．また，鋭い針により外部応力を印加することにより，転位により生じたフォトルミネッセンス像中の暗点が動き，転位の密度や位置をある程度人為的に操作できることを示した．

Yoshiki Naoi, Kimihiko Ito, Yoichi Uehara, Sukekatsu Ushioda and Yoshitada Murata :
Very High Resolution Photoelectron Spectra of NEA-GaAs,
Surface Science, Vol.283, No.1-3, 457-461, 1993.

(要約): 負の電子親和力をもつp型GaAs表面からの光電子のエネルギー分布を超高分解能エネルギー分析を行った．本研究においてはじめて，放出スペクトル中に約50meV間隔のピークが存在することを示し，それが，表面バンド曲がり領域に存在することが予測される2次元サブバンド準位に関連したものである事を示した．

Yuji Hirao, Yoshiki Naoi, Yoshinobu Nagano and Masuo Fukui :
Light Emission Characteristics and Surface Roughness of Au/AlOx/Al Tunnel Junction,
Journal of the Physical Society of Japan, Vol.60, No.12, 4366-4373, 1991.

(要約): 金属-絶縁体-金属トンネル接合から輻射される光の放射特性と表面·界面凹凸との関係を明らかにした．放射強度の波長スペクトルは実験的に得られた凹凸により説明できるが，放射強度の角度分布は説明できないことがわかった．

Yoshiki Naoi and Masuo Fukui :
Intensity of Surface-Plasmon Polariton Energy Emitted into the Air Side in an Air/Ag-film/Prism Configuration,
Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.42, No.8, 5009-5012, 1990.

(要約): 空気/銀膜(厚さ42nm)/プリズム構造の表面プラズモンポラリトンエネルギーが表面凹凸により空気側へ放射される割合を実験的·理論的に検討した．割合は，実験では2%，理論では1.9%となり，両者の一致は良い．この結果，今まで割合に関して種々の議論があったが，我々の研究により最終的な結論が出た．

Yoshiki Naoi and Masuo Fukui :
Evaluation of Surface Roughness Parameters of Metal Films by Light Scattering Technique,
Journal of the Physical Society of Japan, Vol.58, No.12, 4511-4516, 1989.

(要約): 光散乱法は表面凹凸パラメーターを与える．すなわち，表面凹凸の大きさと横相関距離がわかる．しかし，従来の方法で評価されたパラメーターでは散乱光強度の角度分布の一部分しか再現できず，パラメーターの決定に不備なところがあった．本論文で，パラメーターを数組選べば，上記の角度分布の全体が再現できることを，銀，アルミニウム，金の各膜に対して実験と理論を比較して示した．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JPSJ.58.4511
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204179165312; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0004394156

(DOI: 10.1143/JPSJ.58.4511, CiNii: 1390001204179165312, Elsevier: Scopus)

MISC

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総説・解説

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講演・発表

Naoya Suto, Hiroto Seki, Takuya Kawakami, Keisuke Takabayashi, Eibon Tsuchiya, Tsubasa Endo, Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Yoshiki Naoi, Makoto Yamaguchi, Yohei Kobayashi and Takuro Tomita :
Ohmic Contact Formation on 4H-SiC Using Pico-second Laser Irradiation,
CLEO Pacific Rim 2024, Tu2I-3, Incheon, Aug. 2024. Kaito Fukuda, Naoya Suto, Hiroto Seki, Takuya Kawakami, Tsubasa Endo, Keisuke Takabayashi, Yohei Kobayashi, Makoto Yamaguchi, Kentaro Nagamatsu, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Takuro Tomita :
Effect of Picosecond Laser Irradiation on Metal Electrode of P-type Gallium Nitride,
CLEO Pacific Rim 2024, Tu2I-2, Incheon, Aug. 2024. Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
A polarization-tunable coloration with wide dynamic range using highly lossy material-based metal/dielectric/metal- subwavelength grating,
The 14th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META 2024), Vol.1A9, Toyama, Jul. 2024.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

Kouki Fujii, Atsushi Tomita, Yuuto Matsubara, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
Investigation of Ga Localization in AlGaN Growth with Step-Bunching at ultra-high temperature MOVPE growth,
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Vol.MoP-GR-LN1, Fukuoka, Nov. 2023. Atsushi Tomita, Kouki Fujii, Takuya Kawakami, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
AlGaN and AlGaN/AlN superlattice growth by using ultra high-temperature MOVPE,
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Vol.MoP-GR-13, Fukuoka, Nov. 2023. Atsushi Tomita, Kouki Fujii, Takuya Kawakami, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
GaN localization in high-temperature AlGaN growth over 1500,
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Vol.MoP-GR-7, Fukuoka, Nov. 2023. Yuusuke Takashima, Shunsuke Furuta, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Deep ultraviolet to visible absorbing and sensing applications by stacking film with highly lossy ultrathin film,
The 13th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META 2023), Vol.2A29, Paris, Jul. 2023.

(キーワード): 完全光吸収体

Atsushi Tomita, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Hirayama Hideki, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
The dependence of the V/III ratio in high-temperature AlN growth with several misorientations off-angle sapphire substrate,
International Workshop on Nitride semiconductor 2022, Berlin, Oct. 2022. Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
Lateral epitaxial overgrowth by mass transport in AlN with the temperature of 1700,
International Workshop on Nitride semiconductor 2022, Berlin, Oct. 2022. Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Shota Tsuda, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
Dependence of c-plane sapphire misorientation angle in high temperature AlN growth and specific step bunching at large angle,
International Workshop on Nitride semiconductor 2022, Berlin, Oct. 2022. Kentaro Nagamatsu, Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi :
The high-temperature growth in AlN with the unaffected parasitic reaction by Jet gas stream MOVPE,
International Workshop on Nitride semiconductor 2022, Berlin, Oct. 2022. Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Ultraviolet violet applications utilizing high refractive index subwavelength structure with ultra-thin thickness,
The 12th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META 2022), 1A8, Online, Jul. 2022.

(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85179872510

(Elsevier: Scopus) Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
The improvement of crystal orientation in AlN with controlled inversion domain,
Photonics West 2022, 12001-67, San Francisco, Jan. 2022. Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu :
Threshold temperature in annihilation radius of dislocation for AlN,
Photonics West 2022, 12001-66, San Francisco, Jan. 2022. Kentaro Nagamatsu, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi :
The reduction of adduct formation during high-temperature growth in AlN by jet gas stream metalorganic vapor phase epitaxy,
Photonics West 2022, 12001-6, San Francisco, Jan. 2022. Masanobu Haraguchi, Shun Kamada, Toshihiro Okamoto, Kenzo Yamaguchi, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi :
Plasmonic sensors for high density optical circuits,
International Meet & Expo on Laser, Optics and Photonics (OPTICSMEET 2021), 1013, Online, Nov. 2021. Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
High refractive index contrast meta-surfaces for sensing and emitting devices,
The 11th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META 2021), 1A3, Online, Jul. 2021.

(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85172449112

(Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Theoretical investigation of tunable wavelength filter with TiO2-based bi-layer subwavelength grating,
12th International Conference on Optics-photonics Design & Fabrication, 02PS2-10, Online, Jun. 2021. Yuusuke Takashima, Sasada Atsuki, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Design of AlN-subwavelength grating for deep ultraviolet wavelength reflector operating at 244 nm of wavelength,
The 8th Optical Manipulation and Structured Materials Conference, OMC-P-02, Online, Apr. 2021.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.2616175
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85120469004

(DOI: 10.1117/12.2616175, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
High refractive index contrast meta-structures for GaN-based and sensing applications operating at deep ultraviolet to visible wavelength,
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 08pD07O, Online, Mar. 2021. Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Significant enhancement of magneto-optical effect at ultraviolet wavelength using Nisubwavelength grating on SiO2/Ni structure,
30th International Symposium on Imaging, Sensing, and Optical Memory (ISOM'20), We-B-03, Online, Dec. 2020. Yua Okano, Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Magnetically tunable visible reflectivity utilizing the electron accumulation in indium-tin-oxide waveguide layer with subwavelength grating,
SPIE Optics + Photonics 2020 DIgital Forum, 11467-64, DIgital Forum, Aug. 2020.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.2568382
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85091964007

(DOI: 10.1117/12.2568382, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Kohei Moriiwa, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Ni subwavelength grating/SiO2/Ag based optical magnetic field sensor with normal incident geometry,
SPIE Optics + Photonics 2019, 11089-67, San Diego, Aug. 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.2529017
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85072916851

(DOI: 10.1117/12.2529017, Elsevier: Scopus) Takuro Tomita, Hiroki Kawakami and Yoshiki Naoi :
Femtosecond laser irradiation aided low-temperature thermal anneal of Ni electrode on SiC,
The 8th International Congress on Laser Advanced Materials Processing, We2-L8, Hiroshima, May 2019. Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Optical magnetic field sensor based on guided mode resonance with Ni subwavelength grating/ waveguide structure,
SPIE Photonics West 2019, 10928-64, San Francisco, Feb. 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.2509490
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85066760901

(DOI: 10.1117/12.2509490, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Dual-wavelengths Filter Operating at Visible Wavelength Region using Subwavelength Grating on Waveguide Structure,
11th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication, 28PSa-24, Hiroshima, Nov. 2018. Hiroyuki Katayama, Yoshiki Naoi, Tatsuya Okada, Yasuhiro Tanaka and Takuro Tomita :
Study of ohmic contact electrode on p-GaN using moderate crystal damage effect induced by femtosecond laser irradiation technique,
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, ThP-ED-6, Kanazawa, Nov. 2018. Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Guided mode resonance based magnetic field sensor including Ni nano-grating,
2018 Joint Symposia on Optics, 31aCJ5, Tokyo, Oct. 2018.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1364/OPJ.2018.31aCJ5
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85065837176

