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垣内 拓大
愛媛大学
2025年4月18日更新
- 職名
- 講師
- 電話
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- 学歴
- 総合研究大学院大学（総研大） 高エネルギー加速器科学研究科 物質構造科学専攻 2006年4月 - 2008年3月
総合研究大学院大学 - 2008年
愛媛大学 理工学研究科 物質理学専攻 2004年4月 - 2006年3月
愛媛大学 理学部 物質理学科 2000年4月 - 2004年3月
愛媛大学 - 2004年 - 学位
- 博士 （ 2008年3月 総合研究大学院大学 ）
- 職歴・経歴
- 愛媛大学 理工学研究科 特任准教授/講師 2023年4月 - 現在
Helmholtz Zentrum Berlin Methods and Instrumentation for Synchrotron Radiation Research Guest Researcher 2017年8月 - 2018年8月
愛媛大学 理工学研究科環境機能科学専攻 助教（特任講師） 2008年4月 - 2023年3月
- 専門分野・研究分野
- エネルギー / 量子ビーム科学 / シンクロトロン放射光
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面・界面
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 高誘電体材料
2025年4月18日更新
- 専門分野・研究分野
- エネルギー / 量子ビーム科学 / シンクロトロン放射光
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面・界面
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 高誘電体材料 - 担当経験のある授業科目
- 2024年度第２クォーター / 量子化学特論B
2024年度第１クォーター / 化学実験Ⅴ
2024年度第１クォーター / 化学実験Ⅱ
2024年度第１クォーター / 機器分析Ⅳ
2024年度第１クォーター / 化学実験Ⅰ
2024年度後期 / 化学ゼミナールⅣ
2024年度後期 / 化学ゼミナールⅡ
2024年度後期 / 特別研究Ⅱ
2024年度後期 / 特別研究Ⅰ
2024年度後期 / 課題研究
2024年度後期 / 特別演習Ⅱ
2024年度後期 / 特別演習Ⅰ
2024年度後期 / 科学研究倫理
2024年度後期 / 化学ゼミナール
2024年度後期 / 量子化学Ⅱ
2024年度後期 / 卒業研究Ⅱ
2024年度後期 / 卒業研究Ⅰ
2024年度前期 / 分子科学課題演習I
2024年度前期 / 化学ゼミナールⅢ
2024年度前期 / 化学ゼミナールⅠ
2024年度前期 / 量子化学特論
2024年度前期 / 特別研究Ⅱ
2024年度前期 / 特別研究Ⅰ
2024年度前期 / 特別演習Ⅱ
2024年度前期 / 特別演習Ⅰ
2024年度前期 / 科学研究倫理
2024年度前期 / 量子化学Ⅰ
2024年度前期 / 課題研究
2024年度前期 / 卒業研究Ⅱ
2024年度前期 / 卒業研究Ⅰ
2024年度第４クォーター / 化学実験Ⅴ
2024年度第４クォーター / 化学実験Ⅱ
2024年度後期 / 分子科学課題演習Ⅱ - 指導経験
- 量子化学I 2023年4月 - 現在 機関名：愛媛大学
量子化学II 2023年4月 機関名：愛媛大学理学部理学科化学コース
機器分析 機関名：愛媛大学理学部
基礎化学実験 機関名：愛媛大学理学部
化学実験Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ 機関名：愛媛大学理学部
分子分光特論 機関名：愛媛大学大学院教育学研究科
構造化学演習 機関名：愛媛大学理学部
2025年4月18日更新
- 専門分野・研究分野
- エネルギー / 量子ビーム科学 / シンクロトロン放射光
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面・界面
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 高誘電体材料
- 研究テーマ
- コインシデンス分光
X線光電子分光法
オージェ電子分光法
構造化学
半導体
表面界面
量子化学
表面物性
表面科学
- 著書
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- 論文
- Coverage Dependence upon Early Oxidation Stages of Hafnium-Adsorbed Si(111)-7 × 7 査読 Takuhiro Kakiuchi, Ryota Anai, Taiju Saiki, Yasutaka Tsuda, Akitaka Yoshigoe The Journal of Physical Chemistry C 128 13052 - 13063 2024年7月
Oxidation Mechanisms of Hafnium Overlayers Deposited on a Si(111) Substrate 査読 Takuhiro Kakiuchi, Tomoki Matoba, Daisuke Koyama, Yuki Yamamoto, Akitaka Yoshigoe Langmuir 38 ( 8 ) 2642 - 2650 2022年
Precise chemical state analyses of ultrathin hafnium films deposited on clean Si(111)-7 x 7 surface using high-resolution core-level photoelectron spectroscopy 査読 垣内拓大, 的場友希, 小山大輔, 山本優貴, 加藤大暉, 吉越章隆 Surface Science 701 121691-1 - 121691-8 2020年7月
Initial oxidation processes of ultrathin hafnium film and hafnium disilicide islands on Si(100)-2 x 1 surfaces studied using core-level X-ray photoelectron spectroscopy 査読 垣内拓大, 山﨑英輝, 塚田千恵, 吉越章隆 Surface Science 693 121551-1 - 121551-8 2020年3月
Local valence electronic states of silicon (sub)oxides on HfO2/Si-(sub)oxide/Si(110) and HfSi2/Si-(sub)oxide/Si(110) Islands 査読 垣内拓大, 池田恭平, 間瀬一彦, 長岡伸一 Surface Science 681 9 - 17 2019年3月
Direct Observations of Correlation between Si-2p Components and Surface States on Si(110)-16 x 2 Single-Domain Surface Using Si-L23VV Auger-Electron and Si-2p Photoelectron Coincidence Measurements 査読 Takuhiro Kakiuchi, Yuya Yoshizaki, Hiroyuki Kubota, Yuki Sato, Shin-ichi Nagaoka, Kazuhiko Mase JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 86 ( 5 ) 2017年5月
Site-Specific Electron-Relaxation Caused by Si:2p Core-Level Photoionization: Comparison between F3SiCH2CH2Si(CH3)(3) and CI3SiCH2CH2Si(CH3)(3) Vapors by Means of Photoelectron Auger Electron Coincidence Spectroscopy 査読 Shin-ichi Nagaoka, Takuhiro Kakiuchi, Joji Ohshita, Osamu Takahashi, Yasumasa Hikosaka JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A 120 ( 50 ) 9907 - 9915 2016年12月
