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異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究

KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る
研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-26289107
研究種目 基盤研究(B)
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子デバイス・電子機器
研究機関 徳島大学
代表研究者 永瀬 雅夫
研究分担者 関根 佳明
研究分担者 影島 博之
研究分担者 大野 恭秀
研究分担者 日比野 浩樹
研究期間 開始年月日 2014/4/1
研究期間 終了年度 2016
研究ステータス 完了 (2016/4/1)
配分額（合計） 16,770,000 (直接経費 :12,900,000、間接経費 :3,870,000)
配分額（履歴） 2016年度：2,210,000 (直接経費 :1,700,000、間接経費 :510,000)
2015年度：2,990,000 (直接経費 :2,300,000、間接経費 :690,000)
2014年度：11,570,000 (直接経費 :8,900,000、間接経費 :2,670,000)
キーワード グラフェン
集積化デバイス
赤外線加熱
表面構造制御
環境制御チャンバー
電子デバイス
ナノ材料
異種機能集積化
ナノコンタクト
電子デバイス・機器

研究成果

[学会発表] 集束イオンビームを用いたステンシルリソグラフィ技術のためのSub10nmパターンの作製

朴 理博, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 2017

[学会発表] 分子修飾機能化によるSiC上グラフェンの非特異吸着の抑制

谷口嘉昭,三木翼,光野琢仁,大野恭秀,永瀬雅夫,南川慶二,安澤幹人 2017

[学会発表] SiC上グラフェンの水吸着によるキャリア密度変化

北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2017

[学会発表] Hydrophilic Graphene Film by Molecular Functionalization

Y. Taniguchi, T. Miki, T. Mitsuno, Y. Ohno, M. Nagase, K. Minagawa and M. Yasuzawa 2016

[学会発表] Protein adsorption characteristics on bare and phosphorylcholine- modified graphene films on SiC substrate

Y. Taniguchi, T. Miki, T. Mitsuno, Y. Ohno, M. Nagase, K. Minagawa and M. Yasuzaw 2016

[学会発表] ロジウム - 二硫化モリブデン - グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究

楊 順涵, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2016

[学会発表] SiC上グラフェンのタンパク質吸着特性 ~分子 修飾による高性能バイオセンサの実現に向けて~

谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2016

[学会発表] 顕微ラマン分光法によるSiC上グラフェンの応力とキャリア密度の面内分布評価

森本 征士, 有月 琢哉, 青木 翔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2016

[学会発表] 走査プローブ顕微鏡を用 いたSiC上グラフェンの実効ヤング率計測

山田 祐輔, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2016

[学会発表] グラフェン本来のイオンセンシング特性

大野 恭秀, 光野 琢仁, 谷口 嘉昭, 永瀬 雅夫 2016

[学会発表] Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC

M. Kitaoka, T. Nagahama, K. Nakamura, K. Takashima, Y. Ohno and M. Nagase 2016

[雑誌論文] Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique

T. Aritsuki, T. Nakashima, K. Kobayashi, Y. Ohno, and M. Nagase 2016

[学会発表] SiC上グラフェンの水脱離による導電率変化

北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2016

[学会発表] エピタキシャルグラフェン上の吸着水層

中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 永濱 拓也, 北岡 誠, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 2016

[雑誌論文] Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates

Y. Ohno, Y. Kanai, Y. Mori, M. Nagase and K. Matsumoto 2016

[学会発表] 新規合成分子を用いた表面修飾による単結晶グラフェンの親水化

谷口 嘉昭, 三木 翼, 光野 琢仁, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 南川 慶二, 安澤 幹人 2016

[学会発表] SiC上グラフェンのシート抵抗の湿度依存性

北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2016

[学会発表] Intrinsic pH Sensitivity of Graphene Field-Effect Transistor

T. Mitsuno, Y. Taniguchi, Y. Ohno and M. Nagase 2016

[雑誌論文] Microscopic Raman Study of Graphene on 4H-SiC Two-Dimensionally Enhanced by Surface Roughness and Gold Nanoparticles