(DOI: 10.1364/OPJ.2018.31aCJ5, Elsevier: Scopus) Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Refractive Index Sensor Using Subwavelength Grating on Waveguide with Normal Incident Configuration,
The 23rd Microoptics Conference, P-18, Taipei, Oct. 2018. Hiroyuki Katayama, Hiroki Kawakami, Yasuhiro Tanaka, Yoshiki Naoi, Tatsuya Okada and Takuro Tomita :
Femtosecond laser irradiation for the low contact resistance electrode fabrication on p-type gallium nitride,
19th International Symposium on Laser Precision Microfabrication (LPM 2018), 57, Edinburgh, Jun. 2018. Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Magnetic field sensing by bi-layer Ni-based subwavelength periodic structure operating visible wavelength region,
The 22nd Microoptics Conference, 256-257, Tokyo, Nov. 2017.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.23919/MOC.2017.8244583
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85045896038

(DOI: 10.23919/MOC.2017.8244583, Elsevier: Scopus) Yu Okamoto, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi :
Characterization of polarized ultraviolet light emitting diode by using subwavelength grating electrode,
International Workshop on UV Materials and Devices 2017, We-18, Fukuoka, Nov. 2017. Hiroki Kawakami, Yoshiki Naoi and Takuro Tomita :
Formation of Ni ohmic electrode on SiC by femtosecond laser irradiation associated with thermal annealing,
International Workshop on UV Materials and Devices 2017, We-P5, Fukuoka, Nov. 2017. Hiroyuki Katayama, Yuki Yamasaki, Hiroki Kawakami, Yoshiki Naoi and Takuro Tomita :
Annealing of Ni/Au electrode on p-GaN by femtosecond laser irradiation,
International Workshop on UV Materials and Devices 2017, We-P3, Fukuoka, Nov. 2017. Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Normal incident type detection of the refractive index using subwavelength grating at violet wavelength,
The 24th Congress of the International Comission for Optics, Th1G-07, Tokyo, Aug. 2017. Yuusuke Takashima, Masato Tanabe and Yoshiki Naoi :
Highly polarized ultraviolet light control using Ge subwavelength grating,
The 2016 Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology, 1P-011, Sapporo, Oct. 2016. Yuusuke Takashima, Masato Tanabe, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Theoretical investigation for the polarization in control in UV wavelength region by using eigen mode within subwavelength grating,
10th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication, 1S2-08, Weingarten, Mar. 2016. Yuusuke Takashima, Ryo Shimizu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Improvement of Polarization Characteristics of UV-LED by Using Sub-Wavelength Grating with Low Index Underlayer,
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, B1-O-11, Nagoya, Mar. 2015. Eizo Yanagita, Manato Deki, Yoshiki Naoi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima and Takuro Tomita :
Shallow impurity levels in femtosecond laser modified areas on semi insulating 6H-SiC,
9th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications, 111, Matsue, Sep. 2014. Ryo Shimizu, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi :
Polarized Light Emission from Blue-LED with SiO2 Subwavelength Grating,
6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 06aP40, Nagoya, Mar. 2014. Shodai Takayoshi, Manato Deki, Yoshiki Naoi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima and Takuro Tomita :
Temperature Dependence of Electric Conductivities in Femtosecond Laser Modified Areas in Silicon Carbide,
The International Conference on Silicon CArbide and Related Materials, Mo-P-29, Miyazaki, Sep. 2013. Yuusuke Takashima, Ryo Shimizu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Optical characteristics of UV-LED with subwavelength grating,
The 18th Microoptics Conference, H62, Tokyo, Sep. 2013. Shigeki Matsuo, Keiji Oda and Yoshiki Naoi :
Three-Dimensional Micro Modification and Selective Etching of Crystalline Silicon Using 1.56-m,
The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2013), Kyoto, Jul. 2013. Yuusuke Takashima, Ryo Shimizu and Yoshiki Naoi :
Fabrication of subwavelength grating with high aspect ratio on GaN LED,
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, P3083B, Nagoya, Jan. 2013. Dohyung Kim, Heesub Lee, Kazuya Yamazumi, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Fabrication of C-doped p-AlGaInN LED by the insertion of Al4C3,
International Workshop on Nitride Semiconductor 2012, TuP-OD-1, Sapporo, Oct. 2012. Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Theoritical analysis for lineraly polarized emission in UV-LED with subwavelength grating structure,
International Workshop on Nitride Semiconductor 2012, MoP-OD-41, Sapporo, Oct. 2012. Yun-Jeong Choi, Takunari Fujimoto, Fumiya Horie, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Growth of Diamond like Carbon Film with Phosphorus Incorporation Using CVD Technique,
The Sixteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, FrA2-2, Busan, May 2012. Dohyung Kim, Fumiya Horie, Yuya Ohnishi, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Characteristics of Si and P-doped Al4C3 by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy,
The Sixteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, TuP-71, Busan, May 2012. Jin-Ping Ao, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno :
Thermally Stable TiN Schottky Contact on AlGaN/GaN Heterostructure,
The 11th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, Kyoto, Jul. 2011. Y. Yoshida, K. Hara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
MOCVD-GaN growth on separated GaN from sapphire using Tantalium,
Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, No.We-P47, 321-322, Toba( Mie, Japan), May 2011. Fumiya Horie, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
High Temperature Growth of AlxCy by Chemical Vapor Deposition,
The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16), Beijing, Aug. 2010. Yoshiki Naoi and Yoshifumi Nishio :
Current Challenges of the Double Degree Master Program in Electrical and Electronic Engineering,
Proceedings of the Fifth International Symposium on the Development of the Global Double Degree Program (GDDP), 15, Tokushima, Aug. 2010. Katsushi Nishino, Yuusuke Sawai, Yuji Nariyuki, Takeshi Noda, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
TEM Observation of Re-Grown GaN on Nano-Patterned GaN Template,
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrP77, Takamatsu, Jun. 2010. Jing Zhang, Takumi Taoka, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
Front and Back Side Illumination of a Nano-Structured AlGaInN Photodetector,
2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, PB064C, Nagoya, Mar. 2010. Kohei Hara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Ta-etching of GaN by the Metalorganic Chemical Vapor Deposition-re-growth of GaN,
2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, PB055B, Nagoya, Mar. 2010. Koji Kawasaki, Seiji Kitamura, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Growth of SiGeC Thin Film on Si Substrate by Metal Organic Chemical Vaoir Deposition,
Fifth International Workshop on NEW GROUP IV SEMICONDUCTOR NANOELECTRONICS, P-09, Sendai, Jan. 2010. Yoshiki Naoi, Mitsuaki Tohno, Tianya Tan, Masakazu Matsmoto, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
GaN-bsed Light Emitting Diodes with Periodic Nano-structues on the Surface Fabricated by Nanoimprint Lithography Technique,
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, ThP106, Cheju, Oct. 2009. Jing Zhang, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
GaN Surface Nanostructure Photodetector Based on Back Side Incidence,
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, TP145, Cheju, Oct. 2009. Yuji Nariyuki, Masakazu Matsmoto, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
Evaluation and Re-growth of GaN on Nano-patterned GaN on a Sapphire Substrate,
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, TP113, Cheju, Oct. 2009. Takesi Noda, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Crack Reduction of AlGaN on GaN/sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, MP14, Cheju, Oct. 2009. Kohei Hara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
GaN Re-growth Using Ta Mask by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, MP9, Cheju, Oct. 2009. Jing Zang, S. Okuno, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka :
The surface nanostructure photo-voltaic property of GaN-based photodetector,
Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009), MO3-7, Zhangjiajie, May 2009. Ryo Matsuoka, Takashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate,
Second International Symposium on Growth of III-Nitrides, MO-44, Izu, Jul. 2008. M Tohno, T Okimoto, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, T Kusuura, A Mitra, S Nouda, M Kimura, S Kawano and Y Muramoto :
GaN-LED's on nano-etched sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition,
The first International conference on White Light-Emitting Diodes(LEDs) and Solid State Lighting (SSL), Tokyo, Nov. 2007. T Okimoto, M Tsukihara, K Kataoka, A Kato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
GaN- and AlGaN-based UV-LEDs on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,
The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007), Kyoto, Oct. 2007. K. Ikeda, R. Matsuoka, T. Hama, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee :
An a-GaN and an a-InGaN on r-Sapphire by Relatively High Temperature Metal organic Chemical Vapor Deposition,
The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Jeonju, Mar. 2007. Yoshiki Naoi, K. Ikeda, T. Hama, R.J. Choi, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee :
Investigation of InGaN films on a-plane GaN grown by metal organic chemical vapor deposition technique,
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. Yoshiki Naoi, K. Ono, K. Ikeda, R.J. Choi, T. Fukumoto, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee :
Blue light emitting diode fabricated on a-plane GaN film over r-sapphire substrate and on a-plane bulk GaN substrate,
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. M. Tsukihara, K. Sumiyoshi, T. Okimoto, K. Kataoka, S. Kawamichi, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition,
First International Symposium on Growth of III-Nitrides, Linkoping, Jun. 2006. K. Ikeda, R.J. Choi, T. Fukumoto, K. Ono, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai :
Visible light emitting diode using a-plane GaN on r-sapphire substrate with an InAlN buffer layer and a high temperature atomic layer epitaxy,
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006. K. Sumiyoshi, M. Tsukihara, K. Kataoka, S. Kawamichi, T. Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Al0.17Ga0.83N film with middle temperature intermediate layer grown on trenched sapphire substrate by MOCVD,
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006. R.J. Choi, Shiro Sakai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, M. Koike and S.M. Lee :
Efficient non-polar a-plane light-emitting-diodes grown using AlInNbuffer and intermediate layer,
6th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Montpellier, May 2006. Y Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Ken Kataoka, Kiyoshi Okimoto, Shuichi Kawamichi, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
High-quality AlGaN film grown on the patterned sapphire substrate using a low-temperature intermediate layer by MOCVD,
International COE Workshop on Nano Processes and Devices, and Their Applications, 75-76, Nagoya University, Dec. 2005. Yoshiki Naoi, Akihiro Nakamura, Kodai Ono, Hisao Sato, H Yamamoto, M Mikura, Suguru Nouda and Shiro Sakai :
Impurity induced disordering of p-type AlGaN-GaN Superlat-tice Structures,
6th International Conference on Nitride Semiconductors, Th-P-023, Bremen, Aug. 2005. Fawang Yan, Yoshiki Naoi, Masashi Tsukihara, Shuichi Kawamichi, Takayuki Yadani and Shiro Sakai :
Diffusion Effect Induced InAsN Films Growth on GaAs(100) Substrates by MOCVD,
The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), TuP.79, Higashiura, Jul. 2005. Yoshiki Naoi, Hisao Sato, Hiroshi Yamamoto, Kodai Ono, Akihiro Nakamura, Masahiro Kimura, Suguru Nouda and Shiro Sakai :
Growth and fabrication of AlGaInN-based UV-LEDs using SiN nano-mask,
Proceedings of SPIE, Vol.5722, 417-422, San Jose, Apr. 2005.