Local Valence Electronic States and Valence-Band Maximum of Ultrathin Silicon Nitride Films on Si(111) Studied by Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Thickness and Interface Structure Dependence 査読 Takuhiro Kakiuchi, Masashi Tahara, Kazuhiko Mase, Shin-ichi Nagaoka JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 84 ( 4 ) 2015年4月
Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7 x 7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements 査読 Kazuhiko Mase, Kenta Hiraga, Sadanori Arae, Rui Kanemura, Yusaku Takano, Kotaro Yanase, Yosuke Ogashiwa, Nariaki Shohata, Noritsugu Kanayama, Takuhiro Kakiuchi, Shinya Ohno, Daiichiro Sekiba, Koji K. Okudaira, Makoto Okusawa, Masatoshi Tanaka JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 83 ( 9 ) 2014年9月
オージェ電子－光電子コインシデンス分光によるシリコン単結晶表面および酸化シリコン超薄膜の局所電子状態の研究 査読 垣内拓大, 間瀬一彦, 長岡伸一 ぶんせき 7 ( 7 ) 374 - 380 2014年
Site-specific ion desorption from condensed F3SiCD2CH2Si(CH3)(3) induced by Si-2p core-level ionizations studied with photoelectron photoion coincidence (PEPICO) spectroscopy, Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS) and Auger electron photoion coincidence (AEPICO) spectroscopy 査読 Kazuhiko Mase, Eiichi Kobayashi, Akira Nambu, Takuhiro Kakiuchi, Osamu Takahashi, Kiyohiko Tabayashi, Joji Ohshita, Shogo Hashimoto, Masatoshi Tanaka, Shin-ichi Nagaoka SURFACE SCIENCE 607 174 - 180 2013年1月
Attempts to improve the sensitivity and the energy resolution of an analyzer for Auger photoelectron coincidence spectroscopy and electron ion coincidence spectroscopy 査読 Sadanori Arae, Rui Kanemura, Kenta Hiraga, Yosuke Ogashiwa, Kohtaro Yanase, Noritsugu Kanayama, Shinya Ohno, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase, Koji K. Okudaira, Makoto Okusawa, Masatoshi Tanaka Journal of the Vacuum Society of Japan 56 ( 12 ) 507 - 510 2013年
Study of Local Valence Electronic States of SiO2 Ultrathin Films Grown on Si(111) by Using Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Upward Shift of Valence-Band Maximum Depending on the Interface Structure 査読 Takuhiro Kakiuchi, Narihiko Fujita, Kazuhiko Mase, Masatoshi Tanaka JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 81 ( 7 ) 2012年7月
Local Valence Electronic States of SiO2 Ultrathin Films Grown on Si(100) Studied Using Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Observation of Upward Shift of Valence-Band Maximum as a Function of SiO2 Thickness 査読 Takuhiro Kakiuchi, Narihiko Fujita, Kazuhiko Mase, Masatoshi Tanaka, Shin-ichi Nagaoka JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 80 ( 8 ) 2011年8月
A Study To Control Chemical Reactions Using Si:2p Core Ionization: Site-Specific Fragmentation 査読 Shin-ichi Nagaoka, Hironobu Fukuzawa, Georg Pruemper, Mai Takemoto, Osamu Takahashi, Katsuhiro Yamaguchi, Takuhiro Kakiuchi, Kiyohiko Tabayashi, Isao H. Suzuki, James R. Harries, Yusuke Tamenori, Kiyoshi Ueda JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A 115 ( 32 ) 8822 - 8831 2011年8月
Surface-site-selective study of valence electronic states of a clean Si(111)-7×7 surface using Si-L23VV Auger electron and Si-2p photoelectron coincidence measurements 査読 KAKIUCHI T, TAHARA M, HASHIMOTO S, FUJITA N, TANAKA M, MASE K, NAGAOKA S American Physical Society, Phys. Rev. B 83 ( 3 ) 035320 2011年3月
Surface-site-selective study of valence electronic states of a clean Si(111)-7x7 surface using Si L23VV Auger electron and Si 2p photoelectron coincidence measurements 査読 Takuhiro Kakiuchi, Masashi Tahara, Shogo Hashimoto, Narihiko Fujita, Masatoshi Tanaka, Kazuhiko Mase, Shin-ichi Nagaoka PHYSICAL REVIEW B 83 ( 3 ) 035320 2011年1月
Surface-Site-Selective study of Valence Electronic Structures of Clean Si(100)-2×1 Using Si-L23VV Auger Electron - Si-2p Photoelectron Coincidence Spectroscopy 査読 T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, M. Tahara, K. Mase, S. Nagaoka J. Phys. Soc. Jpn. 79 ( 6 ) 064714-1 - 064714-4 2010年6月
Topmost-surface-sensitive Si-2p photoelectron spectra of clean Si(100)-2×1 measured with photoelectron Auger coincidence spectroscopy Surface Science 査読 T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, M. Tahara, K. Mase, S. Nagaoka Surf. Sci. 604 ( 9-10 ) L27 - L30 2010年5月
