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永瀬雅夫

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2024年4月26日更新

職名: 教授
電話: 088-656-9716
電子メール: nagase@ee.tokushima-u.ac.jp
学歴: 1982/3: 早稲田大学理工学部応用物理学科卒業
1984/3: 早稲田大学大学院理工学研究科物理学及応用物理学専攻修了
1997/3: 博士(工学・早稲田大学)
学位: 博士(工学) (早稲田大学) (1997年3月)
職歴・経歴: 1984/4: 日本電信電話公社厚木電気通信研究所入所
1987/7: 日本電信電話(株)LSI研究所
1996/7: 日本電信電話(株)基礎研究所
1999/1: 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
2010/4: 徳島大学教授

専門分野・研究分野: 半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics)

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2024年4月26日更新

専門分野・研究分野: 半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics)
担当経験のある授業科目: ナノエレクトロニクス特論 (大学院)
プレゼンテーション技法(D) (大学院)
半導体デバイス物理特論 (大学院)
技術英語基礎1 (学部)
技術英語基礎2 (学部)
理工学特別実習 (大学院)
電子デバイス (学部)
電気・電子材料工学 (学部)
電気電子システム特別研究 (大学院)
電気電子工学基礎実験 (学部)
電気電子工学特別講義 (学部)
指導経験: 26人 (学士), 9人 (修士)

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2024年4月26日更新

専門分野・研究分野: 半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics)

研究テーマ: 半導体デバイスの開発とナノ物性評価技術の研究 (半導体デバイス (semiconductor device), ナノ構造 (nanostructure), シリコン (silicon), グラフェン (graphene), ナノ計測技術 (nanometrology))

著書

永瀬雅夫, 他 :
異種機能デバイス集積化技術の基礎と応用, --- ―MEMS, NEMS, センサ, CMOSLSIの融合― <普及版> ---,
株式会社シーエムシー出版, 東京, 2019年4月. 永瀬雅夫, 他 :
ナノカーボンの応用と実用化, --- ―フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に― <普及版> ---,
株式会社シーエムシー出版, 東京, 2017年10月. 永瀬雅夫, 他 :
グラフェンの機能と応用展望, --- 普及版 ---,
株式会社シーエムシー出版, 東京, 2015年9月. 永瀬雅夫, 他 :
異種機能デバイス集積化技術の基礎と応用, --- ―MEMS, NEMS, センサ, CMOSLSIの融合― ---,
株式会社シーエムシー出版, 東京, 2012年11月. 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 他 :
グラフェンが拓く材料の新領域, --- ∼物性・作製法から実用化まで∼ ---,
エヌティーエス, 東京, 2012年6月. 永瀬雅夫, 他 :
ナノカーボンの応用と実用化, --- ―フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に― ---,
株式会社シーエムシー出版, 東京, 2011年7月. 永瀬雅夫, 他 :
マクロ観察と新型顕微技法Q&A, --- 材料解析研究者・顕微鏡研究者のための ---,
アグネ承風社, 東京, 2010年10月. 永瀬雅夫, 他 :
グラフェンの機能と応用展望,
株式会社シーエムシー出版, 東京, 2009年7月. Masao Nagase :
Yearbook of Science & Technology 2007, --- Nanometrology ---,
The McGraw-Hill Companies, New York, Jan. 2007. 永瀬雅夫, 他 :
先端の分析法, --- 理工学からナノ・バイオまて ---,
株式会社エヌ·ティー·エス, 東京, 2004年12月. 永瀬雅夫, 他 :
ナノテクノロジーのための走査電子顕微鏡, --- (日本表面化学会編) ---,
丸善出版, 東京, 2004年2月.

論文

Murakami Hayate, Fukunaga Fumiya, Ohi Motoki, Kubo Kosuke, Nakagawa Takeru, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.63, No.4, 04SP56-1-04SP56-6, 2024.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 119236
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1347-4065/ad364f
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.35848/1347-4065/ad364f

(徳島大学機関リポジトリ: 119236, DOI: 10.35848/1347-4065/ad364f) Yasuhide Ohno, Ayumi Shimmen, Tomohiro Kinoshita and Masao Nagase :
Energy Harvesting of Deionized Water Droplet Flow over an Epitaxial Graphene Film on a SiC Substrate,
Materials, Vol.16, No.12, 4336-1-4336-9, 2023.

(要約): This study investigates energy harvesting by a deionized (DI) water droplet flow on an epitaxial graphene film on a SiC substrate. We obtain an epitaxial single-crystal graphene film by annealing a 4H-SiC substrate. Energy harvesting of the solution droplet flow on the graphene surface has been investigated by using NaCl or HCl solutions. This study validates the voltage generated from the DI water flow on the epitaxial graphene film. The maximum generated voltage was as high as 100 mV, which was a quite large value compared with the previous reports. Furthermore, we measure the dependence of flow direction on electrode configuration. The generated voltages are independent of the electrode configuration, indicating that the DI water flow direction is not influenced by the voltage generation for the single-crystal epitaxial graphene film. Based on these results, the origin of the voltage generation on the epitaxial graphene film is not only an outcome of the fluctuation of the electrical-double layer, resulting in the breaking of the uniform balance of the surface charges, but also other factors such as the charges in the DI water or frictional electrification. In addition, the buffer layer has no effect on the epitaxial graphene film on the SiC substrate.
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 118359
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.3390/ma16124336
(文献検索サイトへのリンク): ● PubMed @ National Institutes of Health, US National Library of Medicine (PMID): 37374520; ● Search Scopus @ Elsevier (PMID): 37374520; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.3390/ma16124336

(徳島大学機関リポジトリ: 118359, DOI: 10.3390/ma16124336, PubMed: 37374520) Motoki Ohi, Fumiya Fukunaga, Hayate Murakami, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Resistive-switching behavior in graphene-stacked diode,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.62, SG1031-(5pp), 2023.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / stacked junction
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 118149
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1347-4065/acbbd4
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.35848/1347-4065/acbbd4

(徳島大学機関リポジトリ: 118149, DOI: 10.35848/1347-4065/acbbd4) Sohta Yamasaki, Nakai Hiroki, Murayama Keita, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Electron transfer characteristics of amino acid adsorption on epitaxial graphene FETs on SiC substrates,
AIP Advances, Vol.12, No.10, 105310-1-105310-5, 2022.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 117601
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/5.0124084
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1063/5.0124084

(徳島大学機関リポジトリ: 117601, DOI: 10.1063/5.0124084) Nakagawa Yoshinori, Okauchi Shigeki, Sano Masahiko, Takashi Mukai, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Graphene/AlGaN Schottky barrier photodiodes and its application for array devices,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.61, No.SD, SD1013-(6pp), 2022.

(キーワード): グラフェン (graphene) / AlGaN
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1347-4065/ac6132
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.35848/1347-4065/ac6132

(DOI: 10.35848/1347-4065/ac6132) Taichi Kataoka, Fumiya Fukunaga, Naruse Murakami, Yoshiki Sugiyama, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Far-infrared emission from graphene on SiC by current injection,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.61, No.SD, SD1019-(6pp), 2022.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 赤外線 (infrared rays) / 炭化ケイ素 (SiC)
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 116927
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1347-4065/ac5423
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.35848/1347-4065/ac5423

(徳島大学機関リポジトリ: 116927, DOI: 10.35848/1347-4065/ac5423) Minami Tomoki, Ochi Shuta, Nakai Hiroki, Kinoshita Tomohiro, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Thermal desorption of structured water layer on epitaxial graphene,
AIP Advances, Vol.11, 125012-(5pp), 2021.

(キーワード): グラフェン (graphene) / Thermal desorption / structured water layer
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 116582
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/5.0075191
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1063/5.0075191

(徳島大学機関リポジトリ: 116582, DOI: 10.1063/5.0075191) Hiroki Nakai, Daiu Akiyama, Yoshiaki Taniguchi, Iori Kishinobu, Hiromichi Wariishi, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Takuya Ikeda, Atsushi Tabata and Hideaki Nagamune :
Charge-independent protein adsorption characteristics of epitaxial graphene field-effect transistor on SiC substrate,
Journal of Applied Physics, Vol.130, No.7, 074502-1-074502-8, 2021.

(キーワード): グラフェン (graphene)
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 116163
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/5.0054688
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1063/5.0054688

(徳島大学機関リポジトリ: 116163, DOI: 10.1063/5.0054688) Murakami Naruse, Sugiyama Yoshiki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Blackbody-like infrared radiation in stacked graphene P-N junction diode,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.60, No.SC, SCCD01-(4pp), 2021.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 赤外線 (infrared rays) / junction diode
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 115744
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1347-4065/abe208
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.35848/1347-4065/abe208

(徳島大学機関リポジトリ: 115744, DOI: 10.35848/1347-4065/abe208) Yoshiaki Sekine, Hibino Hiroki, Oguri Katsuya, Iwamoto Atsushi, Masao Nagase, Kageshima Hiroyuki and Akazaki Tatsushi :
Surface-enhanced Raman scattering from buffer layer under graphene on SiC in a wide energy range from visible to near-infrared,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.59, No.4, 040902, 2020.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1347-4065/ab7a48
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85083321813

(DOI: 10.35848/1347-4065/ab7a48, Elsevier: Scopus) Kujime Takaya, Taniguchi Yoshiaki, Akiyama Daiu, Kawamura Yusuke, Kanai Yasushi, Matsumoto Kazuhiko, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
High Stability of Epitaxial Graphene on a SiC Substrate,
Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, Vol.256, 1900357, 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssb.201900357
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1002/pssb.201900357

(DOI: 10.1002/pssb.201900357) Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa and Mikito Yasuzawa :
Observation of the interaction between avidin and iminobiotin using a graphene FET on a SiC substrate,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.SD, SDDD02, 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/1347-4065/ab0544
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85069540593

(DOI: 10.7567/1347-4065/ab0544, Elsevier: Scopus) Du Jiyao, Kimura Yukinobu, Tahara Masaaki, Matsui Kazushi, Teratani Hitoshi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Vertically stacked graphene tunnel junction with structured water barrier,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.58, No.SD, SDDE01-(4pp), 2019.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 113469
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/1347-4065/ab0891
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/1347-4065/ab0891

(徳島大学機関リポジトリ: 113469, DOI: 10.7567/1347-4065/ab0891) Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa, Yasushi Imada, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Suppression of protein adsorption on a graphene surface by phosphorylcholine functionalization,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.5, 055001, 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/1347-4065/ab0b37
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85067825146

(DOI: 10.7567/1347-4065/ab0b37, Elsevier: Scopus) Mitsuno Takanori, Taniguchi Yoshiaki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Ion sensitivity of large-area epitaxial graphene film on SiC substrate,
Applied Physics Letters, Vol.111, 213103-(4pp), 2017.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/1.4994253
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1063/1.4994253

(DOI: 10.1063/1.4994253) Kitaoka Makoto, Nagahama Takuya, Nakamura Kohta, Aritsuki Takuya, Takashima Kazuya, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.56, No.8, 085102-(4pp), 2017.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 111938
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.56.085102
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/JJAP.56.085102

(徳島大学機関リポジトリ: 111938, DOI: 10.7567/JJAP.56.085102) Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Fabrication of hydrophilic graphene film by molecular functionalization,
Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, Vol.254, No.2, 1600524-(4pp), 2016.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1002/pssb.201600524
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1002/pssb.201600524

(DOI: 10.1002/pssb.201600524) Hisatomo Matsumura, Shin-ichiro Yanagiya, Masao Nagase, Hiroki Kishikawa and Nobuo Goto :
Microscopic Raman Study of Graphene on 4H-SiC Two-Dimensionally Enhanced by Surface Roughness and Gold Nanoparticles,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GL05, 2016.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 111013
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.55.06GL05
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/JJAP.55.06GL05

(徳島大学機関リポジトリ: 111013, DOI: 10.7567/JJAP.55.06GL05) Yasuhide Ohno, Kanai Yasushi, Mori Yuki, Masao Nagase and Matsumoto Kazuhiko :
Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiN_x insulator on SiC substrates,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GF09, 2016.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.55.06GF09
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84974559680

(DOI: 10.7567/JJAP.55.06GF09, Elsevier: Scopus) Aritsuki Takuya, Nakashima Takeshi, Kobayashi Keisuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.55, No.6, 06GF03-(4pp), 2016.