(要約): AlInGaN系紫外発光ダイオードの活性層へのSiN添加効果について検討した.カソードルミネッセンス法およびAFMを用いて,発光効率のSiN添加による変化の物理的機構を議論し,成長モデルを提案した.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1117/12.601958
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-23744446756

(DOI: 10.1117/12.601958, Elsevier: Scopus) Masashi Tsukihara, Yoshiki Naoi, Hongdong Li, Tomoya Sugahara and Shiro Sakai :
Cathodeluminescence and TEM Study of GaN Films Grown with GaNP Buffer Layer by MOCVD,
5th International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, May 2003.

(要約): 低温成長GaNPのカソードルミネッセンス，TEMの結果を示した．カソードルミネッセンスでは転位からの発光がへり，TEMの結果からは転位密度が1/4になったことが示された．

Young-Bae Lee, Ryohei Takaki, Hisao Sato, Jin-Ping Ao, Yu-Huai Liu, Hong-dong Li, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
High Efficiency GaN Light-Emitting Diode with High Resistance P-Pad Region Using Plasma Surface Treatment,
5th International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, May 2003.

(要約): p型の一部をプラズマで絶縁化し，p領域全体に電流が回り発光ダイオードの効率改善に有利に働くことを見出した．

Masashi Tsukihara, Yoshiki Naoi, Yukio Ihara and Shiro Sakai :
XPS Measurement of InNAs,
5th International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, May 2003.

(要約): InNAs の3元素のXPS測定を行った．その結果，Nはアニオン的であるがAsがカチオン的であることがわかった．

Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Daogo Kikuta, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno :
Thermal Stability Investigation on Copper Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,
Abstracts of the 5th International Conference on Nitride semiconductors, Nara, May 2003.

(キーワード): copper gate / thermal stability / HEMT / AlGaN/GaN

Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Hong-Xing Wang, Yu-Huai Liu, Yoshiki Naoi, Daigo Kikuta, Shiro Sakai and Yasuo Ohno :
Investigation of Copper Schottky Contact on n-GaN Grown on Sapphire Substrate,
Proceeding of First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 258-259, Awajishima, Mar. 2003.

(キーワード): copper / GaN / Schottky contact / Schottky barrier height / I-V measurement / C-V measurement

Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno :
High Temperature Stability of Cu-Gate AlGaN/GaN HEMT,
Proceedings of the Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2003, 64-65, Naha, Jan. 2003.

(キーワード): high temperature stability / Cu-gate / AlGaN/GaN / HEMT / SIMS

Hirofumi Yamamoto, Yoshiki Naoi, S Shinjo, K Noami, Naotaka Kubota, Takeshi Inaoka and Yoshihiro Shintani :
Surface Orientation Effect of Diamond Growth on Platinum Substrate,
8th International Conference New Diamond Science and Technology, Melbourne, Jul. 2002.

(要約): 白金基板上へのダイヤモンド成長における表面配向効果について議論した.

Yoshiki Naoi, S. Wakimoto, H. Yamamoto, Nan Jiang and Yoshihiro Shintani :
X-ray diffraction study of diamond grown on platinum foil substrate by microwave plasma chemical vapor deposition,
Proceeding of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Application, 694-697, Tokushima, Nov. 1999.

(要約): 白金上に成長されたダイヤモンド膜の初期段階をX線回折法により調査した.その結果,ダイヤモンドは高品質でストレスフリーであること,また,白金膜は格子定数差による圧縮応力を受けていることを明らかにした.

Nan Jiang, I. Ota, Susumu Kujime, Takeshi Inaoka, Yoshiki Naoi and Yoshihiro Shintani :
Growth of diamondlike carbon by microwave-plasma-enhanced chemical-vapor-deposition method,
Proceeding of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Application, 698-701, Tokushima, Nov. 1999.

(要約): マイクロ波プラズマCVD法によりDLC膜成長を検討した.Si基板上に成長した炭素膜の構造は成長前処理により影響されること,また本手法がDLC形成に有効であることを示した.

Nan Jiang, Susumu Kujime, T Tokuyama, Takeshi Inaoka, Yoshiki Naoi and Yoshihiro Shintani :
Structural analysis of chemical-vapor-deposited diamond films on Pt substrates by transmission electron microscopy,
Proceeding of the 5th International Conference on Application of Diamond Films and Related Materials, 426-430, Tsukuba, Aug. 1999.

(要約): 白金(111)基板上の高配向ダイヤモンド膜をTEMにより評価した.(111)配向ダイヤモンドは平均サイズ20-30nmの高密度転位ループを含み,結晶欠陥を支配していることを示した.

Tomoya Sugahara, Tao Wang, Maosheng Hao, Daisuke Nakagawa, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Phase Separation Mechanism around Dislocation in an InGaN/GaN Quantum Well Structure,
Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors, Vol.xxvi+892, 645-650, Nara, Jan. 1999.

(要約): MOCVD法により成長されたサファイア上InGaN中の光学特性に対する転位の役割についてカソードルミネッセンス法，TEM,AFMを用いて評価した．InGaN中の相分離はInGaNが厚く，成長温度が低い時におこることを示し，相分離と転位の関係を議論した．

Maosheng Hao, Sourindra Mahanty, Y Morishima, Hironori Takenaka, Jie Wang, Satoru Tottori, Masaaki Nozaki, Yasuhiro Ishikawa, Tomoya Sugahara, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Stacking Fault and Its Effect on the GaN Epitaxial Growth,
Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors, Vol.xxvi+892, 675-680, Nara, Jan. 1999.

(要約): 様々な手法を用いて成長されたGaNをTEMにより評価し,積層欠陥の振る舞いについて議論した.

Marek Osinski, P.G. Eliseev, P. Perlin, Jinhyun Lee, Hisao Sato, Tomoya Sugahara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Anomalous Temperature Behaviour and Band Tailing in InGaN/GaN Heterostructures Grown on Sapphire by MOCVD,
Technical Digest. Summaries of Papers Presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Conference Edition., Vol.6, 276-277, Oct. 1998.

(要約): MOCVD成長されたInGaN/GaNヘテロ構造における光学特性の異常な温度特性およびバンドテイリング効果について議論した.

Maosheng Hao, Tomoya Sugahara, Satoru Tottori, Masaaki Nozaki, Satoshi Kurai, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Correlation between Dislocations and Luminescence in GaN,
Proceedings of SPIE, Vol.3419, 138-145, Taipei, Jul. 1998.

(要約): MOCVD成長されたGaNについて,その転位と光学特性の相関を,カソードルミネッセンス法およびTEM観察により調査した.点欠陥が黄色発光の起源であることおよび転位よりも光学特性におおきな影響を与えることを示した.

Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu and Yoshiki Naoi :
Ultra-wide dynamic structural colors with width-modulated Cr-subwavelength grating on Ni/SiO2 films,
第85回応用物理学会秋季学術講演会JSAP-Optica Joint Symposia 2024, Vol.16p-B4-3,

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

福田海人, 須藤直也, 関宏都, 川上拓哉, 遠藤翼, 高林圭佑, 小林洋平, 山口誠, 永松謙太郎, 髙島祐介, 直井美貴, 富田卓朗 :
p型窒化ガリウム上Ni/Au電極へのサブピコ秒レーザー照射による電気特性改質,
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18p-A25-13, 2024年9月. 須藤直也, 関宏都, 川上拓哉, 高林圭佑, 土屋叡本, 遠藤翼, 髙島祐介, 永松謙太郎, 直井美貴, 山口誠, 岡田達也, 小林洋平, 富田卓朗 :
超短パルスレーザーによるSiC上オーミック電極の電気特性のパルス時間幅依存性,
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18p-A25-11, 2024年9月. 福田海人, 須藤直也, 関宏都, 川上拓哉, 遠藤翼, 高林圭佑, 小林洋平, 山口誠, 永松謙太郎, 髙島祐介, 直井美貴, 富田卓朗 :
p-GaN/電極界面へのピコ秒レーザー照射による影響評価,
2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Bp-5, 2024年7月. 高柳祐介, 藤井滉樹, 松原優翔, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
N極性核形成層を用いたAlNの低転位化手法,
中四国応用物理学会, 2024年7月. 藤井滉樹, 松原優翔, 高柳祐介, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
次世代高移動度HEMTチャネル層に向けたAlNステップ形状改善に関する研究,
中四国応用物理学会, 2024年7月. 松原優翔, 藤井滉樹, 高柳祐介, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
有機金属気相成長法による超高温AlGaN成長,
中四国応用物理学会, 2024年7月. 長尾優士, 直井美貴, 原口雅宣, 永松謙太郎, 髙島祐介 :
Geサブ波長格子内の振幅変調波を利用した GaN系紫外LEDの偏光制御,
2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 2024年7月. 松原優翔, 富田敦之, 藤井滉樹, 髙柳祐介, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
高温 AlGaN 成長における供給 Al/Ga モル比と AlN モル分率の関係,
第71回応用物理学会春季学術講演会, 24a-21C-2, 2024年3月. 髙柳祐介, 富田敦之, 藤井滉樹, 松原優翔, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
TMAパルス供給によるAlNの高温成長,
第71回応用物理学会春季学術講演会, 24a-21C-3, 2024年3月. 岡野裕有, 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
高屈折率基板上AlNサブ波長回折格子を用いた深紫外域における共鳴反射の狭帯域化,
第71回応用物理学会春季学術講演会, 24a-P06-3, 2024年3月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
Ni/SiO2/Crサブ波長格子構造の光損失性を積極的に利用した屈折率検出,
第71回応用物理学会春季学術講演会, 24a-P06-2, 2024年3月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics) / 電気電子材料 (electrical and electronic materials)

