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ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-21246006
研究種目 基盤研究(A)
研究分野 理工系
工学
応用物理学・工学基礎
応用物性・結晶工学
研究機関 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
代表研究者 日比野 浩樹
研究分担者 永瀬 雅夫
研究分担者 影島 博之
研究分担者 蟹澤 聖
研究分担者 山口 徹
研究分担者 田中 悟
研究分担者 水野 清義
研究期間 開始年月日 2009/4/1
研究期間 終了年度 2011
研究ステータス 完了 (2011/4/1)
配分額(合計) 46,020,000 (直接経費 :35,400,000、間接経費 :10,620,000)
配分額(履歴) 2011年度:4,810,000 (直接経費 :3,700,000、間接経費 :1,110,000)
2010年度:4,420,000 (直接経費 :3,400,000、間接経費 :1,020,000)
2009年度:36,790,000 (直接経費 :28,300,000、間接経費 :8,490,000)
キーワード ナノ構造物性
グラフェン
シリコンカーバイド
電気伝導特性
低エネルギー電子顕微鏡
量子ホール効果
キャリア移動度
インターカレーション
ホール素子
バンドギャップ
成長機構
トランジスタ

研究成果

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

日比野浩樹、永瀬雅夫, 他 2012

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Kageshima, H. Hibino, H. Yamaguchi, and M. Nagase 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

田邉真一、関根佳明、影島博之、永瀬雅夫、日比野浩樹 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

関根佳明、日比野浩樹、小栗克弥、赤崎達志、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

呉龍錫、岩本篤、西勇輝、船瀬雄也、湯浅貴浩、富田卓朗、永瀬雅夫、日比野浩樹、山口浩司 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

Y.Sekine, H.Hibino, K.Oguri, T.Akazaki, H.Kageshima, M.Nagase, H.Yamaguchi 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

S.Tanabe, Y.Sekine, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

永瀬雅夫, 他 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Kageshima, H.Hibino, H.Yamaguchi, M.Nagase 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine and H. Yamaguchi 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

永瀬雅夫, 他 2011

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

田邉真一、関根佳明、影島博之、永瀬雅夫、日比野浩樹 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

田邉真一、関根佳明、永瀬雅夫、日比野浩樹 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase, Y.Sekine, H.Yamaguchi 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Hibino, S. Tanabe, H. Kageshima, and M. Nagase 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

日比野浩樹、影島博之、田邉真一、永瀬雅夫、水野清義 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

日比野浩樹、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

S.Tanabe, Y.Sekinae, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

S.Tanabe, Y.Sekinae, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹・山口浩司、永瀬雅夫 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

S.Tanabe, Y.Sekine, H.Kageshima, M.Nagase, H.Hibino 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Hibino, S.Tanabe, H.Kageshima, M.Nagase 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、関根佳明、山口浩司 2010

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

日比野浩樹、前田文彦、影島博之、永瀬雅夫、広沢一郎、渡辺義夫 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M.Nagase 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase 2009

ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製