Hydrogen ion desorption from amorphous carbon films induced by resonant core electron excitations 査読 Yutaka Mera, Shijin Liang, Takayuki Fujiwara, Kiichiro Ishizaki, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase, Eiichi Kobayashi, Koji Okudaira, Koji Maeda NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 268 ( 2 ) 127 - 130 2010年1月
Ion Desorption from Single-Walled Carbon Nanotubes Induced by Soft X-ray Illumination 査読 Yutaka Mera, Takayuki Fujiwara, Kiichiro Ishizaki, Rong Xiang, Junichiro Shiomi, Shigeo Maruyama, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase, Koji Maeda JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 10 ) 105104-1 - 105104-5 2010年
Auger-electron spectra of F3SiCH2CH2Si(CH3)(3) obtained by using monochromatized synchrotron radiation 査読 Shin-ichi Nagaoka, Akiko Nitta, Yusuke Tamenori, Hironobu Fukuzawa, Kiyoshi Ueda, Osamu Takahashi, Takuhiro Kakiuchi, Yoshinori Kitajima, Kazuhiko Mase, Isao H. Suzuki JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 175 ( 1-3 ) 14 - 20 2009年12月
ビタミンEの再生反応における量子論的効果（総合論文） 査読 長岡伸一, 大内綾, 垣内拓大, 小原敬士, 向井和男 日本ビタミン学会ビタミン 83 ( 9 ) 521 - 527 2009年9月
Tunneling Effect in Antioxidant Reaction of Flavonoid 査読 Takuhiro Kakiuchi, Kazuo Mukai, Keishi Ohara, Shin-ichi Nagaoka BULLETIN OF THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN 82 ( 2 ) 216 - 218 2009年2月
高分解能オージェ電子-光電子コインシデンス分光、電子-イオンコインシデンス分光兼用装置の開発 査読 垣内 拓大, 橋本 章吾, 藤田 斉彦, 間瀬 一彦, 田中 正俊, 奥沢 誠 日本真空協会 51 ( 11 ) 749 - 757 2008年10月
Construction and evaluation of a miniature electron ion coincidence analyzer mounted on a conflat flange with an outer diameter of 114 mm 査読 Takuhiro Kakiuchi, Efichi Kobayashi, Koji K. Okudaira, Narihiko Fujita, Masatoshi Tanaka, Kazuhiko Mase ANALYTICAL SCIENCES 24 ( 1 ) 87 - 92 2008年1月
Development of an electron electron ion coincidence analyzer for Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS) and electron ion coincidence (EICO) spectroscopy 査読 Takuhiro Kakiuchi, Eiichi Kobayashi, Naoyuki Okada, Ken Oyamada, Makoto Okusawa, Koji K. Okudaira, Kazuhiko Mase JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 161 ( 1-3 ) 164 - 171 2007年10月
Kinetics of the reaction by vitamin E is regenerated which natural by vitamin C 査読 Shin-ichi Nagaoka, Takuhiro Kakiuchi, Keishi Ohara, Kazuo Mukai CHEMISTRY AND PHYSICS OF LIPIDS 146 ( 1 ) 26 - 32 2007年3月
Recent progress in coincidence studies on ion desorption induced by core excitation 査読 Eiichi Kobayashi, Kazuhiko Mase, Akira Nambu, Junya Seo, Shinichiro Tanaka, Takuhiro Kakiuchi, Koji K. Okudaira, Shin-ichi Nagaoka, Masatoshi Tanaka JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 18 ( 30 ) S1389 - S1408 2006年8月
Site-specific fragmentation caused by Si: Is core-level photoionization of F3SiCH2CH2Si(CH3)(3) vapor 査読 S Nagaoka, Y Tamenori, M Hino, T Kakiuchi, J Ohshita, K Okada, T Ibuki, IH Suzuki CHEMICAL PHYSICS LETTERS 412 ( 4-6 ) 459 - 463 2005年9月
Total photoabsorption cross-sections of CF3SF5 in the C, F and SK-shell regions 査読 T Ibuki, Y Shimada, S Nagaoka, A Fujii, M Hino, T Kakiuchi, K Okada, K Tabayashi, T Matsudo, Y Yamana, IH Suzuki, Y Tamenori CHEMICAL PHYSICS LETTERS 392 ( 4-6 ) 303 - 308 2004年7月 - MISC
- 超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ 垣内拓大, 白石朗, 山根亮太郎, 矢野貴大, 津田泰孝, 吉越章隆 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web) 2021 2021年
Si(100)‐2×1清浄表面に作製したハフニウム超薄膜の酸素吸着と脱離 垣内拓大, 山崎英輝, 塚田千恵, 塚田千恵, 吉越章隆 分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web) 12th ROMBUNNO.2P049 (WEB ONLY) 2018年
Si(110)清浄表面上に作製したハフニウムシリサイド超薄膜の 表面界面を選別した局所価電子状態 垣内拓大, 山崎真寛, 間瀬一彦 PF Act. Rep. 2016 34 2017年
低速電子回折と電子分光法によるHf蒸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究 垣内 拓大, 桂木 拓磨, 中納 佑二, 吉越 章隆, 長岡 伸一, 間瀬 一彦 表面科学学術講演会要旨集 35 ( 0 ) 138 - 138 2015年
Si(110)-16×2シングルドメイン清浄表面への水素吸着過程とその表面物性 垣内拓大, 中納佑二, 長岡伸一, 間瀬一彦 物構研サイエンスフェスタ要旨集 3rd 2015年