福田海人, 須藤直也, 関宏都, 川上拓哉, 永松謙太郎, 高林圭佑, 小林洋平, 山口誠, 髙島祐介, 直井美貴, 富田卓朗 :
p型窒化ガリウム上金属電極へのピコ秒レーザー照射の影響,
令和6年電気学会全国大会, 2-079, 2024年3月. 小幡翼, 直井美貴, 髙島祐介 :
磁気光学効果増大に向けた磁性体サブ波長構造内の光固有モード制御の検討,
令和5年度電気・電子・情報関係学会四国支部連合大会, 11-8, 2023年9月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

永井瑶靖, 直井美貴, 髙島祐介 :
AlN サブ波長回折格子の構造変形による集光特性動的制御検討,
令和5年度電気・電子・情報関係学会四国支部連合大会, 11-7, 2023年9月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
Ni サブ波長格子/SiO2/Ni 構造を用いた可視域における構造色の動的制御,
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P04-14, 2023年9月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

古田俊輔, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴, 髙島祐介 :
Fe極薄膜を含む多層薄膜による複素フレネル反射を利用した可視-近赤外ブロードバンド吸収体,
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-A309-4, 2023年9月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

岡野裕有, 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
高アスペクト比 AlN サブ波長周期構造を用いた深紫外域における共鳴反射の狭帯域化,
2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ep-6, 2023年7月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

古田俊輔, 永松謙太郎, 直井美貴, 髙島祐介 :
多層薄膜中の大きな複素フレネル多重反射を用いた光吸収スペクトルの狭帯域化,
2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ep-5, 2023年7月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

髙柳祐介, 富田敦之, 藤井滉樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
窒化処理した高温成長AlNにおける極性反転,
2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 2023年7月. 松原優翔, 富田敦之, 藤井滉樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
高オフ角サファイア基板上AlNのステップバンチング低減技術,
2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 2023年7月. 富田敦之, 宮川拓己, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
超高温MOVPEを用いたAlGaN成長,
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年3月. 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
大きな光損失性材料を含む多層膜構造を用いた高感度屈折率検出の提案,
第70回応用物理学会春季学術講演会, 17p-A305-14, 2023年3月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

和泉建哉, 桑島史欣, 谷正彦, 守安毅, 岡本敏弘, 山口堅三, 直井美貴, 髙島祐介, 原口雅宣 :
ボウタイ型プラズモンアンテナの作製,
第70回応用物理学会春季学術講演会, 15p-PB01-2, 2023年3月. 加藤優遼, 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
高屈折率差サブ波長周期構造を2つ組み合わせた2波長屈折率センサーの検討,
レーザー学会学術講演会第43回年次大会, P01-20p-P-19, 2023年1月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

富田敦之, 宮川拓己, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
気相反応抑制下におけるAlN高温成長の最適化のためのV/III比依存性,
第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Fr-P19, 2022年11月. 笹田侑, 宮川拓己, 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
エアギャップ型高屈折率差サブ波長格子を用いた深紫外高反射リフレクターの提案,
日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2022, Vol.P15, 2022年11月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

根津武寛, 宮川拓己, 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
2層サブ波長格子による紫外域用高感度屈折率検出素子の検討,
日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2022, Vol.P14, 2022年11月.

(キーワード): ナノ光学 (nanophotonics)

