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数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御

KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る
研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-22310086
研究種目 基盤研究(B)
研究分野 総合・新領域系
複合新領域
ナノ・マイクロ科学
マイクロ・ナノデバイス
研究機関 徳島大学
代表研究者 永瀬 雅夫
研究分担者 関根 佳明
研究分担者 影島 博之
研究分担者 山口 浩司
研究分担者 岡本 創
研究分担者 日比野 浩樹
研究期間 開始年月日 2010/4/1
研究期間 終了年度 2012
研究ステータス 完了 (2012/4/1)
配分額(合計) 18,590,000 (直接経費 :14,300,000、間接経費 :4,290,000)
配分額(履歴) 2012年度:2,860,000 (直接経費 :2,200,000、間接経費 :660,000)
2011年度:12,220,000 (直接経費 :9,400,000、間接経費 :2,820,000)
2010年度:3,510,000 (直接経費 :2,700,000、間接経費 :810,000)
キーワード ナノ材料
マイクロ・ナノデバイス
計測工学
グラフェン

研究成果

[雑誌論文] Graphene-Based Nano-Electro-Mechanical Switch with High On/Off Ratio

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2013

[図書] グラフェンが拓く材料の新領域 ∼物性・作製法から実用化まで∼

永瀬 雅夫 2012

[学会発表] SiC上グラフェンの物性評価と応用技術について

永瀬雅夫 2012

[雑誌論文]

R. O, A. Iwamoto, Y. Nishi, Y. Funase, T. Yuasa, T. Tomita, M. Nagase, H. Hibino, H. Yamaguchi 2012

[学会発表] グラフェンの基礎と材料としての魅力

永瀬雅夫, 他 2011

[学会発表] グラフェンの物性とデバイス応用

永瀬雅夫 2011

[学会発表] 新規カーボン材料グラフェンの基礎物性と応用可能性について

永瀬雅夫 2011

[学会発表] 集積化ナノプローブによる表面物性評価

永瀬雅夫 2011

[学会発表] ナノプロセスと材料による新たなデバイスの創出

永瀬雅夫 2011

[雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on Si

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, H. Hibino 2011

[学会発表] SiC上グラフェンの物性評価技術

永瀬雅夫 2011

[学会発表] グラフェンとその応用

永瀬雅夫 2011

[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に-

永瀬雅夫, 他 2011

[学会発表] 電子顕微鏡によるグラフェン観察

永瀬雅夫 2011

[図書] ノカーボンの応用と実用化 フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に

永瀬雅夫 2011

[学会発表] Contact conductance measurement of nano-membrane structure of graphene on SiC

Masao Nagase, et al. 2010

[学会発表] 「グラフェン」物性,評価技術

永瀬雅夫 2010

[学会発表] グラフェン材料開発の最前線

永瀬雅夫 2010

[雑誌論文] Direct Actuation of GaAs Membrane Resonator by Scanning Probe

M. Nagase, K. Tamaru, K. Nonaka, S. Warisawa, S. Ishihara, H. Yamaguchi 2010

[雑誌論文] SiC 上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 2010

[学会発表] Electrical contact properties of few-layer graphene on SiC substrate

Masao Nagase, et al. 2010

[雑誌論文] Direct Actuation of GaAs Membrane Resonator by Scanning Probe

Masao Nagase, et al. 2010

[雑誌論文] Atomic Structure and Physical Properties of Epitaxial Graphene Islands Embedded in SiC(0001) Surfaces

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y.Sekine, and H. Yamaguchi 2010

[学会発表] グラフェン研究の現状と新規材料としての可能性について

永瀬雅夫 2010

[雑誌論文] SiC 上エピタキシャルグラフェンの成長と評価

日比野浩樹, 影島博之, 田邉真一, 永瀬雅夫 2010

[学会発表] グラフェンの基礎物性と応用技術

永瀬 雅夫

[学会発表] Conductive carbon nanoprobe fabricated by focused ion beam assisted chemical vapor deposition

Nagase Masao

グラフェンおよびその製造方法

グラフェンおよびその製造方法