フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-15K06466 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(C) |
| 研究分野 | 理工系 工学 材料工学 複合材料・表界面工学 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 岡田 達也 |
| 連携研究者 | 富田 卓朗 |
| 研究期間 開始年月日 | 2015/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2017 |
| 研究ステータス | 完了 (2017/4/1) |
| 配分額（合計） | 5,070,000 (直接経費 :3,900,000、間接経費 :1,170,000) |
| 配分額（履歴） |
2017年度：650,000 (直接経費 :500,000、間接経費 :150,000) 2016年度：650,000 (直接経費 :500,000、間接経費 :150,000) 2015年度：3,770,000 (直接経費 :2,900,000、間接経費 :870,000) |
| キーワード | シリコンカーバイド フェムト秒レーザー 電極 フェムト秒レーザ SiC 結晶欠陥 相互拡散 ダイヤモンド 双晶化 リップル |