不活性Si(110)表面の1次元構造を利用した高誘電体超薄膜作製と薄膜物性評価
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-26870416 |
|---|---|
| 研究種目 | 若手研究(B) |
| 研究分野 | 理工系 数物系科学 物理学 物性Ⅰ |
| 研究機関 | 愛媛大学 |
| 代表研究者 | 垣内 拓大 |
| 研究期間 開始年月日 | 2014/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2015 |
| 研究ステータス | 完了 (2015/4/1) |
| 配分額（合計） | 3,900,000 (直接経費 :3,000,000、間接経費 :900,000) |
| 配分額（履歴） |
2015年度：650,000 (直接経費 :500,000、間接経費 :150,000) 2014年度：3,250,000 (直接経費 :2,500,000、間接経費 :750,000) |
| キーワード | 薄膜 表面物性 界面物性 光電子分光 コインシデンス分光 半導体 高誘電体 MOS-FET 高誘電体材料 局所価電子状態 Si(110) シングルドメイン 超薄膜 表面界面 表面界面物性 酸化ハフニウム 光電子分光法 |