26pPSA-62 Si-LWオージェ電子-Si 2s光電子コインシデンス分光によるSi-2s内殻正孔緩和過程の研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) 平賀 健太, 新江 定憲, 兼村 瑠威, 小柏 洋輔, 梁瀬 虹太朗, 高野 優作, 金山 典嗣, 大野 真也, 垣内 拓大, 所畑 成明, 開場 大一郎, 奥平 幸司, 奥沢 誠, 間瀬 一彦, 田中 正俊 日本物理学会講演概要集 68 ( 1 ) 983 - 983 2013年3月
Auger electron spectra of hydrogenated Si(111)-1×1 surface obtained from Si-L23Vv Auger electron Si-2p photoelectron coincidence measurements T. Yamazaki, S. Hashimoto, T. Kakiuchi, K. Mase, M. Tanaka J. Phys.: Conference Series 288 012016 (1) - 012016 (5) 2011年
表面研究用ｵｰｼﾞｪ電子-光電子コインシデンス分光、電子-イオンコインシデンス分光兼用装置、および電子-極角分解イオンコインシデンス分光装置の開発 Photon Factory News編集委員会Photon Factory News 27 ( 3 ) 37 2009年
外径70mmのコンフラットフランジにマウントした加熱冷却機構付き二酸化チタン（TiO2）単結晶ホルダー 垣内拓大, 間瀬一彦 日本真空協会 51 44 - 47 2008年10月
Titanium dioxide (TiO2) single crystal holder with a cold trap and a heating mechanism mounted on a conflat flange with an outer diameter of 70 mm Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase Journal of the Vacuum Society of Japan 51 ( 1 ) 44 - 47 2008年
Kinetics of the reaction by vitamin E is regenerated which natural by vitamin C Shin-ichi Nagaoka, Takuhiro Kakiuchi, Keishi Ohara, Kazuo Mukai CHEMISTRY AND PHYSICS OF LIPIDS 146 ( 1 ) 26 - 32 2007年3月
18pXB-10 軟X線照射によるカーボンナノチューブからの原子脱離(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性) 目良 裕, 有馬 智史, 諏訪 秀麿, 藤原 貴之, 石崎 喜一郎, 垣内 拓大, 間瀬 一彦, 前田 康二 日本物理学会講演概要集 62 ( 1 ) 938 - 938 2007年2月
Development of an Electron Electron Ion Coincidence Apparatus for Auger-Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) and Electron Ion Coincidence (EICO) Spectroscopy Photon FactoryPF Activity Report 2006, Part A, Highlights 55 A 55 2007年
70 mmコンフラットフランジマウント型加熱冷却機構付シリコン単結晶ホルダー 小林英一, 南部英, 垣内拓大, 間瀬一彦 日本真空協会真空 50 ( 1 ) 57 - 59 2007年
Silicon single crystal wafer holder with a cold trap and a direct current heating mechanism mounted on a conflat flange with an outer diameter of 70 mm Eiichi Kobayashi, Akira Nambu, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan 50 ( 1 ) 57 - 59 2007年
Flavonoidの抗酸化作用におけるトンネル効果の研究 垣内拓大, 小原敬士, 長岡伸一, 向井和男 分子構造総合討論会講演要旨集(CD-ROM) 2004 3P077 2004年9月
- 総説・解説
- 研究者総覧に該当データはありませんでした。
- 講演・発表
- ハフニウムが吸着したゲルマニウム表面と酸素分子の反応中に同時進行する酸化・還元反応 本田優斗, 垣内拓大, 津田泰孝, 吉越章隆 第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月
ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構 垣内拓大, 津田泰孝, 吉越章隆 第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月
超音速酸素分子線照射による非平衡ハフニウム吸着シリコン(111) 表面界面での酸化反応 垣内拓大, 穴井亮太, 佐伯大殊, 津田泰孝, 吉越章隆 第16回分子科学討論会 2022横浜 2022年9月
超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ 垣内拓大, 白石朗, 山根亮太郎, 矢野貴大, 津田泰孝, 吉越章隆 2021年日本表面真空学会学術講演会 2021年11月
内殻光電子分光法によるHf/Si(111)超薄膜表面界面の酸化ダイナミクス 垣内拓大, 的場友希, 小山大輔, 山本優貴, 吉越章隆 第15回分子科学討論会 2021年9月
PFハイブリッドモード用パルスセレクターを用いた内殻励起イオン脱離計測 和田真一, 垣内拓大, 田中宏和, 足立純一 第34回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 2021年1月
放射光光電子分光法を用いたハフニウム吸着Si半導体の表面界面化学状態を選別した酸化反応追跡 招待 垣内拓大 2020年日本化学会中国異国支部大会島根大会 2020年11月
Hydrogen Ion Desorption from Amorphous Carbon Films Induced by Resonant Core Electron Excitations 国際会議 Y. Mera, S. Liang, T. Fujiwara, K. Ishizaki, T. Kakiuchi, K. Mase, E. Kobayashi, K. K. Okudaira, K. Maeda 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 2008年10月
オージェ電子－光電子コインシデンス分光法を用いたSi3N4/Si(111)-8×8表面のサイト選択的オージェ電子スペクトル測定による局所価電子状態の研究 田原雅士, 垣内拓大, 山崎貴彦, 橋本章吾, 田中正俊, 間瀬一彦, 長岡伸一 日本化学会第89春季年会 2009年3月
Si(110)-16×2清浄表面へのH2O解離吸着：表面物性と表面１次元構造の変化 垣内拓大, 西浦伸吾, 川本淳滋, 長岡伸一, 間瀬一彦 第8回分子科学討論会 2014年9月
オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いた Si3N4/Si(111)-8×8界面表面のサイト選択的オージェ電子 スペクトル測定による局所価電子状態の研究 垣内拓大, 田原雅士, 山崎貴彦, 橋本章吾, 田中正俊, 間瀬一彦, 長岡伸一 第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム 2009年1月
オージェ電子ｰ光電子コインシデンス分光測定によるAu内殻正孔緩和過程の研究 小玉開, 田中正人, 大野真也, 垣内拓大, 間瀬一彦, 奥平幸司, 田中正俊, 田中慎一郎 2015年真空・表面科学合同講演会 2015年12月
Hafnium adsorption to clean Si(110)-16×2 single domain surface studied with photoelectron spectroscopy 国際会議 T. Kakiuchi, T. Katsuragi, Y. Nakano, S. Nagaoka, K. Mase International Conference on Electron Spectroscopy and Structure: ICESS-15 2015年9月