(要約): The thermal decomposition of silicon carbide (SiC) is a promising method for producing wafer-scale single-crystal graphene. The optimal growth condition for high-mobility epitaxial graphene fabricated by infrared rapid thermal annealing is discussed in this paper. The surface structures, such as step terrace and graphene coverage structures, on a non-off-axis SiC(0001) substrate were well controlled by varying the annealing time in a range below 10 min. The mobility of graphene grown at 1620 °C for 5 min in 100 Torr Ar ambient had a maximum value of 2089 cm2 V%1 s%1. We found that the causes of the mobility reduction were low graphene coverage, high sheet carrier density, and nonuniformity of the step structure.
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 110895
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.55.06GF03
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84974539388

(徳島大学機関リポジトリ: 110895, DOI: 10.7567/JJAP.55.06GF03, Elsevier: Scopus) O Ryong-Sok, Takamura Makoto, Furukawa Kazuaki, Masao Nagase and Hiroki Hibino :
Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.54, No.3, 036502-(5pp), 2015.

(要約): We report on the effects of UV light intensity on the photo assisted electrochemical wet etching of SiC(0001) underneath an epitaxially grown graphene for the fabrication of suspended structures. The maximum etching rate of SiC(0001) was 2.5 m/h under UV light irradiation in 1 wt % KOH at a constant current of 0.5 mA/cm2. The successful formation of suspended structures depended on the etching rate of SiC. In the Raman spectra of the suspended structures, we did not observe a significant increase in the intensity of the D peak, which originates from defects in graphene sheets. This is most likely explained by the high quality of the single-crystalline graphene epitaxially grown on SiC.
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 110896
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/JJAP.54.036502
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1050845762396358528; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84924244238

(徳島大学機関リポジトリ: 110896, DOI: 10.7567/JJAP.54.036502, CiNii: 1050845762396358528, Elsevier: Scopus) 関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 岩本篤, 永瀬雅夫, 影島博之, 佐々木健一, 赤崎達志 :
金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱,
レーザー研究, Vol.42, No.8, 652-657, 2014年.

(キーワード): Surface-enhanced Raman scattering / Localized surface plasmon resonance / Graphene / SiC / Buffer layer
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390848647544380928

(CiNii: 1390848647544380928) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase :
Stability and Reactivity of [11-20] Step in Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001),
Materials Science Forum, Vol.778-780, 1150-1153, 2014.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1150
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84896073818

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1150, Elsevier: Scopus) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase :
Stability and reactivity of steps in the initial stage of graphene growth on the SiC(0001) surface,
Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.88, No.23, 235405-(7pp), 2013.

(要約): The stability and reactivity of steps in the initial stage of the graphene growth by sublimating the SiC(0001) surface is theoretically studied by the first-principles calculation. The steps are not necessarily unstable and reactive during the formation of the zeroth graphene layer. Temperature, Si pressure, and C coverage affect the stability and reactivity of the step. The growth mode shows a phase transition. The step is unstable and reactive after the zeroth graphene layer is formed. These findings are tightly related to the graphene formation mechanism on this surface. They are discussed with experimental results and suggest a way to control the quality of graphene.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1103/PhysRevB.88.235405
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1103/PhysRevB.88.235405

(DOI: 10.1103/PhysRevB.88.235405) O Ryongsok, Atsushi Iwamoto, Yuki Nishi, Yuya Funase, Takahiro Yuasa, Takuro Tomita, Masao Nagase, Hiroki Hibino and Hiroshi Yamaguchi :
Microscopic Raman mapping of epitaxial graphene on 4H-SiC (0001),
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.51, No.6, 06FD06-(5pp), 2012.

(要約): We propose a quality control method for wafer-scale epitaxial graphene grown on SiC substrates. The peak position of Raman spectra of epitaxial graphene is an excellent indicator of film quality and reveals irregularities, such as graphene thickness inhomogeneity and SiC substrate defects. A comparison of microscopic Raman maps and scanning probe microscopy images of the same position of the sample revealed that wave numbers of Raman peaks (G and 2D band peaks) were strongly correlated with the strain in the graphene film. The increase in number of graphene layers (2 to 3--4 layers) induced phonon softening ({im}6 cm-1) and broadening ({im}6 cm-1) of the 2D band peak. Significant phonon softening and abnormal broadening of the Raman peaks were observed at residual scratches on the SiC substrate. The quantitative layer number distribution of graphene on SiC is successfully estimated from the wave number distribution of the 2D band peak.
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 110898
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.51.06FD06
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1050001337466226688; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.51.06FD06

(徳島大学機関リポジトリ: 110898, DOI: 10.1143/JJAP.51.06FD06, CiNii: 1050001337466226688) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi :
Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects,
AIP Conference Proceedings, Vol.1399, 755-756, 2011.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1063/1.3666596
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1063/1.3666596

(DOI: 10.1063/1.3666596) Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase, A. Fujiwara and E. Ohta :
Significance of the interface regarding magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon,
Thin Solid Films, Vol.519, No.24, 8505-8508, 2011.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.tsf.2011.05.027
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.tsf.2011.05.027

(DOI: 10.1016/j.tsf.2011.05.027) Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino :
Carrier transport mechanism in graphene on SiC(0001),
Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.84, No.11, 115458-(5pp), 2011.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1103/PhysRevB.84.115458
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1103/PhysRevB.84.115458

(DOI: 10.1103/PhysRevB.84.115458) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase :
Theoretical Study on Epitaxial Graphene Growth by Si Sublimation from SiC(0001) Surface,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.9, 095601-(6pp), 2011.

(要約): The growth of epitaxial graphene on the SiC(0001) surface is theoretically studied by assuming silicon (Si) sublimation from the surface. Our results indicate that a new graphene sheet grows from the interface between the old graphene sheets and SiC substrate, as found in our previous study on graphene growth by carbon (C) deposition. Graphene growth requires overcoming rather lower energy barriers until 0-monolayer graphene (buffer layer) is formed. Further growth toward formation of 1-monolayer graphene requires overcoming energy barriers higher by about 0.7 eV, which indicates that the growth preferably stops once when 0-monolayer graphene is formed. Compared with the C deposition case, the growth requires overcoming the energy barrier higher by about 0.7 eV, which indicates that the graphene growth is more difficult. In addition, the nonuniform growth of surface C aggregates is thought to degrade the quality of the grown graphene. The C-rich condition is therefore important for obtaining high-quality graphene. The experimental graphene growth is considered to proceed similarly to the C deposition case rather than the Si sublimation case.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.50.095601
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1360566399838670592; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.50.095601

(DOI: 10.1143/JJAP.50.095601, CiNii: 1360566399838670592) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi :
Theoretical Study on Magnetoelectric and Thermoelectric Properties for Graphene Devices,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.7, 070115-(5pp), 2011.

(要約): Two of our recent theoretical efforts on elucidating the functions of graphene are reported. A first-principles calculation of the growth process of graphene islands on SiC(0001) shows that an embedded structure is energetically preferable. Island with this embedded structure do not have any broken dangling bonds at their edges. Their electronic states clearly show that they surely act as islands. Islands with zigzag edges have edge-localized states, which causes magnetoelectric effects. Graphene is also expected as a highly efficient material for thermoelectric elements according to a theoretical study. If the carrier scattering sources are adequately suppressed, the thermoelectric figure of merit greatly exceeds 1 at temperatures higher than 300 K with the Fermi energy fixed around the Dirac point. Since graphene is cheaper, resource abundant, more harmless, higher in melting temperature, and much lighter in density, than the present typical material, BiTe/Sb, many new applications could be considered.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.50.070115
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1360847871786466560; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.50.070115

(DOI: 10.1143/JJAP.50.070115, CiNii: 1360847871786466560) Teruaki Takeuchi, Kosuke Tatsumura, Iwao Ohdomari, Takayoshi Shimura and Masao Nagase :
X-ray diffraction profiles of Si nanowires with trapezoidal cross-sections,
Physica B : Condensed Matter, Vol.406, No.13, 2559-2564, 2011.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.physb.2011.03.064
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.physb.2011.03.064

(DOI: 10.1016/j.physb.2011.03.064) Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino :
Observation of band gap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.4, 04DN04-(4pp), 2011.

(要約): Bilayer graphene was grown on the Si-face of SiC by thermal decomposition. Its electronic properties were investigated in top-gate Hall bar devices. By controlling the carrier density using gate voltage, we were able to access the charge neutrality point. The conductance at the charge neutrality point showed a strong temperature dependence, and its temperature dependence was well fitted with thermal activation and variable-range hopping mechanisms. The electrical detection of a band gap opening in bilayer graphene grown on SiC is a promising step toward the realization of graphene-based electronics using epitaxial graphene.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.50.04DN04
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1360003446856179712; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.50.04DN04

(DOI: 10.1143/JJAP.50.04DN04, CiNii: 1360003446856179712) Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino :
Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC,
Materials Research Society Symposia Proceedings, Vol.1283, opl.2011.675-(6pp), 2011.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1557/opl.2011.675
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(DOI: 10.1557/opl.2011.675) Kei Takashina, Masao Nagase, K Nishiguchi, Y Ono, H Omi, A Fujiwara, T Fujisawa and K Muraki :
Separately contacted monocrystalline silicon double-layer structure with an amorphous silicon dioxide barrier made by wafer bonding,
Semiconductor Science and Technology, Vol.25, No.12, 125001-(4pp), 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1088/0268-1242/25/12/125001
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1088/0268-1242/25/12/125001

(DOI: 10.1088/0268-1242/25/12/125001) Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Masao Nagase :
Epitaxial few-layer graphene: toward single crystal growth,
Journal of Physics D: Applied Physics, Vol.43, No.37, 374005-(14pp), 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1088/0022-3727/43/37/374005
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1088/0022-3727/43/37/374005

(DOI: 10.1088/0022-3727/43/37/374005) Masao Nagase, Kojiro Tamaru, Keiichiro Nonaka, Shinichi Warisawa, Sunao Ishihara and Hiroshi Yamaguchi :
Direct Actuation of GaAs Membrane Resonator by Scanning Probe,
NTT Technical Review, Vol.8, rp1-(7pp), 2010.

(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-77955857257

(Elsevier: Scopus) Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Masao Nagase :
Graphene Growth on Silicon Carbide,
NTT Technical Review, Vol.8, sf4-(6pp), 2010.

(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-77955896361

(Elsevier: Scopus) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino and Masao Nagase :
Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles,
Materials Science Forum, Vol.645-648, 597-602, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.597
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.597

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.597) Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi :
Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate,
Nanotechnology, Vol.20, No.44, 445704-(6pp), 2009.

(要約): The microscopic structural and electrical properties of few-layer graphene grown on an SiC substrate were characterized by low-energy electron microscopy, transmission electron microscopy and scanning probe microscopy measurements of local conductance. The double-layer graphene sheet was confirmed to be continuous across the atomic steps on the buried SiC substrate surface, and the measured local conductance was clearly modified in the vicinity of the steps. The conductance decreased (slightly increased) at the lower (upper) side of the steps, suggesting deformation-induced strain is the origin of the conductance modification. From the contact force dependence of the conductance images, the effective contact areas for both nanogap-probe and point-probe measurements were estimated.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1088/0957-4484/20/44/445704
(文献検索サイトへのリンク): ● PubMed @ National Institutes of Health, US National Library of Medicine (PMID): 19809118; ● Search Scopus @ Elsevier (PMID): 19809118; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1088/0957-4484/20/44/445704

(DOI: 10.1088/0957-4484/20/44/445704, PubMed: 19809118) Hiroki Hibino, S Mizuno, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi :
Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001),
Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.80, No.8, 085406-(6pp), 2009.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1103/PhysRevB.80.085406
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1103/PhysRevB.80.085406

(DOI: 10.1103/PhysRevB.80.085406) Keiichiro Nonaka, Kojiro Tamaru, Masao Nagase, Hiroshi Yamaguchi, Shinichi Warisawa and Sunao Ishihara :
Evaluation of Thermal Mechanical Vibration Amplitude and Mechanical Properties of Carbon Nanopillars Using Scanning Electron Microscopy,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.48, No.6, 06FG07-(5pp), 2009.