Yuusuke Takashima, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi :
Enhancement of Polar Kerr Magneto-Optical Effect in wide wavelength region using TiO2/Fe/Ag multilayer system,
第83回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP-Optica-SPP Joint Symposia 2022, 20p-C304-12, Sep. 2022. 富田敦之, 津田翔太, 宮川拓己, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
低オフ角サファイヤ基板を用いた高温AIN成長におけるV/Ⅲ比依存性,
第69回応用物理学会春季学術講演会, 25a-E203-3, 2022年3月. 宮川拓己, 津田翔太, 富田敦之, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
高温有機金属気相成長法におけるAlNの特異的なステップバンチング,
第69回応用物理学会春季学術講演会, 25a-E203-2, 2022年3月. 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
高屈折率を有するTiO2極薄膜を用いた深紫外光吸収体,
第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E303-9, 2022年3月. 松尾繁樹, 杉本幸大造, 直井美貴 :
1光子吸収波長のサブナノ秒レーザーを用いたシリコン基板内部における回折格子の作製,
レーザー学会学術講演会第42回年次大会, D03-12p-IV-01, 2022年1月. 富田敦之, 津田翔太, 宮川拓己, 髙島祐介, 直井美貴, 平山秀樹, 永松謙太郎 :
気相反応を制御したMOVPEにおけるAlNのV/III比依存性,
第50回日本結晶成長学会, 2021年10月. 富田敦之, 津田翔太, 宮川拓己, 髙島祐介, 直井美貴, 平山秀樹, 永松謙太郎 :
気相反応を抑制したMOVPEにおけるAlNのV/Ⅲ比依存性,
第50回結晶成長国内会議(JCCG-50), 27p-A12, 2021年10月. 髙島祐介, 笹田侑, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
AlNサブ波長回折格子を用いた深紫外ミラーの広帯域化,
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 13a-N324-3, 2021年9月. 津田翔太, 宮川拓己, 富田敦之, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
インバージョンドメインの抑制による高品質AlN成長手法の確立,
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 13p-N101-10, 2021年9月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
光吸収を持つ導波路構造を利用した屈折率検出の高感度化,
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 11p-N205-11, 2021年9月. 津田翔太, 宮川拓己, 富田敦之, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
極性制御による高品質AlN成長手法の確立,
応用物理学会中四国支部若手研究会, 2021年8月. 富田敦之, 津田翔太, 青野零弥, 宮川拓己, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/III比依存性,
応用物理学会中四国支部若手研究会, 2021年8月. 宮川拓己, 津田翔太, 青野零弥, 揚田侑哉, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
AlNの高流速成長における成長メカニズム,
第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-13, 2021年3月. 津田翔太, 青野零弥, 揚田侑哉, 宮川拓己, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
AlNテンプレート上高温AlN結晶成長,
第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-3, 2021年3月. 永松謙太郎, 津田翔太, 青野零弥, 宮川拓己, 揚田侑哉, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴 :
高温有機金属気相成長装法におけるAlN成長の気相反応抑制,
第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-14, 2021年3月. 中津卓巳, 岡本敏弘, 山口堅三, 直井美貴, 髙島祐介, 原口雅宣 :
Si導波路上に配置した金属ナノ構造の共鳴特性評価,
第68回応用物理学会春季学術講演会, 19a-Z08-8, 2021年3月. 川村武寛, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
二波長で動作する高屈折率メタ構造による高感度屈折率検出,
第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z08-1, 2021年3月. 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
TiO2メタ周期構造を表面に有するAlGaN系深紫外発光ダイオードのコリメート特性,
第68回応用物理学会春季学術講演会, 19a-Z08-7, 2021年3月. 伊藤寛人, 岡本敏弘, 山口堅三, 直井美貴, 髙島祐介, 原口雅宣 :
トンネル接合型テラヘルツ光源のための指向性アンテナの設計,
第68回応用物理学会春季学術講演会, 17a-Z09-6, 2021年3月. 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
構造高さを変調したTiO2メタ表面による集光紫外発光ダイオードの提案,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2020, 17pC4, 2020年11月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
高屈折率差周期ブリッジ構造による可視光フィルター,
第81回応用物理学会秋季学術講演会, 11a-Z17-8, 2020年9月. 水本善雄, 髙島祐介, 直井美貴, 富田卓朗 :
Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射による熱アニールを用いないオーミック電極形成,
第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9a-Z18-4, 2020年9月. 水本善雄, 髙島祐介, 直井美貴, 富田卓朗 :
SiC上Ni電極剥離に着目したフェムト秒レーザ照射改質による電極形成,
2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Bp-7, 2020年8月. 杉本健太, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Ge/Niサブ波長周期電極を有する紫外LEDの偏光特性,
2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Bp-6, 2020年8月. 真名野晧介, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Niナノ粒子/サファイア基板系における紫外・可視光散乱のNi粒径依存性,
2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Bp-3, 2020年8月. 真名野皓介, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
In添加Niナノ粒子を用いた紫外波長フィルター,
第67回応用物理学会春季学術講演会, 15a-PA4-16, 2020年3月. 大下悠, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
変調サブ波長周期電極を用いた集光機能を有する発光ダイオードの理論的検討,
第67回応用物理学会春季学術講演会, 15a-PA4-10, 2020年3月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
GaNサブ波長格子を用いた400nm波長帯で動作する高感度屈折率センサー,
第67回応用物理学会春季学術講演会, 13p-B409-9, 2020年3月. 青野零弥, 髙島祐介, 直井美貴, 安井武史, 永松謙太郎 :
紫外光LEDの大気中における光減衰に関する研究,
第67回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 12p-B409-8, 2020年3月. 真名野皓介, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
インジウムにより制御したニッケル島状構造を用いた高感度光学式磁場センサー,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2019, 4aP3, 2019年12月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Niナノ粒子を用いた光学式磁場センサー感度の粒子径・密度依存性,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2019, 4aP2, 2019年12月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Niナノ粒子を用いた光学式磁場検出の高感度化,
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PA6-19, 2019年9月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
導波層電子蓄積効果を利用した共鳴型カラーフィルター,
2019年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Fp-8, 2019年7月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
低アスペクト比Geサブ波長格子中を用いた可視域偏光フィルター,
第66回応用物理学会春季学術講演会, 11p-PB1-19, 2019年3月. 片山裕之, 直井美貴, 岡田達也, 田中康弘, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー照射による結晶改質がp-GaNへのオーミックコンタクトに与える影響,
第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-W631-12, 2019年3月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
アニール処理によるNiナノ粒子を用いた微小磁場検出,
第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-W621-13, 2019年3月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長回折格子/導波路複合構造による二波長フィルター,
第79回応用物理学会秋季学術講演会, 20p-224A-7, 2018年9月. 杉峻平, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
非線形光学効果によるナノ周期構造透過光制御,
2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ga-4, 2018年8月. 森岩晃平, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Niナノ周期構造/SiO2/Ag薄膜系を用いた磁場検出,
2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ga-3, 2018年8月. 川上博貴, 直井美貴, 富田卓朗 :
ホール測定によるNi/SiC界面に形成されたフェムト秒レーザー改質層の電気特性評価,
第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-P1-4, 2018年3月. 片山裕之, 川上博貴, 今垣諒彌, 橋本拓哉, 山口誠, 田中康弘, 直井美貴, 岡田達也, 富田卓朗 :
p-GaN上オーミック電極形成のためのフェムト秒レーザー照射方法の検討,
第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-A404-11, 2018年3月. 草葉啓太, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長周期構造/導波構造を用いた垂直光入射系屈折率検知,
第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-P9-21, 2018年3月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Ag/Niサブ波長周期構造による垂直入射型磁場センサーの高感度化,
第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-P9-20, 2018年3月. 川上博貴, 直井美貴, 富田卓朗 :
SiC と金属の界面におけるフェムト秒レーザー照射支援アニール,
先進パワー半導体分科会第4回講演会, IIB-8, 2017年11月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Ni ナノ回折格子を用いた垂直入射型微小磁場検出,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2017, 1pP4, 2017年11月. 岡本裕, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長周期金属ストライプ電極を用いた偏光 UV-LED,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2017, 1pP3, 2017年11月. 草葉啓太, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長周期構造を利用した光導波路モード共鳴による可視域二波長帯光検出,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2017, 1pP2, 2017年11月. 川上博貴, 直井美貴, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー照射により作製したSiC上Ni電極の電気特性評価,
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-A410-2, 2017年9月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
2層Niサブ波長周期構造を用いた微小磁場検出,
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-PA3-12, 2017年9月. 草葉啓太, 髙島祐介, 直井美貴, 原口雅宣 :
導波構造上にサブ波長周期構造を実装した可視域二波長帯光検出器の開発,
2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ep-5, 2017年7月. 草葉啓太, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長格子/導波構造を有する二波長帯紫外光検出,
第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-P13-9, 2017年3月. 川上博貴, 直井美貴, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザー支援アニールによるSiC上へのNi電極作製,
第64回応用物理学会春季学術講演会, 15a-512-8, 2017年3月. 山崎勇輝, 川上博貴, 直井美貴, 富田卓朗 :
フェムト秒レーザーアニールによるp-GaN上へのNi/Auオーミック電極作製,
第64回応用物理学会春季学術講演会, 15a-512-7, 2017年3月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長周期構造を用いた垂直入射型屈折率高感度検出,
第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-F202-8, 2017年3月. 佐竹正行, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
表面実装サブ波長周期構造中の固有モードを用いた窒化物系 LED の放射パターン制御,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2016, 1pP16, 2016年11月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
高屈折率差サブ波長周期構造を用いた広範囲な屈折率に対する高感度屈折率検出,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2016, 1pP15, 2016年11月. 田邉聖人, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
紫外域偏光制御におけるナノ周期構造の形状依存,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2016, 1pP4, 2016年11月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長構造中の固有モード波数分散関係を用いた屈折率検出の高感度化,
第77回応用物理学会秋季学術講演会, 15a-P5-14, 2016年9月. 岡本裕, 髙島祐介, 佐竹正行, 田邉聖人, 原口雅宣, 直井美貴 :
高透過ストライプ状p型電極を用いたUV-LEDの光取り出し制御,
2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Bp-11, 2016年7月. 草葉啓太, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長格子/導波構造による二波長帯紫外光検出器の開発,
2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Bp-10, 2016年7月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
ナノ周期構造中の固有モード共鳴を用いた高感度屈折率検出,
第63回応用物理学会春季学術講演会, 21p-P1-8, 2016年3月. 滝谷悠介, 近藤健太, 直井美貴, 富田卓朗, 岡田達也 :
レーザー支援アニールによるNi/SiC界面でのニッケルシリサイド形成及び炭素拡散,
公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第2回講演会, Vol.2, 148, 2015年11月. 髙島祐介, 岡本裕, 田邉聖人, 佐竹正行, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長周期構造の電極を有する窒化物系UV-LEDの発光特性,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2015, 29pC10, 2015年10月. 髙島祐介, 田邊聖人, 原口雅宣, 直井美貴 :
固有モード複素分散関係を用いたサブ波長回折格子の紫外域偏光特性,
第76回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.75, 13a-2A-5, 2015年9月. 田邊聖人, 髙島祐介, 清水亮, 佐竹正行, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長回折格子内固有モード共鳴を用いた紫外光偏光制御,
2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ga-5, 2015年8月. 佐竹正行, 髙島祐介, 清水亮, 田邊聖人, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長回折格子を用いた窒化物系LEDの配向特性評価,
2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ga-4, 2015年8月. 板東洋太, 直井美貴, 富田卓朗 :
SiC基板への回路描画を目指したフェムト秒レーザー改質,
2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ga-3, 2015年8月. 髙島祐介, 田邊聖人, 清水亮, 原口雅宣, 直井美貴 :
Siサブ波長回折格子/SiO2膜/LED構造を有する窒化物系偏光LED,
