金属（Hf・Zr）／Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-21K04882 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(C) |
| 研究分野 | |
| 研究機関 | 愛媛大学 |
| 代表研究者 | 垣内 拓大 |
| 研究期間 開始年月日 | 2021/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2023 |
| 研究ステータス | 交付 (2022/4/1) |
| 配分額（合計） | 4,160,000 (直接経費 :3,200,000、間接経費 :960,000) |
| 配分額（履歴） |
2023年度：910,000 (直接経費 :700,000、間接経費 :210,000) 2022年度：1,040,000 (直接経費 :800,000、間接経費 :240,000) 2021年度：2,210,000 (直接経費 :1,700,000、間接経費 :510,000) |
| キーワード | 表面界面反応 高誘電率ゲート絶縁膜材料 X線光電子分光法 分子ビーム ヘテロ界面 酸化反応 二酸化ハフニウム シンクロトロン放射光 表面界面酸化反応 Si半導体 放射光軟X線光電子分光 金属薄膜酸化 |