(要約): We describe a method for evaluating thermal mechanical vibration amplitude by means of analysis of scanning electron microscopy images. The samples used were carbon nanopillars of different heights grown by focused-ion-beam-induced chemical vapor deposition. The secondary electron yield profile of carbon nanopillars excited by thermal noise is modeled, and vibration amplitude is determined by fitting the modeled profile to the experimental profile. The Young's modulus of carbon nanopillars is deduced from the determined amplitude. Furthermore, the density of carbon nanopillars is estimated from the deduced Young's modulus and the measured resonant frequency. The obtained Young's moduli and densities range from 51 to 78 GPa and from 2500 to 3500 kg/m3, respectively.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.48.06FG07
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520572357496822144; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.48.06FG07

(DOI: 10.1143/JJAP.48.06FG07, CiNii: 1520572357496822144) Kojiro Tamaru, Keiichiro Nonaka, Masao Nagase, Hiroshi Yamaguchi, Shinichi Warisawa and Sunao Ishihara :
Direct Actuation of GaAs Membrane with the Microprobe of Scanning Probe Microscopy,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.48, No.6, 06FG06-(5pp), 2009.

(要約): A method for evaluating the dynamic characteristics of micro- and nanoresonators with high spatial resolution is proposed. The mechanical resonance of circular micromembrane resonators is directly induced by voltage applied from the microprobe of a scanning probe microscopy (SPM) system. The vibration amplitude is simultaneously detected as height information by SPM. Experimentally, the resonant properties of fundamental and higher-order modes of 200-nm-thick GaAs micromembranes were measured. The frequency of the highest mode is 3.4 MHz and its resonant amplitude is about 1 nm. The resonant amplitude increases with increasing actuation voltage in a linear manner at voltages below 180 mV. Large actuation voltage induces nonlinear vibration with the spring soften effect, which originates from the strong attractive force induced by the electronic field between the probe and membrane. The high tapping force, which is repulsive, induces another type of nonlinear vibration caused by the spring harden effect. The simultaneous actuation and detection for mechanical resonators based on SPM technology reveals the characteristics of the mechanical interaction force between the micromembrane and microprobe.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.48.06FG06
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1360284921831516800; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/JJAP.48.06FG06

(DOI: 10.1143/JJAP.48.06FG06, CiNii: 1360284921831516800)

MISC

大井基暉, 村上隼瑛, 久保倖介, 中川剛瑠, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 影島博之 :
高電圧印加によるグラフェン積層接合の抵抗変化,
第15回「集積化MEMSシンボジウム」, 6P4-D-2-(5pp), 2023年.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 積層接合 / 負性抵抗

福永郁也, 大井基暉, 村上隼瑛, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
グラフェン積層接合への高電界印加による抵抗状態遷移,
第14回「集積化MEMSシンボジウム」, 14P2-C-2-(5pp), 2022年.

(キーワード): グラフェン (graphene)

片岡大治, 久原拓真, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 基板上短冊状グラフェンからの遠赤外線放射の観測,
第14回「集積化MEMSシンボジウム」, 14P2-C-3-(6pp), 2022年.

(キーワード): グラフェン (graphene)

Masao Nagase :
Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate,
ECS Transactions, Vol.104, No.(4), 27-31, 2021.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / junction diode / tunneling / Far infrared
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 116404
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1149/10404.0027ecst
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85116860594

(徳島大学機関リポジトリ: 116404, DOI: 10.1149/10404.0027ecst, Elsevier: Scopus) 永瀬雅夫 :
グラフェン基板上への異種機能集積化について, --- 特集/Heterogeneous Integration ---,
エレクトロニクス実装学会誌, Vol.20, No.6, 382-386, 2017年.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 110893
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.5104/jiep.20.382
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204560676352; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85029230569

(徳島大学機関リポジトリ: 110893, DOI: 10.5104/jiep.20.382, CiNii: 1390001204560676352, Elsevier: Scopus) 永瀬雅夫 :
高品質グラフェン作製技術の研究,
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告, Vol.60, 1-10, 2015年.

(要約): This report describes formation and eva
(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / Rapid infrared thermal annealing / Scanning probe microscopy / van der Pauw method
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 111035
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1050564287419674496

(徳島大学機関リポジトリ: 111035, CiNii: 1050564287419674496) 永瀬雅夫 :
グラフェン複合物性の機能デバイス化技術の研究,
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告, Vol.58, 13-21, 2013年.

(要約): This study describes formation and evaluation techniques of graphene on SiC for new functional devices using composite properties. A new layer number determination technique for graphene on SiC was established using microscopic Raman spectroscopy. Growth mechanism of graphene was revealed by detailed image analysis of scanning probe microscopy (SPM). Highly uniform single-layer single-crystal graphene was successfully grown on SiC substrate of 10 mm-sq size. New methods for mechanical and electrical properties of graphene were also developed. Friction force of graphene on SiC was evaluated using friction force microscopy. Contact conductance properties were measured using conductive nanoprobes on SPM.
(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC)
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 105974
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1050564287418283264

(徳島大学機関リポジトリ: 105974, CiNii: 1050564287418283264) Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi :
Metrology of microscopic properties of graphene on SiC, --- [Invited Paper] ---,
IEICE Technical Report, Vol.109, No.97, 47-52, 2009.

(要約): Graphene has recently attracted a lot of research interest because of its superior electric properties. Thermally grown epitaxial graphene on SiC substrate is promising for future electronic devices because of its compatibility with existing wafer-scale manufacturing. In this paper, microscopic metrological methods for graphene on SiC will be discussed. A layer number determination method using low-energy electron microscopy (LEEM) enables us to control the layer number and morphology of few-layer graphene. Local conductance measurements using an integrated nanogap probe based on scanning probe microscopy reveal the electrical properties of graphene nanoislands and double-layer graphene sheets on SiC.
(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / low-energy electron microscopy / LEEM / scanning probe microscopy / SPM / nano-gap electrode / local conductance
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520009409275212800

(CiNii: 1520009409275212800) Nishiguchi Katsuhiko, Yoshizumi Daisuke, Sekine Yoshiaki, Furukawa Kazuaki, Fujiwara Akira and Masao Nagase :
Planar cold cathode based on a multilayer-graphene/SiO2/Si heterodevice,
Applied Physics Express, Vol.9, No.10, 105101-(4pp), 2016.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/APEX.9.105101
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/APEX.9.105101

(DOI: 10.7567/APEX.9.105101) Keisuke Kobayashi, Shinichi Tanabe, Takuto Tao, Toshio Okumura, Takeshi Nakashima, Takuya Aritsuki, Ryong-Sok O and Masao Nagase :
Resistivity anisotropy measured using four probes in epitaxial graphene on silicon carbide,
Applied Physics Express, Vol.8, No.2, 036602-(3pp), 2015.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 110900
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/APEX.8.036602
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84923975338

(徳島大学機関リポジトリ: 110900, DOI: 10.7567/APEX.8.036602, Elsevier: Scopus) Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi :
Graphene-Based Nano-Electro-Mechanical Switch with High On/Off Ratio,
Applied Physics Express, Vol.6, No.4, 055101-(3pp), 2013.

(要約): Locally defined nanomembrane structures can be produced in graphene films on a SiC substrate with atomic steps. The contact conductance between graphene and a metal-coated nanoprobe in scanning probe microscopy can be drastically reduced by inducing local buckling of the membranes. Repeatable current switching with high reproducibility can be realized. The on/off ratio can be varied from about 105 to below 10 by changing the contact force. At a low contact force, the contact conductance changes from 10μS (``ON'' state) to 100pS (``OFF'' state). This novel device structure could represent a new path to electrical switching at the nanoscale.
(キーワード): General Physics and Astronomy / General Engineering
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 110901
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.7567/APEX.6.055101
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1050564287419648896; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.7567/APEX.6.055101

(徳島大学機関リポジトリ: 110901, DOI: 10.7567/APEX.6.055101, CiNii: 1050564287419648896) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi :
Atomic Structure and Physical Properties of Epitaxial Graphene Islands Embedded in SiC(0001) Surfaces,
Applied Physics Express, Vol.3, No.11, 115103-(3pp), 2010.

(要約): The atomic structures of graphene islands on SiC(0001) surfaces are studied theoretically together with their growth mechanism. Two types of embedded graphene island structure are proposed. It is shown that these structures actually act as the graphene island electronically, and that those with zigzag edges have the magnetoelectric effect.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/APEX.3.115103
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1522543655014226048; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/APEX.3.115103

(DOI: 10.1143/APEX.3.115103, CiNii: 1522543655014226048) Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino :
Half-Integer Quantum Hall Effect in Gate-Controlled Epitaxial Graphene Devices,
Applied Physics Express, Vol.3, No.7, 075102-(3pp), 2010.

(要約): High-quality monolayer graphene was grown on the Si face of SiC by thermal decomposition, and its electrical properties were investigated in top- gated devices. At 2 K, the carrier mobility of the graphene exceeded 10,000 cm2 V 1 s 1 and the half-integer quantum Hall effect was observed. The quantum Hall states were even observed at various carrier densities when top-gate bias was applied. These findings suggest high-quality epitaxial graphene possesses the unique nature of monolayer graphene and is robust against device fabrication, which holds potential for graphene-based electronics applications.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/APEX.3.075102
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1521417755010341632; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/APEX.3.075102

(DOI: 10.1143/APEX.3.075102, CiNii: 1521417755010341632) Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi :
Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC,
Applied Physics Express, Vol.3, No.4, 045101-(3pp), 2010.

(キーワード): General Physics and Astronomy / General Engineering
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/APEX.3.045101
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1521417755252242560; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/APEX.3.045101

(DOI: 10.1143/APEX.3.045101, CiNii: 1521417755252242560) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi :
Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001) Surfaces,
Applied Physics Express, Vol.2, No.6, 065502-(3pp), 2009.

(要約): The epitaxial graphene growth mechanism on SiC(0001) surfaces is studied based on the energetics via the first-principles calculation. It is found that a Si terminated surface is important for the epitaxial growth of thin flat graphene sheets. This surface encourages the growth of graphene sheets because the surface Si atoms act as catalyst. Si desorbed sites trap excess C atoms, and form graphene islands. It is also found that the new graphene sheet prefers to grow just on the Si terminated surface of the SiC substrate even if the surface is covered with other graphene sheets.
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/APEX.2.065502
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520854804873257728; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1143/APEX.2.065502

(DOI: 10.1143/APEX.2.065502, CiNii: 1520854804873257728)

総説・解説

Masao Nagase :
Observation of graphene on SiC using various types of microscopy,
THE HITACHI SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS, Vol.7, 8-16, Sep. 2016. 永瀬雅夫 :
各種顕微鏡法によるSiC上グラフェンの観察,
THE HITACHI SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS, Vol.58, No.2, 5027-5034, 2015年9月. 永瀬雅夫 :
高品質単結晶グラフェンの作製技術, --- 大学発!次世代を担うR&D特集 ---,
月刊機能材料, Vol.34, No.5, 28-35, 2014年5月.

(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1523106605567002496

(CiNii: 1523106605567002496) 関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克也, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬雅夫, 佐々木健一, 山口浩司 :
SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱,
NTT技術ジャーナル, Vol.25, No.6, 22-26, 2013年6月.

(キーワード): 表面増強ラマン散乱 / 局所表面プラズモン / 透過型電子顕微鏡
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1520291855896454784

(CiNii: 1520291855896454784) 永瀬雅夫 :
高速高温アニール装置によるグラフェン形成,
''熱技術''30年の歩み, 9-13, 2012年4月. 永瀬雅夫 :
グラフェン研究の現状と新規材料としての可能性,
炭素材料の研究開発動向 2011, 61-70, 2011年5月. 日比野浩樹, 影島博之, 田邉真一, 永瀬雅夫, 水野清義 :
SiC 上エピタキシャルグラフェンの成長と評価,
固体物理, Vol.45, 645-655, 2010年11月. 影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 :
SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討,
日本結晶成長学会誌, Vol.37, 190-195, 2010年10月.

