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ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-21246006
研究種目 基盤研究(A)
研究分野 理工系
工学
応用物理学・工学基礎
応用物性・結晶工学
研究機関 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
代表研究者 日比野 浩樹
研究分担者 永瀬 雅夫
研究分担者 影島 博之
研究分担者 蟹澤 聖
研究分担者 山口 徹
研究分担者 田中 悟
研究分担者 水野 清義
研究期間 開始年月日 2009/4/1
研究期間 終了年度 2011
研究ステータス 完了 (2011/4/1)
配分額（合計） 46,020,000 (直接経費 :35,400,000、間接経費 :10,620,000)
配分額（履歴） 2011年度：4,810,000 (直接経費 :3,700,000、間接経費 :1,110,000)
2010年度：4,420,000 (直接経費 :3,400,000、間接経費 :1,020,000)
2009年度：36,790,000 (直接経費 :28,300,000、間接経費 :8,490,000)
キーワード ナノ構造物性
グラフェン
シリコンカーバイド
電気伝導特性
低エネルギー電子顕微鏡
量子ホール効果
キャリア移動度
インターカレーション
ホール素子
バンドギャップ
成長機構
トランジスタ

研究成果

[図書] グラフェンが拓く材料の新領域-物性・作製法から実用化まで-

日比野浩樹、永瀬雅夫, 他 2012

[学会発表] Theoretical study on magnetoelectric effects of embedded graphene nanoribbons on SiC(0001)surface

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi 2011

[雑誌論文] Theoretical study on epitaxial graphene growth by Si sublimation from SiC(0001) surface

H. Kageshima, H. Hibino, H. Yamaguchi, and M. Nagase 2011

[学会発表] SiC(ooo1)面上でのSi脱離とグラフェン形成

影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫 2011

[雑誌論文] Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistor

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino 2011

[雑誌論文] Theoretical study on magnetoelectric and thermoelectric properties for graphene devices

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi 2011

[雑誌論文] Epitaxial graphene growth studied by low-energy electron microscopy and first-principles

H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase 2011

[学会発表] エピタキシャルグラフェンのHall移動度評価

田邉真一、関根佳明、影島博之、永瀬雅夫、日比野浩樹 2011

[学会発表] SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱

関根佳明、日比野浩樹、小栗克弥、赤崎達志、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司 2011

[学会発表] ラマン分光法による4H-SiC上エピタキシャルグラフェンの膜質評価

呉龍錫、岩本篤、西勇輝、船瀬雄也、湯浅貴浩、富田卓朗、永瀬雅夫、日比野浩樹、山口浩司 2011

[学会発表] Surface enhanced Raman spectroscopy of graphene grown on SiC

Y.Sekine, H.Hibino, K.Oguri, T.Akazaki, H.Kageshima, M.Nagase, H.Yamaguchi 2011

[雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC

S.Tanabe, Y.Sekine, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino 2011

[雑誌論文] Carrier transport mechanism in graphene on SiC(0001)

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino 2011

[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に-

永瀬雅夫, 他 2011

[学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene growth on SiC(0001)surface

H.Kageshima, H.Hibino, H.Yamaguchi, M.Nagase 2011

[雑誌論文] Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine and H. Yamaguchi 2011

[雑誌論文] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino 2011

[図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン・ナノチューブ・グラフェンを中心に-

永瀬雅夫, 他 2011

[学会発表] 単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測

田邉真一、関根佳明、影島博之、永瀬雅夫、日比野浩樹 2010

[雑誌論文] Atomic structure and physical properties of epitaxial graphene islands embedded in SiC(0001)surfaces

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi 2010

[雑誌論文] Epitaxial graphene growth studied by low-energy electron microscopy and first-principles

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase 2010

[雑誌論文] Contact conductance measurement of locally suspended graphene on SiC

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2010

[雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene : toward single crystal growth

H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase 2010

[学会発表] Theoretical study on functions of graphene

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi 2010

[学会発表] SiC上グラフェントランジスタの電気特性評価

田邉真一、関根佳明、永瀬雅夫、日比野浩樹 2010

[学会発表] In-situ surface electron microscopy observations of growth and etching of epitaxial few-layer graphene on SiC

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2010

[学会発表] Theoretical study on functions of graphene

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi 2010

[雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene : toward single crystal growth

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2010

[学会発表] SiC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2010

[学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC

H. Hibino, S. Tanabe, H. Kageshima, and M. Nagase 2010

[雑誌論文] シリコンカーバイド上のグラフェン成長

日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫 2010

[雑誌論文] 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析

日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫 2010

[雑誌論文] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価

日比野浩樹、影島博之、田邉真一、永瀬雅夫、水野清義 2010

[学会発表] 炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動

日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司 2010

[学会発表] Observation of bandgap in SiC graphene field-effect transistors

S.Tanabe, Y.Sekinae, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino 2010

[学会発表] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC

S.Tanabe, Y.Sekinae, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino 2010

[学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界

影島博之、日比野浩樹・山口浩司、永瀬雅夫 2010

[雑誌論文] Graphene growth on silicon carbide

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2010

[雑誌論文] Half-integer quantum Hall effect in gate-controlled epitaxial graphene devices

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino 2010

[雑誌論文] Contact conductance measurement of locally suspended graphene on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2010

[雑誌論文] Half-integer quantum Hall effect in gate-controlled epitaxial graphene devices

S.Tanabe, Y.Sekine, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino 2010

[学会発表] SiC上数層グラフェンの断面TEM観察

永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司 2010

[学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC

H.Hibino, S.Tanabe, H.Kageshima, M.Nagase 2010

[学会発表] Electrical contact properties of few-layer epitaxial on SiC substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2010

[雑誌論文] SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2010

[雑誌論文] Atomic structure and physical properties of epitaxial graphene islands embedded in SiC(0001) surfaces

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi 2010

[学会発表] In-situ surface electron microscopy observations of growth and etching of epitaxial few-layer graphene on SiC

H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase 2010

[学会発表] Electrical contact properties of few-layer epitaxial on SiC substrate

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2010

[学会発表] SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と電気磁気効果

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、関根佳明、山口浩司 2010

[学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

[雑誌論文] Local conductance measurements of double-layer graphene on SiC substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2009

[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

[学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析

日比野浩樹、前田文彦、影島博之、永瀬雅夫、広沢一郎、渡辺義夫 2009

[学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles

H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase 2009

[学会発表] Microscopic evaluations of structure and electronic properties of epitaxial graphene

H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase 2009

[学会発表] SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

[学会発表] SiC上グラフェン島の理論検討

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

[学会発表] Microscopic evaluations of structure and electronic properties of epitaxial graphene

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2009

[学会発表] Structure and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC studied by surface electron microscopy

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2009

[学会発表] SiC単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

[学会発表] Microscopic conductance measurement of few-layer graphene on SiC

M.Nagase 2009

[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2009

[雑誌論文] Local conductance measurements of double-layer graphene on SiC substrate

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2009

[学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase 2009

[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)

永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司 2009

[学会発表] Structure and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC studied by surface electron microscopy

H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase 2009

グラフェントランジスタおよびその製造方法