Hydrogen adsorption to clean Si(110)-16×2 single domain surface and its chemical states 国際会議 T. Kakiuchi, Y. Nakano, S. Nagaoka, K. Mase International Conference on Electron Spectroscopy and Structure: ICESS-15 2015年9月
低速電子回折と電子分光法による Hf蒸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究 垣内拓大, 桂木拓磨, 中納佑二, 吉越章隆, 長岡伸一, 間瀬一彦 2015年真空・表面科学合同講演会 2015年12月
X線光電子分光、光電子－オージェ電子コインシデンス分光による 水素吸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究 垣内拓大, 中納佑二, 長岡伸一, 間瀬一彦 2015年真空・表面科学合同講演会 2015年12月
Hf/SiO2/Si(110)およびHfO2/SiO2/Si(110)超薄膜の 界面を選別した局所価電子状態の研究 垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦 2016年真空・表面科学合同講演会 2016年11月
Auger electron spectra of hydrogenated Si(111) obtained with Auger electron photoelectron coincidence measurements 国際会議 T. Yamazaki, S. Hashimoto, T. Kakiuchi, K. Mase, M. Tanaka International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Clusters & Surfaces MPS 2010 2010年8月
Site-selective ion desorption from CF3CH2OH dissociatively chemisorbed on Si(111) studied with photoelectron photoion coincidence (PEPICO) measurements 国際会議 T. Yamazak, S. Hashimoto, T. Kakiuchi, K. Mase, S. Nagaoka, M. Tanaka International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Clusters & Surfaces MPS 2010 2010年8月
Si3N4/Si(111)超薄膜の表面・界面・基板を選別した局所価電子状態の研究 田原雅士, 山口勝広, 垣内拓大, 間瀬一彦, 長岡伸一 第4回分子科学討論会 2010年9月
Si(110)-16×2シングルドメイン表面上に作製したHfおよびHfO2超薄膜界面を選別した局所価電子状態 垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦 2015年度量子ビームサイエンスフェスタ（第7回MLFシンポジウム／第33回PFシンポジウム） 2016年3月
Development of Apparatus for Auger Electron - Ion Coincidence Spectroscopy and Auger Electron - Auger Electron Coincidence Spectroscopy in Gas Phase Using 5-keV Electron Gun 国際会議 T. Kakiuchi, S. Inoue, M. Tahara, T. Itoh, H. Kubota, Y. Nakazato, S. Nagaoka, K. Mase International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Clusters & Surfaces MPS 2010 2010年8月
Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したSiO2超薄膜の膜厚に依存した表面局所価電子状態の変化 垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦 2015年度量子ビームサイエンスフェスタ（第7回MLFシンポジウム／第33回PFシンポジウム） 2016年3月
Si-(sub)0xides selective local valence electronic states of HfSi2/Si-(sub)0xides/Si(110) and HfO2/Si-(sub)oxides/Si(110) 国際会議 垣内 拓大 The International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces 2018年8月
Si(110)-16×2シングルドメイン表面上に作製した Hfシリサイド超薄膜の表面界面を選別した局所価電子状態 垣内拓大, 山崎真寛, 長岡伸一, 間瀬一彦 2016年度量子ビームサイエンスフェスタ（第8回MLFシンポジウム／第34回PFシンポジウム） 2017年3月
Influence of hafnium chemical state difference on initial silicon oxidation at interface between hafnium deposition and Si(100) substrate 垣内拓大, 山崎英輝, 塚田千恵, 吉越章隆 2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年10月
Oxygen adsorption and desorption of ultrathin Hafnium film on clean Si(100)-2×1 surface 垣内拓大, 山崎英輝, 塚田千恵, 吉越章隆 第12回分子科学討論会 2018年9月
HfO2/Si超薄膜からのハフニウムジシリサイド形成とその表面局所価電子状態 垣内 拓大 2018年度量子ビームサイエンスフェスタ 2019年3月
Hf 4f, Si 2p, およびO1s 内殻分光によるSi(111)上に作製したハフニウム超薄膜の初期酸化過程解明 垣内拓大, 小山大輔, 吉越章隆 2019年日本表面真空学会学術講演会 2019年10月
Si(111)単結晶上に作製したSi3N4超薄膜の 表面・界面局所価電子状態 垣内拓大, 田原雅士, 長岡伸一, 間瀬一彦 第 28 回 PF シンポジウム 2011年3月
Si(110)-16×2清浄表面の最安定構造モデル 垣内拓大, 久保田裕之, 田原雅士, 間瀬一彦, 長岡伸一 第5回分子科学討論会 2011年9月
Development of Coincidence Spectrometer for Study of Collision Dynamics between High-Energy Electron and Molecule T. Ito, S. Inoue, M. Tahara, Y. Nakazato, H. Kubota, T. Kakiuchi, S. Nagaoka, K. Mase 第27回化学反応討論会 2011年6月
オージェ電子－光電子コインシデンス分光法によるSi(110)-16×2清浄表面の局所価電子状態の観測 垣内拓大, 佐藤勇輝, 花岡咲, 長岡伸一, 間瀬一彦 第6回分子科学討論会 2012年9月
Mechanism of highly charged Ar ions production induced by inner-shell ionization studied using Auger-electron – ion coincidence spectroscopy 国際会議 T. Kakiuchi, S. Hanaoka, D. Tamaki, S. Fujiwara, Y. Yoshizaki, K. Mase, S. Nagaoka International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces 2012年8月
オージェ電子-光電子コインシデンス分光法によるSiO2/Si超薄膜の表面界面基板を選別した局所価電子状態の研究 招待 垣内拓大 第32回表面科学学術講演会 2012年11月
Study of Highly Charged Ar Ions Formed by Electron-Impact Ionization Takuhiro Kakiuchi, Saki Hanaoka, Kazuhiko Mase, Shin-ichi Nagaoka 第28回化学反応討論会 2012年6月