(要約): SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェン成長を,テラス上のC凝集過程と捉えて,そのエナージェティクスを第一原理計算によって追跡した.吸着C原子はsp^2結合を作りやすく,表面Siの未結合手の終端に優先して,C-C結合を形成する.Si終端表面であることは,薄くて平滑なグラフェンシートのエピタキシャル成長にとって重要で,表面Siはあたかも触媒のように作用する.また,新しいグラフェンシートは,常に元からあるグラフェンシートの下の基板Si終端面の上に成長していく界面成長であり,最表面に新しい層ができる通常のエピタキシャル成長とは異なる.さらにSiの脱離サイトは余剰C原子を捕らえ,グラフェン島を形成していくものと考えられる.
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282680872867712

(CiNii: 1390282680872867712) 日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫 :
シリコンカーバイド上のグラフェン成長, --- 特集材料基礎研究所最前線 ---,
NTT技術ジャーナル, Vol.22, No.6, 18-21, 2010年6月.

(キーワード): グラフェン / SiC / 次世代エレクトロニクス
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1523669555609604992

(CiNii: 1523669555609604992) 日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫 :
単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析,
Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol.53, No.2, 101-108, 2010年2月.

(要約): We review our research toward single-crystal growth of epitaxial few-layer graphene (FLG) on SiC substrates, in which surface electron microscopy techniques have played essential roles. We have established a method for evaluating the number of graphene layers microscopically using low-energy electron microscopy. The number-of-layers dependence of the work function and C1s binding energy is determined using photoelectron emission microscopy. We use LEEM and thermionic electron emission microscopy to investigate the growth processes of epitaxial FLG. Uniform bilayer graphene a few micrometers in size is obtained by annealing in UHV.
(キーワード): Spectroscopy / Surfaces and Interfaces / Instrumentation / General Materials Science
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.3131/jvsj2.53.101
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282680271675136; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.3131/jvsj2.53.101

(DOI: 10.3131/jvsj2.53.101, CiNii: 1390282680271675136) 永瀬雅夫 :
炭素材料グラフェン,
工業材料, Vol.58, 44-45, 2010年1月.

講演・発表

Murayama Keita, Yasuhide Ohno, Taira Kajisa and Masao Nagase :
Detection of antigens exceeding the Debye screening length using epitaxial graphene FET on SiC substrates,
36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2023), No.16P-1-20, 札幌市, Nov. 2023.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / FET

Murakami Hayate, Fumiya Fukunaga, Ohi Motoki, KUBO Kohsuke, Nakagawa Takeru, Kageshima Hiroyuki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics,
36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2023), No.16P-1-15, 札幌市, Nov. 2023.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / stacked junction

Masao Nagase :
Vertically Stacked Graphene Junction Diodes, --- [invited] ---,
244th ECS meeting, Vol.G02-1513, Gothenburg, Sweden, Oct. 2023.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / junction diode / tunneling / negative resistance

Kusaka Tomoki, Akihiro Furube, Tetsuro Katayama, Hiroki Kishikawa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase and Junichi Fujikata :
Demonstration of All-Optical Ultrafast Switching, Using High-Quality Graphene,
pLED international symposium 2023, P-9, Mar. 2023. Yamasaki Sohta, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Amino acids adsorption characteristics of epitaxial graphene FETs on SiC substrates,
35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022), No.10P-1-9, 徳島市, Nov. 2022.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / FET

Ohi Motoki, Fumiya Fukunaga, Murakami Hayate, Kageshima Hiroyuki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Resistive switching behavior in graphene-stacked junction,
35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022), No.10P-1-12, 徳島市, Nov. 2022.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / stacked junction

Kataoka Taichi, Kuhara Takuma, Fumiya Fukunaga, Ohi Motoki, Murakami Hayate, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Blackbody-like far-infrared emission from electrically biased graphene on SiC,
35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022), No.10P-1-11, 徳島市, Nov. 2022.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / Far infrared

Tomoki Kusaka, Akihiro Furube, Tetsuro Katayama, Hiroki Kishikawa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase and Junichi Fujikata :
Ultrafast All-Optical Switching with High-Quality Graphene and its Polarization Effect,
15th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO Pacific Rim, CLEO-PR 2022), CTuA2D-04, Sapporo, Aug. 2022.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1364/CLEOPR.2022.CTuA2D_04
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85166478578

(DOI: 10.1364/CLEOPR.2022.CTuA2D_04, Elsevier: Scopus) Masao Nagase :
Single-crystal graphene devices, --- [Invited] ---,
Int. Conf. on Physics and its Applications (Physics 2022), Vol.Session-II, Online, Jul. 2022.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / junction diode / tunneling / Far infrared

Masao Nagase :
Functional devices fabricated using single crystal graphene on SiC substate, --- [Invited] ---,
3rd Int. Conf. on Nanomaterials and Advanced Composites (NAC 2022), Vol.Keynote Talks IV, Tokushima, Jul. 2022.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / junction diode / tunneling / Far infrared

Tomoki Kusaka, Akihiro Furube, Tetsuro Katayama, Hiroki Kishikawa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase and Junichi Fujikata :
Demonstration of All-Optical Ultrafast Switching, Using High-Quality Graphene,
27th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2022), WP-F-4, Toyama, Jul. 2022.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.23919/OECC/PSC53152.2022.9849944
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85136959493

(DOI: 10.23919/OECC/PSC53152.2022.9849944, Elsevier: Scopus) Nakagawa Yoshinori, Okauchi Shigeki, Sano Masahiko, Takashi Mukai, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Deep ultraviolet light detection by AlGaN/Gr hetero junction photodiode array,
34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021), No.P21-10, Online, Oct. 2021.

(キーワード): グラフェン (graphene) / AlGaN

Kataoka Taichi, Fukunaga Fumiya, Murakami Naruse, Sugiyama Yoshiki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Far-infrared emission from graphene on SiC by current injection,
34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021), No.P21-1, Online, Oct. 2021.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / Far infrared

Masao Nagase :
Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate, --- [invited] ---,
240th ECS meeting, Vol.G02-0910, Online, Oct. 2021.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC) / junction diode / tunneling / Far infrared
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1149/10404.0027ecst
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-85116860594

(DOI: 10.1149/10404.0027ecst, Elsevier: Scopus) Nakai Hiroki, Akiyama Daiu, Taniguchi Yoshiaki, Kishinobu Iori, Ikeda Takuya, Atsushi Tabata, Hideaki Nagamune, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Protein detection by electron donor using epitaxial graphene film on SiC substrate,
33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2020), No.2020-21-12, Online, Nov. 2020. Murakami Naruse, Sugiyama Yoshiki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
BLACKBODY-LIKE INFRARED RADIATION IN STACKED GRAPHENE PN JUNCTION DIODE,
33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2020), No.2020-21-14, Online, Nov. 2020.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.35848/1347-4065/abe208
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.35848/1347-4065/abe208

(DOI: 10.35848/1347-4065/abe208) Masao Nagase :
Single-crystal graphene on SiC substrate for future electronic devices, --- [invited] ---,
Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2019, Goyang/Gyeonggi, Korea, Jun. 2019. Yasuhide Ohno, Mitsuno Takanori, Taniguchi Yoshiaki and Masao Nagase :
1-aminopyrene-modified epitaxial graphene device for pH sensors,
Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019, TuC1-3, May 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1109/ICIPRM.2019.8819347
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1109/ICIPRM.2019.8819347

(DOI: 10.1109/ICIPRM.2019.8819347) Kujime Takaya, Taniguchi Yoshiaki, Akiyama Daiu, Kawamura Yusuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
High Stability of the epitaxial graphene film on SiC substrate,
Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019, MoP-1-10, May 2019.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1109/ICIPRM.2019.8819200
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1109/ICIPRM.2019.8819200

(DOI: 10.1109/ICIPRM.2019.8819200) Ono Ryosuke, Masashi Kurashina, Mikito Yasuzawa, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Fabrication of Nanopillars Using Focus Ion Beam-Chemical Vapor Deposition Method,
5th International Forum on Advanced Technologies, Taipei, Mar. 2019. Du Jiyao, Kimura Yukinobu, Tahara Masaaki, Matsui Kazushi, Teratani Hitoshi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Vertically stacked graphene tunnel junction with ultrathin water layer barrier,
31th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018), No.16P-11-27, Sapporo, Japan, Nov. 2018. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa and Mikito Yasuzawa :
Observation of the interaction between avidin and iminobiotin using graphene FET on SiC substrate,
31th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018), No.16P-11-3, Sapporo, Japan, Nov. 2018. Masaki Kuzuo, Kazushi Matsui, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Mechanical Properties of Structured Water Layer on Epitaxial Graphene,
ACSIN-14 & ICSPM26, No.22P032, 42-(0.5pp), Sendai International Center, Sendai, Japan, Oct. 2018.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 構造水層 / ヤング率

Yasuhide Ohno, Yoshiaki Taniguchi and Masao Nagase :
Electrical characteristics of positively and negatively charged protein adsorption to epitaxial graphene film on SiC substrate,
Proceedings of 2017 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, Nov. 2017. Kitaoka Makoto, Nakamura Kota, Teratani Hitoshi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Water adsorption and desorption for graphene on SiC,
International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017), No.P6, 44, Nagoya, Japan, Nov. 2017. Taniguchi Yoshiaki, Milki Tsubasa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa, Yasushi Imada, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Intrinsic response of protein adsorption to graphene film on SiC substrate,
Proceedings of 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep. 2017. Tsuyoshi Tsuda, Mikito Yasuzawa, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Electrical characteristic evaluation of Graphene on SiC,
International Conference on Advanced Materials Development and Performance 2017, Pune, Jul. 2017. Masao Nagase :
Large-scale epitaxial graphene fabricated by high-temperature graphitization of SiC substrate, --- [Plenary] ---,
International Conference on Advanced Materials Development & Performance (AMDP) 2017, Pune, India, Jul. 2017. Masao Nagase :
Single-Crystal graphene on SiC substrate: growth and applications, --- [invited] ---,
2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Gyeongju, Korea, Jul. 2017. Masao Nagase :
Epitaxial graphene on SiC for new functional devices, --- [invited] ---,
Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2017, Jeju, Korea, Jun. 2017. Yasuhide Ohno, Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi and Masao Nagase :
Intrinsic ion sensitivity of graphene field-effect transistors,
2016 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, Dec. 2016. Kitaoka Makoto, Nagahama Takuya, Nakamura Kohta, Takashima Kazuya, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC,
29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-24, Kyoto, Japan, Nov. 2016. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Protein adsorption characteristics on bare and phosphorylcholine-modified graphene films on SiC substrate,
29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-16, Kyoto, Japan, Nov. 2016. Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Intrinsic pH Sensitivity of Graphene Field-Effect Transistors,
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Takanori Mitsuno, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Hydrophilic Graphene Film by Molecular Functionalization,
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. Masao Nagase :
Single-crystal graphene growth on SiC by infrared rapid thermal annealing, --- [invited] ---,
2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research(CC3DMR), inchon, Korea, Jun. 2016. Hisatomo Matsumura, Shin-ichiro Yanagiya, Nobuo Goto, Hiroki Kishikawa, Masao Nagase, Akihiro Furube and Hsu Shih-Hsiang :
SERS study of gold nanoparticles deposited on graphene epitaxially grown on SiC,
International Forum on Advanced Technologies (IFAT2016), Tokushima, Vol.P2-20, Tokushima, Mar. 2016. Yoshizumi D., Nishiguchi K., Yoshiaki Sekine, Furukawa K., Fujiwara A. and Masao Nagase :
Electron emission using multilayered-graphene/SiO2/Si heterodevice driven with low-voltage supply in low vacuum,
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), No.13P-11-104L, Toyama, Japan, Nov. 2015. Yasuhide Ohno, Masao Nagase and Matsumoto Kazuhiko :
Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates,
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), No.12P-7-28, Toyama, Japan, Nov. 2015. Aritsuki Takuya, Nakashima Takeshi, Kobayashi Keisuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
High quality graphene on SiC formed by the surface structure control technique,
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), No.12P-7-16, Toyama, Japan, Nov. 2015. Masao Nagase :
Graphene on SiC substrates fabricated by an infrared rapid thermal annealer, --- [invited] ---,
3rd International Conference on Nanotechnology (NANOCON 014), Pune, India, Oct. 2014. Kageshima Hiroyuki, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase :
Theoretical studies of graphene on SiC, --- [invited] ---,
The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014), Sapporo, Jul. 2014.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1109/INEC.2014.7460437
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84971283947