第62回応用物理学会春季学術講演会, 13p-B1-7, 2015年3月. 清水亮, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長周期構造を有する窒化物系LED の発光特性,
日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2014, 6pP11, 2014年11月. 髙島祐介, 清水亮, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長金属回折格子の紫外域偏光特性の理論検討,
第75 回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.75, 19p-C1-10, 2014年9月. 柳田栄造, 近藤健太, 板東洋太, 出来真斗, 牧野高紘, 大島武, 直井美貴, 富田卓朗 :
SiC のフェムト秒レーザー改質部における電気伝導機構,
第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.75, 03-226, 2014年9月. 北村彩斗, 直井美貴 :
AlxCyPz 薄膜の表面モフォロジーとその物性評価,
平成26年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-3, 2014年9月. 髙島祐介, 清水亮, 原口雅宣, 直井美貴 :
多層サブ波長回折格子を有するLEDの偏光特性,
2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Ea-6, 2014年7月. 髙島祐介, 南原康亮, 清水亮, 原口雅宣, 直井美貴 :
Cr-サブ波長回折格子を用いた紫外域偏光制御の理論的検討,
第61回応用物理学会春季学術講演会, 19a-F10-9, 2014年3月. 岡知輝, 出来真斗, 直井美貴, 牧野高紘, 大島武, 富田卓朗 :
SiCのフェムト秒レーザー改質部における電気伝導度の温度依存性,
第 61 回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集, Vol.61, 04-262, 2014年3月. 清水亮, 髙島祐介, 直井美貴 :
サブ波長回折格子形状のLED偏光特性に対する影響,
第61回応用物理学会春季学術講演会, 17a-E13-2, 2014年3月. 北村彩斗, Choi Yun Jeong, 直井美貴 :
CxPy薄膜へのAl添加効果に関する研究,
平成25年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-5, 2013年9月. 髙島祐介, 清水亮, 原口雅宣, 直井美貴 :
低屈折率膜を有するサブ波長回折格子を実装したUV-LEDの偏光特性,
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-B5-16, 2013年9月. 清水亮, 髙島祐介, 直井美貴 :
低屈折率差サブ波長回折格子を有するLEDからの発光特性,
応用物理学会中国四国支部 2013年度支部学術講演会, Ap-11, 2013年7月. 髙島祐介, 清水亮, 直井美貴 :
UV-LED上サブ波長回折格子の偏光特性評価,
第60回応用物理学会春季学術講演会, 28p-PA1-33, 2013年3月. Choi Yun-Jeong, 富田卓朗, 直井美貴 :
Morphological change of carbon film surface through thermal annealing,
第60回応用物理学会春季学術講演会, 28p-PB3-9, 2013年3月. 藤本拓生, Choi Yun Jeong, 富田卓朗, 直井美貴 :
リン添加による炭素系薄膜CVD成長に関する研究,
第42回結晶成長国内会議(NCCG-42), 10PS08, 2012年11月. 九鬼健, 横山達也, 富田卓朗, 直井美貴 :
MOCVD法によるリン化ゲルマニウム結晶成長に関する研究,
第42回結晶成長国内会議(NCCG-42), 10PS07, 2012年11月. 清水亮, 髙島祐介, 直井美貴 :
SiO2サブ波長回折格子のLED応用に関する検討,
平成24年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-5, 2012年9月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長回折格子による直線偏光UV-LEDの理論的解析,
第73回応用物理学会学術講演会, Vol.12a-PB4-27, 2012年9月. 金度亨, 李熙燮, 山住和也, 直井美貴, 酒井士郎 :
AlxCy によるAlXGa1-xN 中への拡散,
第73回応用物理学会学術講演会, 12p-H9-15, 2012年9月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長回折格子を用いたAlGaN系LEDの偏光選択特性,
応用物理学会中国四国支部 2012年度支部学術講演会, No.Ap-3, 2012年7月. Choi Yun Jeong, 藤本拓生, 堀江郁哉, 直井美貴, 酒井士郎 :
Study of phosphorus incorporated DLC films grown by CVD technique,
第59回応用物理学関係連合講演会, GP5, 2012年3月. 和田祥吾, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
金属マスクを施したサファイア表面周期構造へのGaN成長と評価,
平成22年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-18, 2010年9月. 楠貴大, 沼島明菜, 直井美貴, 酒井士郎 :
ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製,
平成22年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-17, 2010年9月. 松本将和, 福田弘之, 直井美貴, 酒井士郎 :
GaN系UV-LEDの偏光特性,
平成22年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-14, 2010年9月. 川崎晃一, 直井美貴, 酒井士郎 :
MOCVD法によるSiおよびサファイア上へのGeC薄膜の成長,
平成22年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-2, 2010年9月. 堀江郁哉, 直井美貴, 酒井士郎 :
MOCVD法によるAlC薄膜の成長,
第71回応用物理学会学術講演会, 16a-ZT-11, 2010年9月. 原航平, 直井美貴, 酒井士郎 :
Taマスクを用いたMOCVD再成長GaNの表面モフォロジー改善,
第71回応用物理学会学術講演会, 15p-C-8, 2010年9月. 西野克志, 澤井佑介, 成行祐児, 野田丈嗣, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察,
第57回応用物理学関係連合講演会, 19a-TB2, 2010年3月. 直井美貴, 松本将和, 譚天亜, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
表面ナノ周期構造を有するInGaN-LEDからの輻射光空間分布特性,
第70回応用物理学会学術講演会, 11a-X-8, 2009年9月. 野田丈嗣, 直井美貴, 酒井士郎 :
MOCVD-GaN on Sapphire上AlGaNのクラックの低減に関する研究(2),
第70回応用物理学会学術講演会, 11a-E-10, 2009年9月. 原航平, 直井美貴, 酒井士郎 :
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長,
第70回応用物理学会学術講演会, 11a-E-9, 2009年9月. 張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
裏面入射GaN系表面ナノ構造光検出器,
第70回応用物理学会学術講演会, 10a-E-9, 2009年9月. 成行祐児, 松本将和, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
ナノ加工を施したGaN上への再成長及びその評価,
第70回応用物理学会学術講演会, 8p-F-2, 2009年9月. 遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
ナノインプリント技術により周期的ナノ構造を形成したGaN系光デバイスからのEL特性,
第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-11, 2009年4月. 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚, 納田卓, 木村真大, 川野俊輔, 村本宜彦 :
サファイア上周期的ナノ構造を形成するためのナノインプリント技術開発とGaN系LED,
第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-10, 2009年4月. 張晶, 遠野充明, 奥野誠亮, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
GaNナノ加工pnダイオード光検出器,
第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-ZJ-30, 2009年4月. 野田丈嗣, 松岡遼, 直井美貴, 酒井士郎 :
MOCVD-GaN on Sapphire上AlGaNのクラックの低減に関する研究,
第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-ZJ-14, 2009年4月. 北村政治, 川崎晃一, 吉田博紀, 直井美貴, 酒井士郎 :
MOCVD法によるSi基板上へのSi1-x-yGexCy薄膜の成長,
第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-E-6, 2009年3月. 成行祐児, 松本将和, 遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
ナノ加工を用いたGaNのC-V特性,
第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZJ-3, 2009年3月. 南部紗織, 直井美貴, 酒井士郎 :
表面プラズモンポラリトンによる半導体LED の出力改善に関する検討,
平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-4, 2008年9月. 遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 和地順蔵 :
ナノインプリント技術によるサファイア基板上へのナノ構造の形成,
平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-3, 2008年9月. 結城勇介, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
直接合成法を用いたa 面GaN 結晶成長のためのNH3 流量の検討,
平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-2, 2008年9月. 加藤篤, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
SiO2 を斜め蒸着した凹凸GaN テンプレート上へのGaN成長,
平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-1, 2008年9月. 松岡遼, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
ストライプ状金属蒸着膜を使ったAlGaN on GaN/Sapphireの選択MOCVD成長,
2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2a-CA-8, 2008年9月. 松岡遼, 沖本聖, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
金属蒸着膜を使ったAlGaN on GaN/Sapphireの選択MOCVD成長,
2008年(平成20年)春季第55回応用物理学会連合講演会, 29p-B-18, 2008年3月. 沖本聖, 遠野充明, 南部紗織, 北村政治, 月原政志, 片岡研, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
AlGaN系紫外発光ダイオードの光出力に及ぼす電極形状の影響に関する研究,
電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-29, 2007年9月. 南部紗織, 直井美貴, 酒井士郎 :
AlGaN系紫外LEDのエレクトロルミネッセンスの温度特性,
電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-11, 2007年9月. 仁木貴敏, 片岡研, 月原政志, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
MOCVD成長AlGaNのMgドーピングによる結晶性への影響,
電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-22, 2007年9月. 松岡遼, 池田賢司, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
オフ角r面サファイア基板上にMOCVD法によるa面GaNのX線回折による評価,
電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-14, 2007年9月. 加藤篤, 月原政志, 片岡研, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
UV-LED用高Al組成AlGaN結晶の高品質化に関する研究,
電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-11, 2007年9月. 遠野充明, 沖本聖, 直井美貴, 西野克志, 楠浦崇央, ミトラアヌパム, 納田卓, 木村真大, 川野俊輔, 村本宣彦 :
ナノ・エッチングしたサファイア基板上へのGaN-LEDのMOCVD成長,
電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-5, 2007年9月. 遠野充明, 沖本聖, 加藤篤, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, 楠浦崇央, ミトラアヌパム :
ナノ・エッチングしたサファイア上へのGaNのMOCVD成長,
第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. 松岡遼, 池田賢司, 濱敬重, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, Rakjun Choi, S.M. Lee, 小池正好 :
MOCVDにより直接高温成長した高品質a面GaN・InGaN結晶成長,
第54回応用物理学会学術講演会, 2007年3月. 濱敬重, 小野耕大, 池田賢司, Rakjun Choi, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, S.M. Lee, 小池正好 :
a面バルクGaNおよびr面サファイア上a面GaNに作製した青色発光ダイオード,
第67回応用物理学会学術講演会, 2006年9月. 片岡研, 沖本聖, 仁木貴敏, 住吉和英, 月原政志, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
SiNを用いたAlInGaN系紫外LED高出力化の検討,
第67回応用物理学会学術講演会, 2006年9月. 池田賢司, Rakjun Choi, 福本哲也, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, 小池正好, S.M. Lee :
a面成長InGaN/GaN LEDにおけるInGaN活性層の解析,
第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. 仁木貴敏, 月原政志, 沖本聖, 住吉和英, 片岡研, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
中間温度成長AlGaN層と多重量子井戸(MQW)層によるMOCVD成長AlGaN中の転位低減,
応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 144, 2006年7月. 住吉和英, 月原政志, 片岡研, 沖本聖, 直井美貴, 酒井士郎 :
低温中間層による凸凹サファイア基板上Al0.17Ga0.83NのMOCVD,
応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 143, 2006年7月. 沖本聖, 月原政志, 住吉和英, 片岡研, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, 酒井士郎 :
低温成長層の導入によるAlGaNの高品質化,
応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 142, 2006年7月. 濱敬重, 南部紗織, 沖本聖, 月原政志, 片岡研, 住吉和英, 直井美貴, 酒井士郎 :
高Al組成窒化物系UV-LED用Ni/Au系透明電極の解析,
応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 137, 2006年7月. 池田賢司, Choi Rak-Jun, 福本哲也, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, Lee Min Soo, 小池正好 :
AlInN-buffer層上のALEによるa面GaNの高品質化,
第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.26, 401, 2006年3月. 住吉和英, 月原政志, 沖本聖, 河道修一, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長,
第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 378, 2006年3月. 山本真美子, 月原政志, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
フラックス成長BP結晶上へのGaN成長,
第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.22, 346, 2006年3月. 住吉和英, 酒井士郎, 直井美貴, 西野克志 :
窒化物半導体と紫外発光デバイス,
第7回IEEE広島支部学生シンポジウム(HISS), 2005年11月. 沖本聖, 月原政志, 住吉和英, 直井美貴, 酒井士郎 :
AlGaN-MOCVD成長における GaNPバッファ層の効果,
電気関係学会四国支部連合大会, 149, 2005年9月. 河道修一, 住吉和英, 月原政志, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価,
電気関係学会四国支部連合大会, 150, 2005年9月. 山本真美子, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
フラックス法によるBP結晶成長,
電気関係学会四国支部連合大会, 151, 2005年9月. 閻発旺, 住吉和英, 月原政志, 直井美貴, 酒井士郎 :
MOCVD法によるサファイア基板上へのSb添加AlNの成長,
第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 269, 2005年9月. 住吉和英, 月原政志, 河道修一, 直井美貴, 酒井士郎 :
低温GaNPバッファー層を用いた加工サファイア基板上のAlGaN MOCVD成長,
第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 269, 2005年9月. 直井美貴, 中村晃啓, 小野耕大, 酒井士郎, 木村真大, 納田卓 :
p-AlGaN/GaN 超格子構造における不純物ドーピングによる混晶化,
第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 279, 2005年9月. 月原政志, 住吉和英, 閻発旺, 直井美貴, 酒井士郎 :
高品質AlGaNへ向けての低温成長AlGaN層の検討,
第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 274, 2005年9月. Jin-Ping Ao, Kubota Naotaka, Wang Hong-Xing, Liu Yu-Huai, Kikuta Daigo, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai and Yasuo Ohno :
Thermal Stability of Copper Schottky Contact on AlGaN/GaN and n-GaN,
第50回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2003.