H. Matsumura, S. Yanagiya, M. Nagase, H. Kishikawa and N. Goto 2016

[雑誌論文] Planar cold cathode based on a multilayer-graphene/SiO2/Si heterodevice

K. Nishiguchi, D. Yoshizumi, Y. Sekine, K. Furukawa, A. Fujiwara and M. Nagase 2016

[学会発表] SiC 上グラフェンに堆積した金ナノ粒子の SERS 効果

松村 尚知, 柳谷 伸一郎, 古部 昭広, 岸川 博紀, 後藤 信夫, 永瀬 雅夫 2016

[学会発表] Single-crystal graphene growth on SiC by infrared rapid thermal annealing

M. Nagase 2016

[学会発表] High quality graphene on SiC formed by the surface structure control technique

T. Aritsuki, T. Nakashima, K. Kobayashi, Y. Ohno and M. Nagase 2015

[学会発表] Cat-CVD 法による SiNx 絶縁膜を用いた SiC グラフェン FET の作製

大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 松本 和彦 2015

[学会発表] Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates

Y. Ohno, M. Nagase and M. Kazuhiko 2015

[学会発表] 雰囲気制御による SiC 上グラフェンの抵抗値変化

永濱 拓也, 小林 慶祐, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 青木 翔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2015

[雑誌論文] Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene

R. O, M. Takamura, K. Furukawa, M. Nagase and H. Hibino 2015

[学会発表] Electron emission using multilayered-graphene/SiO2/Si heterodevice driven with low-voltage supply in low vacuum

D. Yoshizumi, K. Nishiguchi, Y. Sekine, K. Furukawa, A. Fujiwara and M. Nagase 2015

[学会発表] HSQ 塗布による SiC 上グラフェンのキャリア濃度変化

小田 達也, 小林 慶祐, 有月 琢哉, 青木 翔, 永濵 拓也, 永瀬 雅夫 2015

[学会発表] SiC上グラフェンのナノ物性評価

永瀬 雅夫 2015

[雑誌論文] Resistivity anisotropy measured using four probes in epitaxial graphene on silicon carbide

Kobayashi Keisuke, Tanabe Shinichi, Tao Takuto, Okumura Toshio, Nakashima Takeshi, Aritsuki Takuya, O Ryong-Sok and Masao Nagase 2015

[学会発表] SiC(0001) Si 面上第一層目グラフェン成長における [1-100]ステップの役割,

影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 2014

[雑誌論文] 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱

関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 岩本 篤, 永瀬 雅夫, 影島 博之, 佐々木 健一, 赤崎 達志 2014

[学会発表] Epitaxial graphene grown by infrared rapid thermal annealing

Masao Nagase 2014

[学会発表] SiC 上グラフェン表面電位の環境雰囲気効果に関する研究

泰地 耕作, 奥村 俊夫, 中島 健志, 永瀬 雅夫 2014

[学会発表] Graphene on SiC substrate fabricated by infrared rapid thermal annealer

Masao Nagase 2014

[学会発表] Theoretical studies of graphene on SiC

Kageshima Hiroyuki, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase 2014

[学会発表] Graphene on SiC substrates fabricated by an infrared rapid thermal annealer

Masao Nagase 2014

[学会発表] SiC 上グラフェンのラマンスペクトルにおける表面成分抽出

青木 翔, 呉 龍錫, 井口 宗明, 中島 健志, 永瀬 雅夫 2014

[学会発表] デバイス化プロセスにおける SiC 上グラフェン電子物性変調

有月 琢哉, 奥村 俊夫, 呉 龍錫, 中島 健志, 小林 慶祐, 永瀬 雅夫 2014

[学会発表] 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱

関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 岩本 篤, 永瀬 雅夫, 影島 博之, 赤崎 達志 2014