(DOI: 10.1109/INEC.2014.7460437, Elsevier: Scopus) Masao Nagase :
Epitaxial graphene grown by infrared rapid thermal annealing, --- [invited] ---,
The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014), Sapporo, Jul. 2014. Masao Nagase :
Nano-electrical and mechanical properties of graphene on SiC substrate, --- [Invited] ---,
Quantum Science Symposium ASIA-2013 Meeting, Tokyo, Nov. 2013. O Ryongsok, Takamura Makoto, Furukawa Kazuaki, Masao Nagase and Hiroki Hibino :
Effects of UV light on electrochemical wet etching of silicon carbide for suspended graphene fabrication,
26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2013), No.8P-11-20, Sapporo, Japan, Nov. 2013. Takuto Tao, Toshio Okumura, Nakashima Takeshi, O Ryongsok and Masao Nagase :
Highly uniform mono-layer graphene on SiC,
5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research 2013 (RPGR 2013), No.12a-P3-29, Tokyo, Japan, Sep. 2013. 永瀬雅夫 :
グラフェンの基礎物性と応用技術, --- [招待講演] ---,
Advance Metallization Conf. 2012, 22nd Asian Session (ADMETA Plus 2012): Tutorial, 東京, 2012年10月. Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase :
Role of Step in Initial Stage of Graphene Growth on SiC(0001),
International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS2012), No.61.45, Zurich, Swiss, Aug. 2012. Masao Nagase, Yuki Nishi, Teruki Isawa and Takuto Tao :
Conductive carbon nanoprobe fabricated by focused ion beam assisted chemical vapor deposition,
International Conference on Nanoscience + Technology 2012 (ICN+T2012/STM'12), Paris, France, Jul. 2012. Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase :
Role of steps and edges in epitaxial graphene growth on SiC(0001),
International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Inovation-(ISSS-6), No.14amB-1-2, Tokyo, Japan, Dec. 2011. O Ryongsok, Atsushi Iwamoto, Yuki Nishi, Yuya Funase, Takahiro Yuasa, Takuro Tomita, Masao Nagase, Hiroki Hibino and Hiroshi Yamaguchi :
Microscopic Raman mapping for epitaxial graphene on 4H-SiC (0001),
24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011), Vol.51, No.6, Kyoto, Japan, Oct. 2011.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1143/JJAP.51.06FD06
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84863319277

(DOI: 10.1143/JJAP.51.06FD06, Elsevier: Scopus) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase :
Theory on Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001),
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), Nagoya, Japan, Sep. 2011. Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Tatsushi Akasaki, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi :
Surface-enhanced Raman scattering of graphene on SiC,
The 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Infromation Technology (SPINTECH6), No.WP-86, Matsue, Japan, Aug. 2011. Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase :
Theoretical study on epitaxial graphene growth on SiC(0001) surface,
2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2011), No.P-24, Tokyo, Japan, Jan. 2011. Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi :
Theoretical study on magnetoelectric effects of embedded graphene nanoribbons on SiC(0001) surface,
The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011), No.PWe-10, Atsugi, Japan, Jan. 2011. Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Tatsushi Akasaki, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi :
Surface-enhanced Raman spectroscopy of graphene grown on SiC,
The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011), No.PWe-12, Atsugi, Japan, Jan. 2011. Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino :
Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC,
The 2010 Fall Meeting of the Materials Research Society (MRS), No.B9.2, Boston, USA, Dec. 2010. Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi :
Theoretical study on growth, structure, and physical properties of graphene on SiC, --- [Invited] ---,
"Japan-Korea Symposium on Surface and Nanostructure 9th" (JKSSN9), Sendai, Japan, Nov. 2010. 永瀬雅夫 :
物性，評価技術, --- [招待講演] ---,
MNC技術セミナー「グラフェン」, 北九州, 2010年11月. Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi :
Theoretical study on functions of graphene, --- [Invited] ---,
International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010), Sendai, Japan, Oct. 2010. Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi :
Electrical contact properties of few-layer graphene on SiC substrate, --- [Invited] ---,
International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010), Sendai, Japan, Oct. 2010. Hiroki Hibino, Shinichi Tanabe, Hiroyuki Kageshima and Masao Nagase :
Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC, --- [Invited] ---,
International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010), Sendai, Japan, Oct. 2010. Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino :
Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors,
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), Sendai, Japan, Sep. 2010. Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima, Shinichi Tanabe, Masao Nagase, Seigi Mizuno and Satoru Tanaka :
Surface Electron Microscopy of Epitaxial Graphene, --- [Invited] ---,
Second International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG2), Amelia Island, Florida, USA, Sep. 2010. Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi :
Contact conductance measurement of nano-membrane structure of graphene on SiC,
18th International Vacuum Congress (IVC-18)/International Conference on Nanoscience and Technology (ICN+T 2010)/14th International Conference on Surfaces Science (ICSS-14)/Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-5), No.P1-EmP1-18, Beijing, China, Aug. 2010. Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi :
Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects,
30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2010), No.TuD1-2, Seoul, Korea, Jul. 2010. Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase, A. Fujiwara and E. Ota :
Significance of the Interface regarding Magnetic Properties of Mn-Nanosilicide in Silicon,
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010), No.25-AM-IV-4, Tsukuba, Japan, Jul. 2010. Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Masao Nagase :
In-situ surface electron microscopy observations of growth and etching of epitaxial few-layer graphene on SiC, --- [Invited] ---,
International Workshop on "In situ characterization of near surface processes", Eisenerz, Austria, May 2010. 古川智和人, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC上エピタキシャルグラフェンFETのpH依存性,
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, Vol.24a-1BM-8, 2024年3月. 松村大夢, 森優介, 髙嶋宙, 大野恭秀, 永瀬雅夫, Hoang Anh Tung, 田端厚之, 長宗秀明 :
HisタグB-domainを用いたSiC上グラフェンへの抗体配向修飾法,
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, Vol.24a-1BM-7, 2024年3月. 竹下立晟, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの液滴による電位差発生のイオン濃度依存性,
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, Vol.23p-32A-2, 2024年3月. 湯川諒磨, 豊田蓮青, 濱本滉太, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
エピタキシャルグラフェン上の液中フォースカーブ計測,
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, Vol.22p-P07-33, 2024年3月. 佐藤優介, 橋本一輝, 倉科昌, 永瀬雅夫, 安澤幹人 :
タングステンプローブを用いた白金ナノ電極の作製法の検討,
2023年度日本化学会中国四国支部大会, 2023年11月. 大井基暉, 村上隼瑛, 久保倖介, 中川剛瑠, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 影島博之 :
高電圧印加によるグラフェン積層接合の抵抗変化,
第15回「集積化MEMSシンボジウム」, No.M-257, 2023年11月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

名渕公軌, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
分子修飾によるSiC上グラフェンFETのドーピング制御,
2023 年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ap-8, 2023年7月. 岡田拓斗, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
Al2O3ナノ粒子を形成したSiC上グラフェンFETのpH依存性,
2023 年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ap-7, 2023年7月. 藤方潤一, 日下智貴, 関和彦(産総研), 乗松航(名古屋大), 伊藤孝寛(名古屋大), 片山哲郎, 永瀬雅夫, 古部昭広 :
SiC上グラフェンを用いた高速非線形光学応答,
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 17a-D215-5, 2023年3月. 久原拓真, 片岡大治, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
グラフェン遠赤外エミッタを用いた材料判別,
第70回応用物理学会春季学術講演会, Vol.17p-B309-14, 2023年3月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

森優介, 松村大夢, 村山圭汰, 竹下凌哉, HOANG ANH TUNG, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 田端厚之, 長宗秀明 :
His-tag 法を用いた SiC 上グラフェンへの抗体配向修飾技術,
第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム, Vol.16P2-P-52, 2022年11月. 片岡大治, 久原拓真, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 基板上短冊状グラフェンからの遠赤外線放射の観測,
第14回「集積化MEMSシンボジウム」, No.14P2-C-3, 2022年11月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

福永郁也, 大井基暉, 村上隼瑛, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
グラフェン積層接合への高電界印加による抵抗状態遷移,
第14回「集積化MEMSシンボジウム」, No.14P2-C-2, 2022年11月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

橋本一輝, 池之上篤志, 安澤幹人, 倉科昌, 永瀬雅夫 :
FIB-CVD法を用いた安定なナノピラーの作製および細胞挿入の検討,
2022年度日本化学会中国四国支部大会, 2022年11月. 日下智貴, 古部昭広, 片山哲郎, 岸川博紀, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 藤方潤一 :
SiC 上高品質グラフェンを用いた全光型超高速光スイッチ,
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-A402-17, 2022年9月. 山内俊, 柳谷伸一郎, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 南康夫 :
テラヘルツ時間領域分光法を用いた4H-SiC上の単層グラフェンの分光特性の評価,
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P02-7, 2022年9月. 大前隆史, 大野恭秀, 安澤幹人, 永瀬雅夫 :
塩酸中におけるSiC上グラフェンFETのpH依存性,
2022年度応用物理学・物理系中国四国支部学術講演会, Gp-1, 2022年7月. 新免歩, 木下智裕, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの液滴発電における異方性,
第69回応用物理学会春季学術講演会, Vol.25p-E102-18, 2022年3月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

中野泰輔, 中村俊輔, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
エピタキシャルグラフェン上構造水層のトンネル電流解析,
第69回応用物理学会春季学術講演会, Vol.25p-E102-7, 2022年3月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

福永郁也, 村上成汐, 大井基暉, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
グラフェン積層接合における電流スイッチング,
第69回応用物理学会春季学術講演会, Vol.25p-E102-15, 2022年3月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

中河義典, 佐野雅彦, 岡内茂樹, 向井孝志, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
層状物質応用イメージセンサ用受光素子の作製と特性評価,
第69回応用物理学会春季学術講演会, Vol.23p-E101-10, 2022年3月. 片岡大治, 杉山良輝, 村上成汐, 福永郁也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンへの電流注入による赤外線放射の観測,
第82回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.11a-N306-6, 2021年9月. 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
液浸ラマン分光法を用いた SiC 上グラフェンのタンパク質吸着特性評価,
第68回応用物理学会春季学術講演会, Vol.19p-P01-6, 2021年3月.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC)

左海夏輝, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
エピタキシャルグラフェン上の固液界面の液中観察,
第68回応用物理学会春季学術講演会, Vol.17a-Z31-7, 2021年3月.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC)

木下智裕, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
液滴による電位差発生現象におけるバッファ層の影響,
第68回応用物理学会春季学術講演会, Vol.16p-Z31-12, 2021年3月.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 炭化ケイ素 (SiC)

南朋貴, 越智柊太, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの水脱離によるシート抵抗変化,
第81回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.9p-Z29-8, 2020年9月. 永瀬雅夫 :
SiC 基板上単結晶グラフェンの作製とそのデバイス応用, --- [招待講演] ---,
グラフェンコンソーシアム第22回研究講演会, 2020年8月. 岸信伊織, 秋山大宇, 中井寛喜, 谷口嘉昭, 大野恭秀, 長宗秀明, 永瀬雅夫 :
高い等電点を持つタンパク質のSiC上グラフェンへの吸着特性,
2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ga-2, 2020年8月. 村上成汐, 杉山良輝, 田原雅章, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
積層グラフェン p-n 接合の赤外線放射特性,
第67回応用物理学会春季学術講演会, Vol.14a-A404-1, 2020年3月. 中村俊輔, 都継瑶, 葛尾理樹, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
エピタキシャルグラフェン上構造水層の電子輸送特性,
第67回応用物理学会春季学術講演会, Vol.13p-A401-6, 2020年3月. 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェン FET のタンパク質吸着特性とキャリア伝導,
第67回応用物理学会春季学術講演会, Vol.13a-A401-6, 2020年3月. 大野恭秀, 川越悠斗, 谷口嘉昭, 永瀬雅夫 :
溶液ゲートグラフェン FET における電気二重層の役割,
第67回応用物理学会春季学術講演会, Vol.13a-A401-5, 2020年3月. 原口雅宣, 北田貴弘, 永瀬雅夫, 安井武史, 木内陽介, 宮脇克行, 髙橋章, 岡久稔也 :
2019年度におけるLEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業の取り組み,
LED総合フォーラム2020in徳島, 75-76, 2020年2月.

