大気圧CVD法酸化物半導体ナノワイヤーの形状及び表面制御と高感度ガスセンシング
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-26390029 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(C) |
| 研究分野 | 理工系 総合理工 ナノ・マイクロ科学 ナノ材料工学 |
| 研究機関 | 愛媛大学 |
| 代表研究者 | 寺迫 智昭 |
| 研究期間 開始年月日 | 2014/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2016 |
| 研究ステータス | 完了 (2016/4/1) |
| 配分額（合計） | 4,940,000 (直接経費 :3,800,000、間接経費 :1,140,000) |
| 配分額（履歴） |
2016年度：1,430,000 (直接経費 :1,100,000、間接経費 :330,000) 2015年度：2,470,000 (直接経費 :1,900,000、間接経費 :570,000) 2014年度：1,040,000 (直接経費 :800,000、間接経費 :240,000) |
| キーワード | ガスセンサ SnO2 β-Ga2O3 CuO Cu2O 化学気相堆積法 気相-液相-固相っ成長 化学溶液析出法 酸化スズ 酸化ガリウム ナノワイヤー VLS成長 交互原料供給法 フォトルミネッセンス 酸化銅 酸化スズナノワイヤー 酸化ガリウムナノワイヤー 気相-液相-固相成長 気相-固相成長 大気圧CVD法 溶液成長 透過電子顕微鏡 |