オージェ電子－光電子コインシデンス分光法による H2O/Si(111)表面における局所価電子状態の研究 新江定憲, 梶川隼平, 林下弘憲, 小川舞, 大野真也, 垣内拓大, 和田真一, 関谷徹司, 間瀬一彦, 奥沢誠, 田中正俊 第25回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 2012年1月
Local valence electronic states of silicon nitride ultrathin films on Si(111) stud-ied by using Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS) 国際会議 T. Kakiuchi, M. Tahara, S. Nagaoka, K. Mase International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces 2012年8月
Attempts to Improve the Sensitivity and the Energy Resolution of an Analyzer for Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy and Electron Ion Coincidence Spectroscopy 国際会議 K. Mase, S. Arae, Y. Ogashiwa, S. Ohno, T. Kakiuchi, M. Okusawa, M. Tanaka 11th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 2012年7月
高分解能電子―電子－イオンコインシデンス分光によるSi単結晶清浄表面の表面最上層のSi 2p 光電子およびSi L23VVオージェ電子スペクトル測定 垣内拓大, 藤田斉彦, 橋本章吾, 間瀬一彦, 田中正俊 第2回分子科学討論会 2008年9月
改良型電子－電子－イオンコインシデンス分光装置の開発とサイト選択的イオン脱離研究への応用 垣内拓大, 藤田斉彦, 橋本章吾, 間瀬一彦, 大下浄治, 長岡伸一, 田中正俊 日本物理学会2008年秋季大会 2008年9月
Local Valence Electronic States of SiO2 Ultrathin Films Grown on Si(100) and Si(111) Studied Using Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) 国際会議 T. Kakiuchi, N. Fujita, K. Mase, M. Tanaka 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 2008年10月
コインシデンス分光法による凝縮F3SiCD2CH2Si(CH3)3のサイト選択的オージェ過程およびイオン脱離の研究 橋本章吾, 藤田斉彦, 垣内拓大, 間瀬一彦, 大下浄治, 長岡伸一, 田中正俊 第49回真空に関する連合講演会 2008年10月
オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いた Si(110)-16×2清浄表面の局所価電子状態の研究 垣内拓大, 佐藤勇輝, 花岡咲, 坂尾諒, 新江定憲, 田中正俊, 長岡伸一, 間瀬一彦 物構研サイエンスフェスタ 2013年3月
Construction and Evaluation of Auger-Photoelectron Coincidence Apparatus at BL13 of HiSOR 国際会議 T. Kakiuchi, Y. Sato, S. Hanaoka, S. Kajikawa, H. Hayashita, M. Ogawa, S. Arae, S. Wada, T. Sekitani, S. Nagaoka, M. Tanaka, K. Mase Progress in materials science and synchrotron radiation 2013年2月
光電子-オージェ電子コインシデンス分光法によるSi(110)-16×2清浄表面の原子構造と局所価電子状態 垣内拓大, 吉崎佑也, 久保田裕之, 佐藤勇輝, 間瀬一彦 第7回分子科学討論会 2013年9月
Si-L23VVオージェ電子-Si-2p光電子コインシデンス分光による表面第1層を水素化したSi(111)の局所電子状態の研究 新江定憲, 小柏洋輔, 梁瀬虹太朗, 越智啓太, 石井明日香, 大野真也, 垣内拓大, 間瀬一彦, 奥沢誠, 田中正俊 物構研サイエンスフェスタ 2013年3月
Si-LVVオージェ電子‐Si 2s光電子コインシデンス分光によるSi-2s内殻正孔緩和過程の研究 平賀健太, 新江定憲, 兼村瑠威, 小柏洋輔, 梁瀬虹太朗, 高野優作, 金山典嗣, 大野真也, 垣内拓大, 所畑成明, 関場大一郎, 奥平幸司, 奥沢誠, 間瀬一彦, 田中正俊 日本物理学会第69回年次大会 2014年3月
Si(110)-16×2清浄表面の表面敏感なSi-2p光電子スペクトル測定 垣内拓大, 間瀬一彦 物構研サイエンスフェスタ2013 2014年3月
光電子-オージェ電子コインシデンス分光法によるSi(110)-16×2清浄表面の原子構造と局所価電子状態 垣内拓大, 吉崎佑也, 久保田裕之, 佐藤勇輝, 間瀬一彦 2013年真空・表面科学合同講演会 2013年11月
オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いた表面研究の現状と展望 招待 垣内拓大 2013年日本化学会中国四国支部大会 2013年11月
高感度電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の性能評価とSi-LVVオージェ電子-Si‐2s光電子コインシデンス分光測定 平賀健太, 新江定憲, 兼村瑠威, 小柏洋輔, 梁瀬 虹太朗, 金山典嗣, 大野真也, 垣内拓大, 間瀬一彦, 奥平幸司, 奥沢誠, 田中正俊 第27回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 2014年1月
Atomic Structure of Si(110)-16×2 Studied by Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) 国際会議 T. Kakiuchi, Y. Yoshizaki, H. Kubota, Y. Sato, K. Mase 9th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’13 2013年12月
Si L23VV オージェ電子スペクトル計算によるSiO2/Si(001)超薄膜の表面･界面局所価電子状態の研究 山口勝広, 垣内拓大, 間瀬一彦, 高橋修, 長岡伸一 2009 日本化学会西日本大会 2009年11月
Study of local valence electronic states of Si3N4 grown on Si(111) and Si(001) using Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS) 国際会議 T. Kakiuchi, M. Tahara, H. Ishida, K. Mase, S. Nagaoka 11-th International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure 2009年10月
Development of Multi Coincidence Spectrometer Using 5-keV Electron Gun S. Inoue, M. Tahara, T. Kakiuchi, S. Nagaoka, K. Mase 第26回化学反応討論会 2010年6月
高エネルギー電子線励起に由来した内殻電子励起ダイナミクスを研究するための気体・表面試料用コインシデンス分光装置の開発 田原雅士, 井上慎平, 垣内拓大, 間瀬一彦, 長岡伸一 2009 日本化学会西日本大会 2009年11月
Surface-selective study of Si-L23VV Auger-electron and Si-2p photoelectron spectra of Si(100)-2×1 and Si(111)-7×7 using Auger-electron photoelectron coincidence spectroscopy (APECS) 国際会議 T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, K. Mase, M. Tanaka 11-th International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure 2009年10月
オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いた Si3N4/Si(111)-8×8表面界面の局所価電子状態の研究 田原雅士, 垣内拓大, 山崎貴彦, 橋本章吾, 田中正俊, 間瀬一彦, 長岡 伸一 2009年9月