(キーワード): LEDライフイノベーション / LED / テラヘルツ

櫻井春希, 大野椋介, 倉科昌, 安澤幹人, 永瀬雅夫 :
集束イオンビーム化学気相蒸着(FIB-CVD)法を用いたナノピラーの作製及び細胞挿入の試み,
2019年度日本化学会中国四国支部大会, 2019年11月. 杉山良輝, 都継瑶, 久次米孝哉, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの赤外線放射特性の観測,
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.18a-E308-3, 2019年9月. 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
ホール効果測定によるSiC上グラフェンのタンパク質吸着特性評価,
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.18p-E308-14, 2019年9月. 山添直里, 大坂勇貴, 谷口嘉昭, 永瀬雅夫, 大野恭秀, 岡本敏弘, 原口雅宣 :
金ナノ粒子のプラズモン加熱を用いた穴あきグラフェンの作製,
レーザー学会学術講演会第39回年次大会, No.14-6, 2019年1月. 割石大道, 葛尾理樹, 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
溶液中におけるSiC上グラフェンFETのドリフト評価,
第10回「集積化MEMSシンボジウム」, 01am2-C-5-(3pp), 2018年11月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

谷口嘉昭, 三木翼, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 荒川幸弘, 安澤幹人 :
SiC 上グラフェンFETを用いたアビジン-イミノビオチン相互作用の観測,
第10回「集積化MEMSシンボジウム」, 01am2-C-1-(3pp), 2018年11月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

越智柊太, 寺谷仁志, 北岡誠, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの高感度ガス応答,
第10回「集積化MEMSシンボジウム」, 31pm2-C-2-(3pp), 2018年10月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

川越悠斗, 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
グラフェン FET 特性の緩衝液濃度依存性,
第10回「集積化MEMSシンボジウム」, 30pm2-A-3-(3pp), 2018年10月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

葛尾理樹, 山田祐輔, 松井一史, 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
エピタキシャルグラフェン上構造水層の機械特性,
第79回応用物理学会秋季学術講演会(応物2018秋), No.21a-311-14, 15-216-(1pp), 2018年9月.

(キーワード): グラフェン (graphene) / 構造水層 / ヤング率

小野尭生, 谷口嘉昭, 牛場翔太, 金井康, 前橋兼三, 井上恒一, 渡邊洋平, 中北愼一, 鈴木康夫, 河原敏男, 木村雅彦, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 松本和彦 :
SiC 上グラフェンの糖鎖機能化によるインフルエンザウイルス検出,
第79回応用物理学会秋季学術講演会(応物2018秋), No.20p-311-4, 15-186-(1pp), 2018年9月.

(キーワード): グラフェン (graphene) / インフルエンザウイルス / 溶液ゲート

谷口嘉昭, 高村真琴, 谷保芳孝, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
p 型 SiC 上グラフェンのタンパク質吸着特性,
第79回応用物理学会秋季学術講演会(応物2018秋), No.20p-311-3, 15-185-(1pp), 2018年9月.

(キーワード): グラフェン (graphene) / タンパク質 (protein) / 溶液ゲート

秋山大宇, 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンのタンパク質吸着特性における pH 依存性,
第79回応用物理学会秋季学術講演会(応物2018秋), No.20p-311-2, 15-184-(1pp), 2018年9月.

(キーワード): グラフェン (graphene) / タンパク質 (protein) / 溶液ゲート

谷口嘉昭, 三木翼, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 荒川幸弘, 今田泰嗣, 南川慶二, 安澤幹人 :
イミノビオチン修飾グラフェンによるアビジン吸着特性の pH 制御,
第65回応用物理学会春季学術講演会(応物2018春), No.18a-C202-10, 15-057-(1pp), 2018年3月. Du Jiyao, Kimura Yukinobu, Tahara Masaaki, Matsui Kazushi, Teratani Hitoshi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Vertically stacked graphene tunneling junction with insulative water layer,
第65回応用物理学会春季学術講演会(応物2018春), No.18a-C202-11, 15-058-(1pp), Mar. 2018. 寺谷仁志, 北岡誠, 松井一史, 田原雅章, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンへの水ドーピング効果の評価,
第65回応用物理学会春季学術講演会(応物2018春), No.17a-C202-7, 15-007-(1pp), 2018年3月. 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンのデバイス応用, --- [招待講演] ---,
平成 29 年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会・講演会, I-2-(), 2018年1月. 田原雅章, 河村祐輔, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェン高品質化に向けたグラフェン成長過程の解明,
平成 29 年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会・講演会, P8-(4pp), 2018年1月. 河村祐輔, 森本征士, 北岡誠, 田原雅章, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
顕微ラマン分光法による機能化 iC 上グラフェンの応力とキャリア密度の定量評価,
平成 29 年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会・講演会, P9-(4pp), 2018年1月. 谷口嘉昭, 三木翼, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 荒川幸弘, 今田泰嗣, 南川慶二, 安澤幹人 :
分子修飾技術を用いたグラフェン表面のタンパク質吸着抑制,
平成 29 年度第 4 回半導体エレクトロニクス部門委員会・講演会, P10-(4pp), 2018年1月. 谷口嘉昭, 三木翼, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 荒川幸弘, 今田泰嗣, 南川慶二, 安澤幹人 :
ホスホリルコリン修飾グラフェンのタンパク質吸着特性,
第9回「集積化MEMSシンボジウム」, 02am2-B-2-(3pp), 2017年11月. 杉岡賢人, 谷口嘉昭, 三木翼, 田原雅章, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 荒川幸弘, 南川慶二, 今田泰嗣, 安澤幹人 :
SiC グラフェンを用いた親水化処理における修飾分子依存性,
第78回応用物理学会秋季学術講演会(応物2017秋), No.8a-C16-16, 15-186-(1pp), 2017年9月. 松井一史, 中村晃大, 北岡誠, 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
ケルビンフォース顕微鏡を用いた SiC 上グラフェン構造水層の観察,
第78回応用物理学会秋季学術講演会(応物2017秋), No.7p-C16-14, 15-165-(1pp), 2017年9月. 谷口嘉昭, 三木翼, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 荒川幸弘, 今田泰嗣, 南川慶二, 安澤幹人 :
ホスホリルコリン修飾によるグラフェン表面のタンパク質吸着抑制,
電子デバイス研究会(ED), 13, 2017年8月. 森高恭平, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
イオン性ゲルを用いたSiC上グラフェンデバイスの特性評価,
第8回集積化 MEMS 技術研究ワークショップ, No.P8, 2017年7月. 木村幸将, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiCグラフェン積層構造における電気特性の角度依存性,
第8回集積化 MEMS 技術研究ワークショップ, No.P1, 2017年7月. 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの各種顕微鏡法による観察・評価, --- [招待講演] ---,
第32回材料解析テクノフォーラム, 2017年7月. 礒合俊輔, 安澤幹人, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンの電気特性評価,
電気化学会第84回大会, 2017年3月. 谷口嘉昭, 三木翼, 光野琢仁, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 南川慶二, 安澤幹人 :
分子修飾機能化による SiC 上グラフェンの非特異吸着の抑制,
第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-7, 15-085-(1pp), 2017年3月. 北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンの水吸着によるキャリア密度変化,
第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-6, 15-084-(1pp), 2017年3月. 朴理博, 永瀬雅夫, 大野恭秀 :
集束イオンビームを用いたステンシルリソグラフィ技術のための Sub10nm パターンの作製,
第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-304-2, 2017年3月. 谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンのタンパク質吸着特性, --- ∼分子修飾による高性能バイオセンサの実現に向けて∼ ---,
サイエンスプラザ2016, No.52, 2016年11月. 谷口嘉昭, 三木翼, 光野琢仁, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 南川慶二, 安澤幹人 :
新規合成分子を用いた表面修飾による単結晶グラフェンの親水化,
第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-017, 2016年10月. 北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンのシート抵抗の湿度依存性,
第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-016, 2016年10月. 大野恭秀, 光野琢仁, 谷口嘉昭, 永瀬雅夫 :
グラフェン本来のイオンセンシング特性,
第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-10, 2016年9月. 北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンの水脱離による導電率変化,
第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-2, 2016年9月. 山田祐輔, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
走査プローブ顕微鏡を用いた SiC 上グラフェンの実効ヤング率計測,
第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-4, 2016年9月. 森本征士, 有月琢哉, 青木翔, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
顕微ラマン分光法による SiC 上グラフェンの応力とキャリア密度の面内分布評価,
第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-3, 2016年9月. 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 永濱拓也, 北岡誠, 永瀬雅夫, 大野恭秀 :
エピタキシャルグラフェン上の吸着水層,
第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春), No.22a-S011-13, 2016年3月. 楊順涵, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
ロジウム - 二硫化モリブデン - グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究,
第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春), No.22a-S011-10, 2016年3月. 松村尚知, 柳谷伸一郎, 古部昭広, 岸川博紀, 後藤信夫, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンに堆積した金ナノ粒子の SERS 効果,
第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春), No.21p-P1-12, 2016年3月. 大野恭秀, 永瀬雅夫, 松本和彦 :
Cat-CVD 法による SiNx 絶縁膜を用いた SiC グラフェン FET の作製,
第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋), No.15a-2T-1, 2015年9月. 永濱拓也, 小林慶祐, 有月琢哉, 高嶋和也, 青木翔, 大野恭秀, 永瀬雅夫 :
雰囲気制御による SiC 上グラフェンの抵抗値変化,
第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋), No.15a-2T-9, 2015年9月. 小田達也, 小林慶祐, 有月琢哉, 青木翔, 永濵拓也, 永瀬雅夫 :
HSQ 塗布による SiC 上グラフェンのキャリア濃度変化,
第62回応用物理学会春季学術講演会(応物2015春), No.12a-D7-8, 2015年3月. 影島博之(島根大学), 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC(0001) Si 面上第一層目グラフェン成長における [1-100]ステップの役割,
第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.19p-B3-3, 2014年9月. 関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 岩本篤, 永瀬雅夫, 影島博之, 赤崎達志 :
金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱,
第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.18p-B1-12, 2014年9月. 青木翔, 呉龍錫, 井口宗明, 中島健志, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェンのラマンスペクトルにおける表面成分抽出,
第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.18p-B1-9, 2014年9月. 泰地耕作, 奥村俊夫, 中島健志, 永瀬雅夫 :
SiC 上グラフェン表面電位の環境雰囲気効果に関する研究,
第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.17p-B1-5, 2014年9月. 有月琢哉, 奥村俊夫, 呉龍錫, 中島健志, 小林慶祐, 永瀬雅夫 :
デバイス化プロセスにおける SiC 上グラフェン電子物性変調,
第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.17p-B1-4, 2014年9月. 茶谷洋光, 奥村俊夫, 伊澤輝記, 井口宗明, 中島健志, 小林慶祐, 呉龍錫, 有月琢哉, 松本卓也, 前田文彦, 日比野浩樹, 永瀬雅夫 :
グラフェン積層接合の電気特性,
第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.20a-E2-3, 2014年3月. 呉龍錫, 奥村俊夫, 中島健志, 有月琢哉, 井口宗明, 青木翔, 小林慶祐, 松本卓也, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンのオゾン処理によるキャリア密度制御,
第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.19p-E2-7, 2014年3月. 永瀬雅夫 :
SiC上単結晶グラフェンの成長とその物性評価, --- [招待講演] ---,
第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.18p-F7-5, 2014年3月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC(0001) Si面上エピタキシャルグラフェン成長における[1-100]ステップの役割,
第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.18p-E2-2, 2014年3月. 茶谷洋光, 田尾拓人, 奥村俊夫, 中島健志, 小林慶祐, 永瀬雅夫 :
表面構造制御による均一単層グラフェン成長,
平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, No.30Ea-11, 2013年11月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源,
日本物理学会 2013年秋季大会, No.28aDK-7, 2013年9月. 井口宗明, 中島健志, 奥村俊夫, 呉龍錫, 永瀬雅夫 :
顕微ラマン分光法による SiC 上グラフェンの欠陥評価,
平成 25 年度電気関係学会四国支部連合大会, No.11-9, 2013年9月. 小林慶祐, 田邉真一, 田尾拓人, 呉龍錫, 奥村俊夫, 中島健志, 日比野浩樹, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンにおける移動度の異方性,
第74回応用物理学会秋季学術講演会(応物2013秋), No.18a-B1-4, 2013年9月. 中島健志, 奥村俊夫, 田尾拓人, 呉龍錫, 井口宗明, 永瀬雅夫 :
表面構造制御による均一単層グラフェン成長,
第74回応用物理学会秋季学術講演会(応物2013秋), No.17a-B1-10, 2013年9月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC(0001)面上第1層グラフェン成長初期過程とステップの役割,
第74回応用物理学会秋季学術講演会(応物2013秋), No.17p-B1-8, 2013年9月. 西勇輝, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンによる原子層スイッチ,
第60回応用物理学会春季学術講演会(応物2013春), No.29a-G7-10, 2013年3月. 岩田義之, 岩本篤, 井口宗明, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンのラマンスペクトル測定における基板効果の評価,
第60回応用物理学会春季学術講演会(応物2013春), No.28p-A6-8, 2013年3月. 呉龍錫, 高村真琴, 古川一暁, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 :
SiC上グラフェン架橋構造作製のための電解エッチング条件の検討,
第60回応用物理学会春季学術講演会(応物2013春), No.27p-G12-6, 2013年3月. 伊澤輝記, 船瀬雄也, 西勇輝, 永瀬雅夫 :
走査型摩擦力顕微鏡を用いたナノ摩擦係数測定,
第73回応用物理学会学術講演会(応物2012秋), No.13p-F7-4, 2012年9月. 奥村俊夫, 田尾拓人, 呉龍錫, 中島健志, 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの不均一成長メカニズム,
第73回応用物理学会学術講演会(応物2012秋), No.13p-C1-3, 2012年9月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC(0001)面上第0層グラフェン成長初期過程とステップの役割,
第73回応用物理学会学術講演会(応物2012秋), No.13p-C1-8, 2012年9月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程,
日本物理学会2012年春季第67回年次大会, 2012年3月. 田尾拓人, 呉龍錫, 岩本篤, 井口宗明, 奥村俊夫, 杉村晶史, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 :
4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンの表面ラフネスと層数均一性との相関,
第59回応用物理学関係連合講演会, No.17a-A3-4, 2012年3月. 呉龍錫, 岩本篤, 田尾拓人, 井口宗明, 奥村俊夫, 杉村晶史, 富田卓朗, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 山口浩司 :
ひずみによるラマンシフトを用いた SiC 上グラフェンの層数評価,
第59回応用物理学関係連合講演会, No.16a-B2-4, 2012年3月. 永瀬雅夫 :
グラフェンの物性とデバイス応用, --- [招待講演] ---,
応物九州支部オータムスクール『機能性薄膜とデバイス応用』, 2011年11月. 永瀬雅夫 :
集積化ナノプローブによる表面物性評価, --- [招待講演] ---,
第40回薄膜・表面物理基礎講座『ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向』, 2011年11月. 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの物性評価技術, --- [招待講演] ---,
炭素材料学会10月セミナー「1日でわかるグラフェン入門 -グラフェンの基礎から合成，評価まで-」, 2011年10月. 永瀬雅夫 :
新規カーボン材料グラフェンの基礎物性と応用可能性について, --- [招待講演] ---,
第14回若手フォーラム『材料の微細化・微構造制御と新機能の発現』 ∼次世代につながるセラミックステクノロジー∼, 2011年10月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
トレンチモデルを用いた SiC(0001)上グラフェン成長の検討,
日本物理学会2011年秋季大会, 2011年9月. 永瀬雅夫 :
電子顕微鏡によるグラフェン観察, --- [招待講演] ---,
SCANTECH2011 第20回記念講演会「SEM過去から未来へ」, 2011年9月. 田邉真一, 関根佳明, 影島博之, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 :
単層エピタキシャルグラフェンの特異な抵抗の温度依存性,
第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-E-5, 2011年9月. 船瀬雄也, 岩本篤, 西勇輝, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 山口浩司 :
エピタキシャルグラフェンの摩擦力の層数依存評価,
第72回応用物理学会学術講演会, No.1a-E-14, 2011年9月. 岩本篤, 呉龍錫, 船瀬雄也, 西勇輝, 湯浅貴浩, 富田卓朗, 永瀬雅夫, 関根佳明, 日比野浩樹, 山口浩司 :
ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析,
第72回応用物理学会学術講演会, No.1a-E-1, 2011年9月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
S i C ( 0 0 0 1 )上エピタキシャルグラフェン成長におけるS i 脱離とC 吸着の効果の比較,
第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-ZF-4, 2011年9月. 西勇輝, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 :
グラフェンメンブレンの形状変化,
第72回応用物理学会学術講演会, No.30p-E-6, 2011年8月. 永瀬雅夫 :
グラフェンの基礎と材料としての魅力, --- [招待講演] ---,
日本化学会講演会「グラフェンの魅力∼基礎と応用の観点から」, 2011年7月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (招待講演), --- [招待講演] ---,
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第137回研究集会「ゲートスタック技術の進展-半導体機能界面の特性評価を中心に」, 2011年7月. 永瀬雅夫 :
ナノプロセスと材料による新たなデバイスの創出, --- [招待講演] ---,
第58回応用物理学関係連合講演会シンポジウム:異種機能集積化と応用物理~最先端多様分野の融合によって拓かれる未来社会~, No.26p-BV-4, 2011年3月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC(0001) 面上での S i 脱離とグラフェン形成,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.26p-BM-1, 2011年3月. 呉龍錫, 岩本篤, 西勇輝, 船瀬雄也, 湯浅貴浩, 富田卓朗, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 山口浩司 :
ラマン分光法による 4H-SiC 上エピタキシャルグラフェンの膜質評価,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.26p-KE-17, 2011年3月. 田邉真一, 関根佳明, 影島博之, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 :
エピタキシャルグラフェンの Hall 移動度評価,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.26p-KE-14, 2011年3月. 関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司 :
SiC 上グラフェンの表面増強ラマン散乱,
日本物理学会第66回年次大会, No.26aTA-3, 2011年3月. 影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 :
SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界,
第71回応用物理学会学術講演会, No.16a-ZM-9, 2010年9月. 田邉真一, 関根佳明, 影島博之, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 :
単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測,
第71回応用物理学会学術講演会, No.16a-ZQ-11, 2010年9月.

