金属・金属酸化物高誘電体超薄膜の表面界面近傍に特異な局所価電子状態の定量的観測
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-23760035 |
|---|---|
| 研究種目 | 若手研究(B) |
| 研究分野 | 理工系 工学 応用物理学・工学基礎 薄膜・表面界面物性 |
| 研究機関 | 愛媛大学 |
| 代表研究者 | 垣内 拓大 |
| 研究期間 開始年月日 | 2011/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2012 |
| 研究ステータス | 完了 (2012/4/1) |
| 配分額（合計） | 4,810,000 (直接経費 :3,700,000、間接経費 :1,110,000) |
| 配分額（履歴） |
2012年度：520,000 (直接経費 :400,000、間接経費 :120,000) 2011年度：4,290,000 (直接経費 :3,300,000、間接経費 :990,000) |
| キーワード | シリコン 表面界面 局所価電子状態 オージェ電子-光電子コインシデンス分光 高誘電体超薄膜 シリコン半導体 ハフニウム 高誘電体材料 コインシデンス分光 水素 省エネルギー 微細加工 Si(110) coincidence spectroscopy HfO2 Auger electron photoelectron |