Surface Structure and Local Valence Electronic states of Si(110)-16×2 surface after exposure to water: XPS and Auger-photoelectron coincidence study 国際会議 T. Kakiuchi, S. Nishiura, J. Kawamoto, S. Nagaoka, K. Mase Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2014) 2014年12月
Development of an Apparatus for Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) and Electron Ion Coincidence (EICO) Spectroscopy for Surface Study 国際会議 T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, K. Mase, M. Tanaka, M. Okusawa 10th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 2009年9月
水の解離吸着によるSi(110)-16×2清浄面の表面構造と局所価電子状態の変化 垣内拓大, 西浦伸吾, 川本淳滋, 長岡伸一, 間瀬一彦 第34回表面科学学術講演会 2014年11月
Au-N6,7VVオージェ電子 – Au-4f光電子コインシデンス分光 測定による Au-4f 内殻正孔緩和過程の研究 小玉開, 田中正人, 大野真也, 垣内拓大, 間瀬一彦, 奥平幸司, 田中正俊, 田中慎一郎 第3回物構研サイエンスフェスタ 2015年3月
Si(110)-16×2シングルドメイン清浄表面への 水素吸着過程とその表面物性 垣内拓大, 中納佑二, 長岡伸一, 間瀬一彦 第3回物構研サイエンスフェスタ 2015年3月
同時計数法を用いた固体試料表面界面の単原子分光 招待 垣内拓大 京都工芸繊維大学「分子構造化学セミナー」 2017年3月
オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による Si(111)-7×7清浄表面の表面サイトを選択した局所価電子状態の研究 垣内拓大, 田原雅士, 長岡伸一, 間瀬一彦 第4回分子科学討論 2010年9月
オージェ電子・光電子コインシデンス分光を用いた金薄膜のオージェ2正孔終状態におけるスピン軌道状態の検出 小玉開, 田中正人, 大野真也, 垣内拓大, 間瀬一彦, 奥平幸司, 田中正俊, 田中慎一郎 日本物理学会第 71回年次大会 2016年3月
Si(110)-16×2 シングルドメイン清浄表面上に作製したSiO2超薄膜の 表面界面組成と表面局所価電子状態 垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦 第10回分子科学討論会 2016年9月
オージェ電子-光電子コインシデンス分光法によるSiおよびSiO2超薄膜の表面界面局所価電子状態の研究 垣内拓大 2008愛媛地区化学講演会 2008年12月
- 研究会・報告書
- 研究者総覧に該当データはありませんでした。
- 特許
- 研究者総覧に該当データはありませんでした。
- 作品
- 研究者総覧に該当データはありませんでした。
- 補助金・競争的資金
- 金属（Hf・Zr）／Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御 2021年4月 - 2024年3月 独立行政法人日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究（C）
Si(110)単結晶上に作製した二酸化ハフニウム超薄膜の表面界面を選 別した局所価電子状態の同時観測 2018年6月 - 2018年8月 公益財団法人村田学術振興財団 海外派遣援助 垣内 拓大
固体表面研究用角度分解同時計数装置の開発による単原子分光研究 2017年8月 - 2018年3月 国立大学法人愛媛大学 愛媛大学外国派遣研究員制度 垣内拓大
凹凸あるSi表面でのhigh-k材料超薄膜の成長過程とその低次元物性発現の観測 2017年4月 - 2020年3月 日本学術振興会 基盤研究(C) 垣内拓大
リアルタイムX線光電子分光法によるシリコン（Si）単結晶上に作製したハフニウム（Hf）超薄膜の酸化過程の観測 2016年8月 - 2017年3月 文部科学省 ナノテクノロジープラットフォーム事業 垣内拓大
不活性Si(110)表面の1次元構造を利用した高誘電体超薄膜作製と薄膜物性評価 2014年4月 - 2016年3月 日本学術振興会 若手研究(B) 垣内拓大
Si(110)表面の1次元列を利用したマルチプルゲートスタック構造の開発に向けて 2013年9月 - 2014年9月 公益財団法人 村田学術振興財団 垣内拓大
Si(110)表面の1次元鎖をチャンネルワイヤーとしたマルチプルゲートスタック構造の創製 2013年9月 - 2014年3月 公益財団法人 日揮実吉奨学会 垣内拓大
メタルシリサイド超薄膜の埋もれた表面界面準位の選択的かつ定量的観測 2013年8月 - 2014年3月 国立大学法人愛媛大学 理学部長裁量経費 垣内拓大
分子／半導体表面の個々の原子サイトを選別した局所電子状態、電子励起ダイナミク ス 2012年4月 - 2015年3月 日本学術振興会 基盤研究(B) 間瀬一彦
金属・金属酸化物高誘電体超薄膜の表面界面近傍に特異な局所価電子状態の定量的観測 2011年4月 - 2013年3月 日本学術振興会 若手研究(B) 垣内拓大
高誘電体ゲート絶縁膜の表面界面局所価電子状態の研究 2010年11月 - 2012年3月 公益財団法人住友財団 基礎科学研究助成 垣内拓大
気体および固体の内殻電子励起ダイナミクスの研究が可能な電子銃を用いた実験室用コインシデンス分光装置の開発 2008年10月 - 2010年3月 公益財団法人松尾学術振興財団 松尾学術研究助成 垣内拓大
小規模実験室専用コインシデンス分光装置の開発による気体分子の内殻電子励起ダイナミクスの研究 2008年8月 - 2011年3月 国立大学法人愛媛大学 萌芽研究 垣内拓大
- その他
- Si(100)基板上Hf堆積膜の⼀酸化窒素による酸窒化反応；表⾯界⾯化学状態を選別した反応性 2022年6月 - 2022年7月
N2分子曝露/分子線照射によるHf/Si(111)超薄膜の表面界面窒化反応ダイナミクスの観測 2021年10月 - 2022年2月
Hf/Si超薄膜表面界面で起こる酸化反応前後の仕事関数並びに化学状態変化 2021年4月 - 2023年3月
超音速酸素分子線の運動エネルギーに依存して変化するHfSi4/Si(111)表面層酸化の観測 2021年4月 - 2021年7月
O2超音速分子線の運動エネルギーに依存して変化するHf/Si(111)超薄膜酸化の反応経路解明 2020年4月 - 2020年7月
high-k材料/Si単結晶系の表面界面における化学状態と局所価電子状態 2019年4月
凹凸あるSi表面上に作製したhigh-k材料超薄膜の分光学的研究；吸着ダイナミクスと表面界 面物性 2017年4月
リアルタイム光電子分光法によるSi 単結晶上に作製したHf 超薄膜表面界面の酸化過程の解明 2016年12月
Si(110)表面上に作製した金属・酸化物超薄膜の表面界面局所価電子状態の研究 2015年4月
Si(110)表面上に作製した誘電体・金属シリサイド超薄膜の表面界面局所価電子状態の研究 2013年4月
コインシデンス分光による Si 表面上に作成した高誘電体超薄膜の局所価電子状態の研究 2011年6月
コインシデンス分光によるSi表面上に作製した高誘電体超薄膜の局所価電子状態の研究 2011年4月
2025年4月18日更新
- 専門分野・研究分野
- エネルギー / 量子ビーム科学 / シンクロトロン放射光
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面・界面
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 高誘電体材料 - 所属学会・所属協会
- 日本物理学会
日本表面科学会
分子科学会
日本化学会 - 委員歴・役員歴
- 令和5年度 高校生おもしろ科学コンテスト 問題作成委員 2023年4月 - 2024年3月
愛媛大学Webオープンキャンパス理学部WG座長 オープンキャンパス理学部WG 2020年8月
愛媛大学理学同窓会 幹事 2015年4月 - 現在 - 受賞
- 理学部研究奨励賞 2020年12月 愛媛大学理学部
理学部研究奨励賞 2019年12月 愛媛大学理学部 垣内 拓大 - 活動
- 宇和島東高等学校SSH 役割：講師, 企画, 運営参加・支援 宇和島東高等学校 研究室体験研修 2024年8月