研究会・報告書

Masao Nagase :
Graphene junction diode,
令和五年度共同プロジェクト研究発表会, Feb. 2024. Masao Nagase :
Single-crystal graphene functional device,
令和四年度共同プロジェクト研究発表会, Feb. 2023. Masao Nagase :
Graphene far infrared emitter,
令和三年度共同プロジェクト研究発表会, Feb. 2022. 原口雅宣, 永瀬雅夫, 安井武史, 木内陽介, 宮脇克行, 髙橋章, 岡久稔也 :
2021年度におけるLEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業の取り組み,
LED総合フォーラム2022 in 徳島, P-1, 2022年1月. Masao Nagase :
Far infrared emission device using single crystal graphene,
令和二年度共同プロジェクト研究発表会, Feb. 2021. 原口雅宣, 北田貴弘, 永瀬雅夫, 安井武史, 木内陽介, 宮脇克行, 髙橋章, 岡久稔也 :
2020年度におけるLEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業の取り組み,
LED総合フォーラム2021 in 徳島, P-1, 2021年2月. 永瀬雅夫, 大野恭秀 :
SiC上グラフェンを用いた黒体輻射エミッタ,
LED総合フォーラム2020in徳島, No.P-15, 101-102, 2020年2月. Masao Nagase :
Single-crystal graphene for functional devices,
令和元年度共同プロジェクト研究発表会, No.P2, Feb. 2020. 永瀬雅夫 :
ナノ炭素材料・グラフェン, --- 地上最強，史上最速!? ∼究極のナノ材料グラフェンの可能性と課題∼ ---,
夢ナビ編集部 LIVE, 2019年7月. 原口雅宣, 北田貴弘, 永瀬雅夫, 安井武史, 木内陽介, 宮脇克行, 髙橋章, 岡久稔也 :
LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業の取り組み,
LED総合フォーラム2019in徳島, P-2, 2019年2月. 永瀬雅夫, 大野恭秀 :
単結晶グラフェン積層接合デバイス,
LED総合フォーラム2019in徳島, No.P-14, 85-86, 2019年2月. Masao Nagase :
Single-crystal graphene on SiC for electronic devices,
平成30年度共同プロジェクト研究発表会, No.P16, Feb. 2019. 永瀬雅夫, 大野恭秀, 安澤幹人 :
集束イオンビーム技術によるナノ電極プローブの開発,
社会産業理工学研究交流会2018, No.No.27, 2018年9月.

(キーワード): 集束イオンビーム技術

永瀬雅夫, 大野恭秀 :
大面積単結晶グラフェン膜の合成とデバイス応用,
計量計測展2018, Vol.M-34-18, 2018年9月.

(キーワード): グラフェン (graphene)

Masao Nagase :
Functionalization of graphene on SiC by deionized water treatment,
平成29年度共同プロジェクト研究発表会, No.P19, Feb. 2018. 原口雅宣, 北田貴弘, 永瀬雅夫, 安井武史, 木内陽介, 宮脇克行, 髙橋章, 岡久稔也 :
LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み,
LED総合フォーラム2018in徳島, P-2, 2018年2月. 原口雅宣, 木内陽介, 北田貴弘, 永瀬雅夫, 安井武史, 宮脇克行, 髙橋章, 岡久稔也 :
LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み,
LED総合フォーラム2016in徳島論文集, 201-202, 2016年12月. 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンのナノ物性評価,
JSM SPM分科会・RIIFセミナー-グリーンエレクトロニクス材料・デバイスのSPM解析技術-, 2015年3月. Masao Nagase :
Graphene on SiC substrate fabricated by infrared rapid thermal annealer, --- [Invited] ---,
India-Japan workshop on "Nanotechnology: Synthesis & Sensing Applications", Oct. 2014. 永瀬雅夫 :
高品質単層エピタキシャルグラフェン作製技術,
産総研セミナー, 2014年2月. 永瀬雅夫 :
エピタキシャルグラフェン作製技術の研究,
香川大学工学部第9回先端工学研究発表会, 2014年2月. 永瀬雅夫 :
グラフェンの極限デバイス応用への提案,
徳島県「ものづくり新技術展示商談会in HONDA」, 2013年9月. 永瀬雅夫 :
SiC昇華法による単結晶グラフェン作製技術,
第2回和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, 2013年8月. 永瀬雅夫 :
新炭素ナノ材料・グラフェンについて,
徳島大学工業会東海支部第33回支部総会, 2013年7月. 永瀬雅夫 :
高品質単結晶単層グラフェンの作製技術,
徳島大学新技術説明会, 2013年2月. 永瀬雅夫 :
高品質エピタキシャルグラフェン作製,
第12回徳島大学研究者との集い, 2012年6月. 永瀬雅夫 :
SiC上グラフェンの物性評価と応用技術について,
第105回黒鉛化合物研究会, 2012年1月. 永瀬雅夫 :
グラフェンとその応用,
学振・第133委員会第211回研究会, 2011年10月. 永瀬雅夫 :
グラフェンの作製と応用展開, --- 基礎から量産・実用化に向けた研究動向 ---,
情報機構セミナー, 2011年3月. 永瀬雅夫 :
グラフェン材料開発の最前線,
学振・将来加工技術第136委員会第11回研究会(合同), 2010年11月. 永瀬雅夫 :
グラフェン研究の現状と新規材料としての可能性について,
CPC研究会, 2010年6月.