(キーワード): Thermal Stability / Copper Schottky Contact / AlGaN/GaN / n-GaN

久保田尚孝, 敖金平, 王宏興, 劉玉懐, 菊田大悟, 直井美貴, 酒井士郎, 大野泰夫 :
n-GaN上のCu及びNi/Auショットキーコンタクトの比較,
第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月.

(キーワード): n-GaN / ショットキーコンタクト

研究会・報告書

永⼭寛太, 桑島史欣, ⾕正彦, 守安毅, 岡本敏弘, 山口堅三, 直井美貴, 髙島祐介, 原口雅宣 :
⾦属ナノ周期構造を搭載した光伝導アンテナの設計及び作製,
次世代光フォーラム2024 in 徳島, P-18, 2024年1月. 和泉建哉, 岡本敏弘, 山口堅三, 直井美貴, 髙島祐介, 谷正彦, 桑島史欣, 守安毅, 原口雅宣 :
ナノ構造を搭載したボウタイ型アンテナの作製,
次世代光フォーラム2023 in 徳島, P-10, 2023年2月. 藤井滉樹, 宮川拓己, 富田敦之, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
X線回折を用いたステップバンチングの発生オフ角評価,
応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会, 2022年8月. 藤田将希, 宮川拓己, 富田敦之, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
MOVPE 超高温成長中断アニーリングによる A lN 転位低減手法,
応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会, 2022年8月. 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
高屈折率ナノ構造による深紫外∼可視域での発光およびセンシングデバイス,
第173回ラドテック研究会講演会, 2, 2021年11月. 富田敦之, 津田翔太, 青野零弥, 宮川拓己, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/Ⅲ比依存性,
2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会, 1-11, 2021年8月. 津田翔太, 宮川拓己, 富田敦之, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
極性制御による高品質AlN成長手法の確立,
2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会, 1-12, 2021年8月. 揚田侑哉, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
AlN高温成長での面内膜厚分布の改善,
LED総合フォーラム2021in徳島, P-17, 2021年2月. 杉本健太, 髙島祐介, 永松謙太郎, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長周期電極を有する紫外発光ダイオード偏光特性に対する電極材料の影響,
LED総合フォーラム2021in徳島, P-10, 2021年2月. 川村武寛, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
TiO2-メタ周期構造による高感度ガス検出用光デバイス,
第一回電子情報通信学会支部CoEシンポジウム, 11, 2021年1月. 髙島祐介, 直井美貴 :
メタ周期構造による偏光UV-LED / メタ構造を利用したセンサーデバイス,
CEATEC 2020 Online, 2020年10月. 青野零弥, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
深紫外LEDの大気中における光減衰に関する研究,
LED総合フォーラム2020in徳島, P-16, 2020年2月. 大下悠, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Ge/Niサブ波長周期電極構造を用いた配光制御発光ダイオードの理論的検討,
LED総合フォーラム2020in徳島, P-11, 2020年2月. 杉本健太, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
高屈折率材料を用いたサブ波長回折格子電極による紫外LEDの偏光制御,
LED総合フォーラム2020in徳島, P-10, 2020年2月. 岡野裕有, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
導波層電子蓄積効果を利用した共鳴型カラーフィルター,
レーザー学会中国・四国支部，関西支部連合若手学術交流研究会, A-2, 2019年11月. 村上堅也, 直井美貴, 髙島祐介, 永松謙太郎 :
深紫外LEDの発光層温度予測と寿命の関係,
徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019, P-20, 2019年10月. 青野零弥, 髙島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎 :
次世代癌治療用深紫外スポットLEDの開発,
徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019, P-19, 2019年10月. 津田翔太, 直井美貴, 髙島祐介, 永松謙太郎 :
次世代殺菌浄水システム,
徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019, P-18, 2019年10月. 大下悠, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
自動運転応用に向けた紫外LEDの高機能化に関する理論的検討および取り組み,
徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019, P-21, 2019年10月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
微細ナノ構造を用いた可視∼紫外フォトニックデバイス,
第69回CVD研究会「第30回夏季セミナー」, 2019年8月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長周期電極構造を用いた発光ダイオードの配光特性制御の理論的検討,
LED総合フォーラム2019in徳島, P-15, 2019年2月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
磁性体ナノ構造を用いた導波路共鳴磁場センサー,
日本光学会ナノオプティクス研究グループ第25回研究討論会, P06, 2018年11月. 髙島祐介, 草葉啓太, 原口雅宣, 直井美貴 :
サブ波長回折格子/LED構造を用いた垂直入射による高感度屈折率検出の理論的検討,
LED総合フォーラム2018in徳島, P-6, 2018年2月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Ni ナノ周期構造を用いた垂直光入射配置型磁場センサーの開発,
日本材料学会平成29 年度第 4 回半導体エレクトロニクス部門委員会第1 回講演会, P5, 2018年1月. 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
Niサブ波長周期構造を用いた垂直入射型高感度磁場センサー,
日本光学会ナノオプティクス研究グループ第24回研究討論会, 2017年12月. 佐竹正行, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 :
FDTD法を用いたサブ波長周期構造によるLED放射パターンの理論的検討,
LED総合フォーラム2016in徳島, P-4, 2016年12月. 岡本裕, 髙島祐介, 直井美貴 :
サブ波長周期構造電極を有する低光損失偏光UV-LEDの理論的検討,
LED総合フォーラム2016in徳島, P-3, 2016年12月. 川上博貴, 近藤健太, 直井美貴, 富田卓朗 :
連続波レーザーアニールによるSiC上へのNi電極作製と評価,
第35回電子材料シンポジウム, Vol.114, No.338, Fr1-5, 2016年7月. 町田優奈, 髙島祐介, 清水亮, 田邊聖人, 佐竹正行, 直井美貴 :
サブ波長金属回折格子を用いた紫外域偏光制御における材料及び構造設計指針の理論検討,
LED総合フォーラム2014-2015in徳島, P-4, 2015年1月. 髙島祐介, 田邊聖人, 佐竹正行, 町田優奈, 清水亮, 原口雅宣, 直井美貴 :
有限時間領域差分法による紫外域の多層サブ波長回折格子偏光特性の理論的検討,
LED総合フォーラム2014-2015in徳島, P-3, 2015年1月. 髙島祐介, 清水亮, 原口雅宣, 直井美貴 :
多層サブ波長回折格子を用いた窒化物系直線偏光LED,
信学技報, Vol.114, No.338, 69-72, 2014年11月. 髙島祐介, 清水亮, 北村彩人, 西野克志, 直井美貴, 下村直行, 大来雄二 :
学習者の地域性に即した事例を用いた技術者倫理教育の学習効果,
電気学会研究会資料, Vol.FIE-13, No.3, 31-35, 2013年12月. 下村直行, 直井美貴, 橋爪正樹 :
初年度教育・導入教育としてのエンジニアリング入門教育の導入,
電気学会研究会資料, Vol.FIE-13, No.2, 25-28, 2013年9月.

(キーワード): 葛飾

清水亮, 髙島祐介, 直井美貴 :
高屈折率差サブ波長回折格子のLED応用への検討,
LED総合フォーラム2013in徳島, P-93, 2013年4月. 髙島祐介, 馬渕良, 直井美貴, 下村直行, 大来雄二 :
技術者倫理科目におけるアンケートによる教育改善とTAの教育寄与,
電気学会研究会資料, Vol.FIE-12, No.3, 41-46, 2012年12月. 髙島祐介, 直井美貴 :
金を用いたサブ波長回折格子の偏光制御,
LED総合フォーラム2012in徳島, P-19, 2012年4月. 馬渕良, 影山達也, 下村直行, 直井美貴, 大来雄二 :
大学における技術者倫理教育に対する講義用Webページの活用,
電気学会研究会資料, Vol.FIE-11, No.3, 23-28, 2011年12月. 楠貴大, 沼島明菜, 直井美貴, 酒井士郎 :
ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製と高性能LED作製への応用検討,
LED総合フォーラム, 103-104, 2011年6月. 松本将和, 福田弘之, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
表面・界面に周期構造を有するGaN系LEDの配向特性評価,
LED総合フォーラム, 69, 2010年4月. 西野克志, 直井美貴 :
電気電子工学科基礎科目における再履修生を対象とした授業の試み,
工学教育シンポジウム2010(SEE2010), 2010年3月. Y.J. Choi, Yoshiki Naoi, Kohei Hara, Masakzu Matsumoto, Shiro Sakai and S.N. Yi :
GaN nanorod fabrication by reactive ion etching and nanoimprint lithography technique,
Proceedings of the fourth symposium on "The Fourth International Symposium:Development of the Global Doble Degree Program(GDPP)", 54, Dec. 2009. 張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 :
GaN系表面ナノ構造光検出器,
電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.109, No.288, 83-87, 2009年11月. 原航平, 直井美貴, 酒井士郎 :
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長,
電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.109, No.288, 1-4, 2009年11月. 直井美貴 :
紫外線LEDの開発動向と今後の応用について,
徳島ビジネスチャレンジメッセ2009 LEDコンソーシアム基調講演, 2009年10月. 直井美貴 :
LEDの光出力改善技術,
技術情報協会:LED照明の高輝度・長寿命化技術セミナー, 2009年5月. 遠野充明, 張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 和地順蔵 :
ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性,
電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.ED2008-158, 2008年11月. 遠野充明, 沖本聖, 直井美貴, 西野克志, 酒井士郎, 楠浦崇央, ミトラアムパム, 納田卓, 木村真大, 川野俊輔, 村本宣彦 :
ナノ微細加工サファイア基板上へのGaN系発光ダイオードの作製,
第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P3, 2007年12月. 松岡遼, 池田賢司, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
オフ角r面サファイア上MOCVD成長a面GaNのX線回折評価,
第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P2, 2007年12月. 北村政治, 沖本聖, 遠野充明, 南部紗織, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 :
340nm帯ナイトライド系 UV-LEDの自己発熱と電流集中効果による発光特性への影響,
第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P1, 2007年12月. K Kataoka, M Tsukihara, T Niki, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
The segragation and saturation phenomena of Mg concentration in AlGaN,
26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), Vol.H7, Jul. 2007. R Matsuoka, K Ikeda, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai :
Chracterization of a-plane MOCVD-grown GaN on off-angle r-plane sapphire substrates,
26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), Vol.E12, Jul. 2007.

