分子／半導体表面の個々の原子サイトを選別した局所電子状態、電子励起ダイナミクス
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-24360021 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(B) |
| 研究分野 | 理工系 工学 応用物理学・工学基礎 薄膜・表面界面物性 |
| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
| 代表研究者 | 間瀬 一彦 |
| 研究分担者 | 小澤 健一 |
| 研究分担者 | 垣内 拓大 |
| 連携研究者 | 長岡 伸一 |
| 連携研究者 | 奥平 幸司 |
| 連携研究者 | 田中 正俊 |
| 連携研究者 | 奥沢 誠 |
| 研究期間 開始年月日 | 2012/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2014 |
| 研究ステータス | 完了 (2014/4/1) |
| 配分額（合計） | 19,630,000 (直接経費 :15,100,000、間接経費 :4,530,000) |
| 配分額（履歴） |
2014年度：2,730,000 (直接経費 :2,100,000、間接経費 :630,000) 2013年度：2,860,000 (直接経費 :2,200,000、間接経費 :660,000) 2012年度：14,040,000 (直接経費 :10,800,000、間接経費 :3,240,000) |
| キーワード | 表面 局所電子状態 電子励起ダイナミクス 光電子分光 オージェ電子分光 コインシデンス分光 半導体 吸着分子 半導体表面 電子励起誘起イオン脱離 |