特許: 影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 関根佳明, 山口浩司, 藤原聡 : 磁気電気効果素子, 特願2010-162612 (2011年7月), 特開2012-028369 (2012年2月), . 永瀬雅夫 : プローブの作製方法およびプローブ，ならびに走査プローブ顕微鏡, 特願2010-193527 (2010年8月), 特開2010-276617 (2010年12月), 特許第5044003号 (2012年7月). 山口浩司, 永瀬雅夫, 岡本創, 米谷玲皇, 石原直, 割澤伸一, 黒田耕平 : 微小構造体の製造方法, 特願2010-141690 (2010年6月), 特開2012-009497 (2012年1月), . 山口浩司, 永瀬雅夫, 岡本創, 米谷玲皇, 石原直, 割澤伸一, 遊佐幸樹 : 微小構造体の作製方法, 特願2010-122423 (2010年5月), 特開2011-246780 (2011年12月), . 田邉真一, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 関根佳明 : グラフェントランジスタおよびその製造方法, 特願2010-037004 (2010年2月), 特開2011-175996 (2011年9月), . 永瀬雅夫, 山口浩司, 石原直, 割澤伸一, 田丸耕二郎 : 薄膜振動子およびその製造方法, 特願2009-78589 (2009年3月), 特開2010-232983 (2010年10月), . 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 : 抵抗可変電子素子, 特願2008-226923 (2008年9月), 特開2010-62358 (2010年3月), 特許第5155072号 (2012年12月). 永瀬雅夫, 岡本創, 山口浩司 : 超伝導材料及びその製造方法, 特願2007-171802 (2007年6月), 特開2009-007216 (2009年1月), 特許第5144143号 (2012年11月). 西口克彦, 山口浩司, 小野行徳, 藤原聡, 永瀬雅夫 : 走査型プローブ顕微鏡用探針, 特願2006-312723 (2006年11月), 特開2008-128767 (2008年6月), 特許第P4680868号 (2011年2月). 西口克彦, 山口浩司, 小野行徳, 藤原聡, 永瀬雅夫 : 電子放出素子, 特願2006-303761 (2006年11月), 特開2008-123743 (2008年5月), 特許第P4795915号 (2011年8月). 永瀬雅夫 : 機能デバイスの作製方法および機能デバイス, 特願2004-278026 (2004年9月), 特開2006-088202 (2006年4月), 特許第4627168号 (2010年11月).
作品: 研究者総覧に該当データはありませんでした。
補助金・競争的資金: エピタキシャルグラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現 (研究課題/領域番号: 21H01394 )
エピタキシャルグラフェンによる電荷移動型FETバイオセンサの開発 (研究課題/領域番号: 19H02582 )
機能化グラフェンアレイ構造を用いた高機能イメージバイオセンサの開発 (研究課題/領域番号: 15H03551 )
異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究 (研究課題/領域番号: 26289107 )
数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御 (研究課題/領域番号: 22310086 )
ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製 (研究課題/領域番号: 21246006 )
ナノ機械パラメトロン素子の研究 (研究課題/領域番号: 20246064 )
数層グラフェン薄膜のナノスケール伝導特性の解明 (研究課題/領域番号: 19310085 )
研究者番号（20393762）による検索

その他: 研究者総覧に該当データはありませんでした。

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2024年4月26日更新

専門分野・研究分野: 半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics)
所属学会・所属協会: 応用物理学会
International Microprocesses and Nanotechnology Conference
International Microprocesses and Nanotechnology Conference ) [2010年2月〜2011年1月])
応用物理学会 [2011年5月〜2013年4月])
応用物理学会 [2002年5月〜2004年4月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference ) [2009年2月〜2010年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference ) [2008年2月〜2009年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference ) [2007年2月〜2008年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference ) [2006年2月〜2007年1月])
集積化MEMS技術研究会
応用物理学会 [2014年5月〜2015年4月])
The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014
The 16th IEEE International Conference on Nanotechnology
委員歴・役員歴: International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2011) (MNC 2011 Program Vice Chair [2011年2月〜2012年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2010) (MNC 2010 Program Committee (4-0:Nanocarbon section head)) [2010年2月〜2011年1月])
応用物理学会 (プログラム編集委員(合同セッションL/ナノカーボン) [2011年5月〜2013年4月])
応用物理学会 (プログラム編集委員(Siプロセス技術) [2002年5月〜2004年4月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2009) (MNC 2009 Program Committee (4-4:Nano-tool section head)) [2009年2月〜2010年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2008) (MNC 2008 Program Committee (4-4:Nanotool section head)) [2008年2月〜2009年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2007) (MNC 2007 Program Committee (4-4:Nanotool section subhead)) [2007年2月〜2008年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2006) (MNC 2006 Program Committee (4-2:Nanofabrication section subhead)) [2006年2月〜2007年1月])
応用物理学会 (集積化MEMS 技術研究会委員 [2011年9月〜2013年3月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2012) (MNC 2012 Program Vice Chair [2012年2月〜2013年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2013) (MNC 2013 Program Vice Chair [2013年2月〜2014年1月])
集積化MEMS技術研究会 (研究会委員 [2012年4月〜2016年3月])
応用物理学会 (プログラム編集委員(半導体A13.3) [2014年5月〜2015年4月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2014) (MNC 2014 Organizing Committee [2014年2月〜2015年1月])
The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014 (INEC 2014 Nanomaterials/Carbon related Program Committee [2014年2月〜12月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015) (MNC 2015 Program Chair [2015年2月〜2016年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2016) (MNC 2016 Organizing Committee [2016年2月〜2017年1月])
The 16th IEEE International Conference on Nanotechnology(IEEE NANO2016) (IEEE NANO2016 Track Chair of Carbon Materials [2015年10月〜2016年9月])
応用物理学会 (集積化MEMS 技術研究会委員 [2016年4月〜2024年3月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2017) (MNC 2017 Organizing Committee [2017年2月〜2018年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2018) (MNC 2018 Organizing Committee [2018年2月〜2019年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2019) (MNC 2019 Steering Committee Vice Chair [2019年2月〜2020年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2020) (MNC 2020 Steering Committee Chair [2020年2月〜2021年1月])
応用物理学会 (第12回集積化MEMSシンポジウム副論文委員長 [2020年4月〜2021年3月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2021) (MNC 2021 Steering Committee Chair [2021年2月〜2022年1月])
応用物理学会 (第13回集積化MEMSシンポジウム論文委員長 [2021年4月〜2022年3月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2022) (MNC 2022 Organizing Committee Chair [2022年2月〜2023年1月])
International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2023) (MNC 2022 Organizing Committee [2023年2月〜2024年1月])
応用物理学会 (第14回集積化MEMSシンポジウム実行委員長 [2022年4月〜2023年3月])
受賞: 1989年12月, 所長表彰特別賞 (日本電信電話(株)LSI研究所)
1995年12月, 研究開発本部長表彰研究開発賞 (日本電信電話(株))
2007年11月, MNC 2006 Paper Award (Most Impressive Presentation) (20nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference)
2009年11月, MNC 2008 Award for Outstanding Paper (22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference)
2010年3月, 所長表彰論文賞 (日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所)
2011年3月, 所長表彰業績賞 (日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所)
2013年10月, 第13回エンジニアリングフェスティバル優秀賞 (徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部)
2014年10月, 第14回エンジニアリングフェスティバル優秀賞 (徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部)
2017年2月, 康楽賞 (公益財団法人康楽会)
2017年3月, 第8回集積化MEMSシンポジウム優秀ポスター賞 ((社)応用物理学会集積化MEMS技術研究会)
2023年11月, MNC 2022 Award for Most Impressive Poster Award (36nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference)
活動: 研究者総覧に該当データはありませんでした。

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2024年4月21日更新

2024年4月20日更新

Ｊグローバル

Jグローバル最終確認日: 2024/4/20 01:26
氏名（漢字）: 永瀬雅夫
氏名（フリガナ）: ナガセマサオ
氏名（英字）: Nagase Masao
所属機関: 徳島大学教授

リサーチマップ

researchmap最終確認日: 2024/4/21 01:49
氏名（漢字）: 永瀬雅夫
氏名（フリガナ）: ナガセマサオ
氏名（英字）: Nagase Masao
プロフィール: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
登録日時: 2018/11/6 18:58
更新日時: 2024/4/17 06:15
アバター画像URI: https://researchmap.jp/nagase_masao/avatar.JPG
ハンドル: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
eメール: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
eメール（その他）: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
携帯メール: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
性別: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
没年月日: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
所属ID: 0344000000
所属: 徳島大学
部署: ポストLEDフォトニクス研究所
職名: 教授
学位: 博士（工学）
学位授与機関: 早稲田大学
URL: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
科研費研究者番号: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
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最近のエントリー: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
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経歴
受賞
Misc
論文
講演・口頭発表等
書籍等出版物
研究キーワード
研究分野
所属学協会
担当経験のある科目
その他
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特許
学歴
委員歴
社会貢献活動: リサーチマップAPIで取得できませんでした。

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2024年4月20日更新

研究者番号: 20393762

所属（現在）: 2024/4/1 : 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授

所属（過去の研究課題 情報に基づく）*注記: 2019/4/1 – 2024/4/1 : 徳島大学, ポストLEDフォトニクス研究所, 教授
2017/4/1 : 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授
2016/4/1 : 徳島大学, 大学院理工学研究部, 教授
2014/4/1 – 2015/4/1 : 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授
2012/4/1 : 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授
2010/4/1 – 2012/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授
2010/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス, 教授
2009/4/1 : 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員
2007/4/1 – 2009/4/1 : 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員

審査区分/研究分野

研究代表者

総合・新領域系 / 複合新領域 / ナノ・マイクロ科学 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス
総合・新領域系 / 複合新領域 / ナノ・マイクロ科学 / マイクロ・ナノデバイス
理工系 / 工学 / 電気電子工学 / 電子デバイス・電子機器
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連

研究代表者以外

理工系 / 工学 / 電気電子工学 / 電子デバイス・電子機器
理工系 / 工学 / 応用物理学・工学基礎 / 応用物性・結晶工学
理工系 / 総合理工 / 応用物理学 / 応用物性
小区分29010:応用物性関連

キーワード

研究代表者

ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / 計測工学 / グラフェン / 低エネルギー電子顕微鏡 / ナノギャップ電極 / 集積化デバイス / 赤外線加熱 / 表面構造制御 / 環境制御チャンバー / 電子デバイス / 異種機能集積化 / ナノコンタクト / 電子デバイス・機器 / テラヘルツ / SiC基板 / 積層接合 / 負性微分抵抗 / プラズモン / SiC / 遠赤外線

研究代表者以外

電子デバイス / 集積回路 / 新規デバイス / マイクロマシン / ナノマシン / マイクロ / ナノ構造物性 / グラフェン / シリコンカーバイド / 電気伝導特性 / 低エネルギー電子顕微鏡 / 量子ホール効果 / キャリア移動度 / インターカレーション / ホール素子 / バンドギャップ / 成長機構 / トランジスタ / バイオセンサ / センサ / エピタキシャル / 単結晶

研究課題研究成果共同研究者

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2019年9月30日

グラフェニクスのための高感度センサ・テラヘルツ光発光素子の開発（医工連携クラスター）（永瀬雅夫）

永瀬雅夫大野恭秀安澤幹人安井武史北田貴弘南康夫長宗秀明

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