特許: 酒井士郎, 直井美貴 : 発光ダイオードおよびその製造方法, 特願2010-509270 (2008年5月), 特許第5384481号 (2013年10月). Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (Mar. 2006), . 酒井士郎, 直井美貴, チョイラクジュン, リースンミン, 小池正好 : 非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2006-47294 (2006年2月), . 酒井士郎, 直井美貴, チョイラクジュン : 無極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2005-25184 (2005年3月), .
作品: 研究者総覧に該当データはありませんでした。
補助金・競争的資金: サブ波長ナノ構造を用いた多機能LEDの開発 (研究課題/領域番号: 18K04238 )
フェムト秒レーザー光照射によるワイドバンドギャップ半導体と金属界面の非熱的合金化 (研究課題/領域番号: 17H03147 )
近赤外フェムト秒レーザーを用いるシリコンの新奇三次元微細加工技術の開発 (研究課題/領域番号: 26289019 )
サブ波長ナノグレーティング構造を用いた高機能発光ダイオードの開発 (研究課題/領域番号: 24560377 )
シリコン結晶基板の新しい微細加工技術の開発:内部・三次元・任意形状除去加工 (研究課題/領域番号: 23656109 )
ナノインプリント技術を用いた窒化物系半導体発光デバイスの研究 (研究課題/領域番号: 20560302 )
窒化III-V族混晶の電子物性解明と応用に関する研究 (研究課題/領域番号: 11102005 )
窒化物半導体による半金属合金の合成と評価に関する研究 (研究課題/領域番号: 10450010 )
窒化物混晶半導体の界面物性評価 (研究課題/領域番号: 08750020 )
窒化物混晶半導体の物性評価 (研究課題/領域番号: 07750017 )
紫外線高輝度発光ダイオードを用いたフルカラー発光素子の研究 (研究課題/領域番号: 07555102 )
研究者番号（90253228）による検索

その他: 研究者総覧に該当データはありませんでした。

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2024年11月15日更新

専門分野・研究分野: 半導体光デバイス
光工学
所属学会・所属協会: 応用物理学会
電子情報通信学会
日本光学会
SPIE The International Society for Optical Engineering
Optica
IEEE
委員歴・役員歴: 応用物理学会 (教育·公益事業委員会委員 [2004年4月〜2006年3月], 中国四国支部幹事 [2005年4月〜2009年3月], 代議員 [2006年2月〜2010年1月])
電子情報通信学会 (四国支部庶務幹事 [1997年4月〜1999年3月], 四国支部庶務幹事 [2012年5月〜2014年4月], 代議員 [2013年4月〜2014年3月], 会誌編集委員会委員 [2017年6月〜2019年5月])
IEEE (Shikoku Chapter Treasurer [2000年1月〜12月])
受賞: 2004年1月, 康楽会賞 (財団法人三木康楽会)
2019年3月, 応用物理学会2019年春季学術講演会Poster Award (応用物理学会)
2019年3月, 平成30年度理工学部優秀教員 (徳島大学理工学部)
2021年3月, 令和2年度教養教育賞 (徳島大学教養教育院)
活動: 徳島電気技術協会 (庶務幹事 [2000年4月〜2002年3月], 理事 [2015年4月〜2022年3月])
独立行政法人日本学術振興会 (特別研究員等審査会専門委員及び国際事業委員会書面審査員・書面評価員 [2016年8月〜2017年7月])
独立行政法人日本学術振興会 (卓越研究員候補者選考委員会書面審査員 [2017年5月〜7月])
徳島大学工業会 (学内理事(会計担当) [2019年4月〜2021年3月], 学内理事(庶務担当) [2021年4月〜2023年3月])
学生委員会委員長 (2022年4月〜2023年3月)
学生委員会副委員長 (2021年4月〜2022年3月)
電気電子システムコースコース長 (2020年4月〜2022年3月)
学生委員会委員 (2018年4月〜2020年3月)
常三島地区安全衛生委員会 (2014年4月〜2016年3月)
安全衛生管理委員会委員 (2013年4月〜2015年3月)
教務委員会委員 (2011年4月〜2013年3月)
放射線安全管理委員会委員 (2006年4月〜)
研究報告編集委員会委員 (1997年4月〜1998年3月)

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2024年11月10日更新

2024年11月9日更新

Ｊグローバル

Jグローバル最終確認日: 2024/11/9 01:25
氏名（漢字）: 直井美貴
氏名（フリガナ）: ナオイヨシキ
氏名（英字）: Naoi Yoshiki
所属機関: 徳島大学教授

リサーチマップ

researchmap最終確認日: 2024/11/10 01:45
氏名（漢字）: 直井美貴
氏名（フリガナ）: ナオイヨシキ
氏名（英字）: Naoi Yoshiki
プロフィール: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
登録日時: 2010/10/25 00:00
更新日時: 2024/9/3 13:01
アバター画像URI: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
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性別: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
没年月日: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
所属ID: 0344032000
所属: 徳島大学
部署: 大学院社会産業理工学研究部理工学域電気電子系物性デバイス分野
職名: 教授
学位: 博士(工学)
学位授与機関: 東北大学
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科研費研究者番号: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
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その他の所属名: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
その他の所属部署: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
その他の所属職名: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
最近のエントリー: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
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経歴
受賞
Misc
論文
講演・口頭発表等
書籍等出版物: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
研究キーワード
研究分野
所属学協会
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Works: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
特許: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
学歴
委員歴
社会貢献活動: リサーチマップAPIで取得できませんでした。

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2024年11月9日更新

研究者番号: 90253228

所属（現在）: 2024/4/1 : 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授

所属（過去の研究課題 情報に基づく）*注記: 2017/4/1 – 2020/4/1 : 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授
2016/4/1 : 徳島大学, 理工学研究部, 教授
2012/4/1 – 2016/4/1 : 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授
2012/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授
2011/4/1 : 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授
2008/4/1 – 2010/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授
2003/4/1 : 徳島大学, 工学部, 助教授
1998/4/1 – 2002/4/1 : 徳島大学, 工学部, 講師
1996/4/1 : 徳島大学, 工学部, 講師
1995/4/1 : 徳島大学, 工学部, 助手

審査区分/研究分野

研究代表者

工学 / 応用物理学・工学基礎 / 応用物性・結晶工学
理工系 / 工学 / 電気電子工学 / 電子・電気材料工学
小区分21050:電気電子材料工学関連

研究代表者以外

工学 / 応用物理学・工学基礎 / 応用物性・結晶工学
理工系 / 工学 / 機械工学 / 生産工学・加工学
工学 / 電気電子工学 / 電子・電気材料工学
理工系 / 工学 / 機械工学 / 機械材料・材料力学
物理系

キーワード

研究代表者

窒化ガリウム / ホモエピタキシ- / 有機金属気相成長法 / 光励起誘導放出 / 有機金属気相成長 / ホモエビタキシ- / 結晶成長機構 / 薄膜・量子構造 / ナノインプリント / 発光ダイオード / 窒化物 / 偏光制御 / ナノ周期構造 / サブ波長回折格子 / 偏光 / LED / subwavelength / サブ波長 / 紫外 / ＬＥＤ

研究代表者以外

InNAs / 窒化物 / ナローギャップ半導体 / MOCVD / プラズマ窒素源 / 光学的特性 / 光物性 / 半導体デバイス / シリコン / フェムト秒レーザー / 赤外パルス / エッチング / フッ硝酸 / ナノマイクロ加工 / レーザー / レーザー加工 / GaN / InGaN / バルク / LED / 半導体レーザ / ホモエピタキシ- / 転位 / ワイドギャップ半導体 / 厚膜 / 昇華法 / 青色発光素子 / Bulk GaN / Semiconductor lasers / Homoepitaxy / Dislocation / プラズマ / 電子物性 / 窒化III-V族混晶 / Nitride / Narrow gap semiconductor / Plasma / Wide gap semiconductor / Material properties / レーザー加工・改質 / シリコンカーバイド / 窒化ガリウム / 金属電極 / ワイドバンドギャップ半導体 / ダイアモンド / レーザー合金化 / 界面合金化 / オーミック電極 / 窒化物半導体 / レーザーアニール

研究課題研究成果共同研究者

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