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SiC/金属界面レーザーアニールプロセスの動的モニタリング

KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る
研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-26630132
研究種目 挑戦的萌芽研究
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 徳島大学
代表研究者 富田 卓朗
研究分担者 岡田 達也
研究分担者 山口 誠
研究期間 開始年月日 2014/4/1
研究期間 終了年度 2015
研究ステータス 完了 (2015/4/1)
配分額（合計） 3,770,000 (直接経費 :2,900,000、間接経費 :870,000)
配分額（履歴） 2015年度：1,690,000 (直接経費 :1,300,000、間接経費 :390,000)
2014年度：2,080,000 (直接経費 :1,600,000、間接経費 :480,000)
キーワード レーザーアニール
モニタリング
SiC
金属電極
合金化

研究成果

[学会発表] レーザー支援アニールによるNi/SiC界面でのニッケルシリサイド形成及び炭素拡散

滝谷 悠介, 近藤 健太, 直井 美貴, 富田 卓朗, 岡田 達也 2015

[学会発表] Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成

滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 2015

[学会発表] Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散

滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 2015

[雑誌論文] Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain

Yusuke Takidani, Kazuki Morimoto, Kenta Kondo, Tomoyuki Ueki, Takuro Tomita, Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada 2015

[雑誌論文] Application of femtosecond laser irradiation to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface

Tomoyuki Ueki, Kazuki Morimoto, Hiroki Yokota, Takuro Tomita and Tatsuya Okada 2015

[学会発表] フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール

滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 2015

[学会発表] SiC基板への回路描画を目指したフェムト秒レーザー改質

板東 洋太, 直井 美貴, 富田 卓朗 2015

[学会発表] フェムト秒レーザー照射による SiC 上へのオーミック電極作製の可能性

富田 卓朗 2015

[学会発表] Ni/SiC界面へのfsレーザ照射によるひずみ導入と低温アニール

森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 2014

[学会発表] Ni/SiC 界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールによるNi 拡散の促進

森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 2014

[学会発表] Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールに伴う変化

森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 2014

[学会発表] sレーザ照射によるSiC中へのひずみ導入と低温アニールに伴うNi拡散

森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 2014

[学会発表] フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC 界面反応の物性解析

近藤 健太, 柳田 栄造, 板東 洋太, 出来 真斗, 岡田 達也, 富田 卓朗 2014

[学会発表] Low-temperature diffusion at Ni/SiC interface with the aid of femtosecond laser-induced strain

Y. Takidani, K. Morimoto, T. Ueki, T. Tomita, Y. Tanaka, T. Okada 0