身の回りの表面科学を解く 役割：講師 愛媛県立西条高等学校 2021年12月
身の回りの表面科学を解く 役割：講師 愛媛県立東温高等学校 2021年7月
原子・分子の世界を“見て” 、“理解し”、想像（創造）する！ 役割：講師 文部科学省 高松第一高等学校（SSH） 2016年9月
物質の世界を理解し、機能材料を創製する！ 役割：講師 文部科学省 高松第一高等学校（SSH） 2015年9月
ドライアイスで遊ぼう 役割：企画, 運営参加・支援, 実演 愛媛大学理学部 親子で楽しむ科学実験 2015年8月
スライムを作ろう 役割：企画, 運営参加・支援, 実演 愛媛大学理学部 親子で楽しむ科学実験 2014年8月
低温の世界 役割：企画, 運営参加・支援, 実演 愛媛大学理学部 親子で楽しむ科学実験 2013年8月
光（ひかり）の万華鏡（まんげきょう）を作（つく）ろう 役割：企画, 運営参加・支援 日本化学会中国四国支部 おもしろワクワク化学の世界 2012年8月
2012研究者入門 役割：講師 総合研究大学院大学 研究者入門2012 − 研究者コミュニティーへの招待 2012年7月
2025年4月13日更新
2025年4月12日更新
Ｊグローバル
- Jグローバル最終確認日
- 2025/4/12 01:03
- 氏名（漢字）
- 垣内 拓大
- 氏名（フリガナ）
- カキウチ タクヒロ
- 氏名（英字）
- Kakiuchi Takuhiro
- 所属機関
- 愛媛大学 特任准教授/講師
リサーチマップ
- researchmap最終確認日
- 2025/4/13 01:13
- 氏名（漢字）
- 垣内 拓大
- 氏名（フリガナ）
- カキウチ タクヒロ
- 氏名（英字）
- Kakiuchi Takuhiro
- プロフィール
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- 登録日時
- 2011/8/16 00:00
- 更新日時
- 2024/9/18 12:27
- アバター画像URI
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- ハンドル
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- eメール
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- eメール（その他）
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- 携帯メール
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- 性別
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- 没年月日
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- 所属ID
- 0352021000
- 所属
- 愛媛大学
- 部署
- 大学院理工学研究科
- 職名
- 特任准教授/講師
- 学位
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- 学位授与機関
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- URL
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- 科研費研究者番号
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- Google Analytics ID
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- ORCID ID
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- その他の所属ID
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- その他の所属名
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- その他の所属 部署
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- その他の所属 職名
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- 最近のエントリー
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- Read会員ID
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- 経歴
- 受賞
- Misc
- 論文
- 講演・口頭発表等
- 書籍等出版物
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- 研究キーワード
- 研究分野
- 所属学協会
- 担当経験のある科目
- その他
- Works
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- 特許
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- 学歴
- 委員歴
- 社会貢献活動
2025年4月12日更新
- 研究者番号
- 00508757
- 所属（現在）
- 2025/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 准教授
- 所属（過去の研究課題
情報に基づく）*注記 - 2023/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 准教授
2022/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師(特任准教授)
2021/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師
2017/4/1 – 2019/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師
2015/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科, 講師
2014/4/1 : 愛媛大学, 大学院理工学研究科, 助教
2011/4/1 – 2014/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科, 助教
2012/4/1 : 愛媛大学, 大学院・理工学研究科, 助教
- 審査区分/研究分野
-
研究代表者
理工系 / 工学 / 応用物理学・工学基礎 / 薄膜・表面界面物性
理工系 / 数物系科学 / 物理学 / 物性Ⅰ
理工系 / 化学 / 材料化学 / デバイス関連化学
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連研究代表者以外
理工系 / 工学 / 応用物理学・工学基礎 / 薄膜・表面界面物性
- キーワード
-
研究代表者
シリコン / 表面界面 / 局所価電子状態 / オージェ電子-光電子コインシデンス分光 / 高誘電体超薄膜 / シリコン半導体 / ハフニウム / 高誘電体材料 / コインシデンス分光 / 水素 / 省エネルギー / 微細加工 / Si(110) / coincidence spectroscopy / HfO2 / Auger electron / photoelectron / 薄膜 / 表面物性 / 界面物性 / 光電子分光 / 半導体 / 高誘電体 / MOS-FET / シングルドメイン / 超薄膜 / 表面界面物性 / 酸化ハフニウム / 光電子分光法 / 金属半導体ヘテロ界面 / Si半導体 / コインシデンス分光法 / シンクロトロン放射光 / 酸化反応ダイナミクス / 表面界面反応 / 表面化学反応 / 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ / 二酸化ハフニウム / 表面界面反応追跡 / 時間分解光電子分光法 / ハフニウムシリサイド / 酸化ダイナミクス / 酸化ハフニウム超薄膜 / 光電子-オージェ電子コインシデンス分光法 / オージェ電子分光法 / マイクロ・ナノデバイス / 高誘電率材料 / 量子閉じ込め / 酸窒化反応 / ゲート絶縁膜 / X線光電子分光法 / 分子ビーム / ヘテロ界面 / 酸化反応 / 高誘電率ゲート絶縁膜材料 / 表面界面酸化反応 / 放射光軟X線光電子分光 / 金属薄膜酸化
研究代表者以外
表面 / 局所電子状態 / 電子励起ダイナミクス / 光電子分光 / オージェ電子分光 / コインシデンス分光 / 半導体 / 吸着分子 / 半導体表面 / 電子励起誘起イオン脱離
研究課題
研究成果
共同研究者
注目研究はありません。