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エピタキシャルグラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-23K20960
研究種目 基盤研究(B)
研究分野
研究機関 徳島大学
代表研究者 永瀬 雅夫
研究分担者 影島 博之
研究分担者 大野 恭秀
研究期間 開始年月日 2021/4/1
研究期間 終了年度 2024
研究ステータス 交付 (2024/4/1)
配分額（合計） 17,810,000 (直接経費 :13,700,000、間接経費 :4,110,000)
配分額（履歴） 2024年度：2,210,000 (直接経費 :1,700,000、間接経費 :510,000)
2023年度：2,600,000 (直接経費 :2,000,000、間接経費 :600,000)
2022年度：2,860,000 (直接経費 :2,200,000、間接経費 :660,000)
2021年度：10,140,000 (直接経費 :7,800,000、間接経費 :2,340,000)
キーワード グラフェン
テラヘルツ
SiC基板
積層接合
負性微分抵抗
プラズモン
SiC
遠赤外線

研究成果

[雑誌論文] Resistive-switching behavior in stacked graphene diode

Ohi Motoki、Fukunaga Fumiya、Murakami Hayate、Kageshima Hiroyuki、Ohno Yasuhide、Nagase Masao 2023

[学会発表] グラフェン遠赤外エミッタを用いた材料判別

久原 拓真, 片岡 大治, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2023

[学会発表] Single-crystal graphene functional devices

永瀬 雅夫 2023

[雑誌論文] Far-infrared emission from graphene on SiC by current injection

Kataoka Taichi、Fukunaga Fumiya、Murakami Naruse、Sugiyama Yoshiki、Ohno Yasuhide、Nagase Masao 2022

[学会発表] グラフェン積層接合への高電界印加による抵抗状態遷移

福永 郁也, 大井 基暉, 村上 隼瑛, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2022

[学会発表] Resistive switching behavior in graphene-stacked junction

M. Ohi, F. Fukunaga, H. Murakami, H. Kageshima, Y. Ohno and M. Nagase 2022

[学会発表] Blackbody-like far-infrared emission from electrically biased graphene on SiC

T. Kataoka, T. Kuhara, F. Fukunaga, M. Ohi, H. Murakami, Y. Ohno and M. Nagase 2022

[学会発表] Demonstration of All-Optical Ultrafast Switching, Using High-Quality Graphene

T. Kusaka, A. Furube, T. Katayama, H. Kishikawa, Y. Ohno, M. Nagase and J. Fujikata 2022

[学会発表] SiC上グラフェンの液滴発電における異方性

新免 歩, 木下 智裕, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2022

[学会発表] SiC 基板上短冊状グラフェンからの遠赤外線放射の観測

片岡 大治, 久原 拓真, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2022

[学会発表] グラフェン積層接合における電流スイッチング

福永 郁也, 村上 成汐, 大井 基暉, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2022

[学会発表] Amino acids adsorption characteristics of epitaxial graphene FETs on SiC substrates

S. Yamasaki, Y. Ohno and M. Nagase 2022

[学会発表] His-tag 法を用いた SiC 上グラフェンへの抗体配向修飾技術

森 優介, 松村 大夢, 村山 圭汰, 竹下 凌哉, HOANG ANH TUNG, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 田端 厚之, 長宗 秀明 2022

[雑誌論文] グラフェン積層接合への高電界印加による抵抗状態遷移

福永 郁也, 大井 基暉, 村上 隼瑛, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2022

[学会発表] 層状物質応用イメージセンサ用受光素子の作製と特性評価

中河 義典, 佐野 雅彦, 岡内 茂樹, 向井 孝志, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2022

[雑誌論文] SiC 基板上短冊状グラフェンからの遠赤外線放射の観測

片岡 大治, 久原 拓真, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2022

[雑誌論文] Electron transfer characteristics of amino acid adsorption on epitaxial graphene FETs on SiC substrates

Yamasaki Sota、Nakai Hiroki、Murayama Keita、Ohno Yasuhide、Nagase Masao 2022

[学会発表] Ultrafast All-Optical Switching with High-Quality Graphene and its Polarization Effect

T. Kusaka, A. Furube, T. Katayama, H. Kishikawa, Y. Ohno, M. Nagase and J. Fujikata 2022

[学会発表] 塩酸中におけるSiC上グラフェンFETのpH依存性

大前 隆史, 大野 恭秀, 安澤 幹人, 永瀬 雅夫 2022

[雑誌論文] Graphene/AlGaN Schottky barrier photodiodes and its application for array devices

Nakagawa Yoshinori、Okauchi Shigeki、Sano Masahiko、Mukai Takashi、Ohno Yasuhide、Nagase Masao 2022

[学会発表] エピタキシャルグラフェン上構造水層のトンネル電流解析

中野 泰輔, 中村 俊輔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2022

[学会発表] Single-crystal graphene devices

M. Nagase 2022

[学会発表] Functional devices fabricated using single crystal graphene on SiC substate

M. Nagase 2022

[学会発表] Far-infrared emission from graphene on SiC by current injection

T. Kataoka, F. Fukunaga, N. Murakami, Y. Sugiyama, Y. Ohno, and M. Nagase 2021

[学会発表] SiC 上グラフェンへの電流注入による赤外線放射の観測

片岡 大治, 杉山 良輝, 村上 成汐, 福永 郁也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 2021

[学会発表] Deep ultraviolet light detection by AlGaN/Gr hetero junction photodiode array

Y. Nakagawa, S. Okauchi, M. Sano, T. Mukai, Y. Ohno and M. Nagase 2021

[雑誌論文] (Invited) Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate

Nagase Masao 2021

[学会発表] Vertically Stacked Junction Devices Fabricated Using Single-Crystal Graphene on SiC Substrate

M. Nagase 2021