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ナノインプリント技術を用いた窒化物系半導体発光デバイスの研究

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-20560302
研究種目 基盤研究(C)
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 徳島大学
代表研究者 直井 美貴
研究分担者 酒井 士郎
研究期間 開始年月日 2008/4/1
研究期間 終了年度 2010
研究ステータス 完了 (2010/4/1)
配分額(合計) 4,160,000 (直接経費 :3,200,000、間接経費 :960,000)
配分額(履歴) 2010年度:780,000 (直接経費 :600,000、間接経費 :180,000)
2009年度:1,560,000 (直接経費 :1,200,000、間接経費 :360,000)
2008年度:1,820,000 (直接経費 :1,400,000、間接経費 :420,000)
キーワード 薄膜・量子構造
ナノインプリント
発光ダイオード
窒化物

研究成果

[雑誌論文] GaN surface nanostructure photodetector based on back side incidence

Jing Zhang, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano, Satoru Tanaka 2010

[学会発表] 表面・界面に周期構造を有するGaN系LEDの配向特性評価

松本将和, 福田弘之, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2010

[雑誌論文] GaN-based light emitting diodes with periodic nano-structures on the surface fabricated by nanoimprint lithography technique

Yoshiki Naoi, Masakazu Matsumot, Tianya Tan, Mitsuaki Tohno, Shiro Sakai Jing Zhang, Atsuyuki Fukano, Satoru Tanaka 2010

[雑誌論文] Evaluation and re-growth of p-GaN on nano-patterned GaN on sapphire substrate

Yuji Nariyuki, Masakazu Matsumoto, Takeshi Noda, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano, Satoru Tanaka 2010

[学会発表] ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製

楠貴大, 沼島明菜, 直井美貴, 酒井士郎 2010

[学会発表] Front and Back Side Illumination of a Nano-Structured AlGaInN Photodetector

Jing Zhang,, Takumi Taoka, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano, Satoru Tanaka 2010

[学会発表] GaN系UV-LEDの偏光特性

松本将和, 福田弘之, 直井美貴, 酒井士郎 2010

[学会発表] 金属マスクを施したサファイア表面周期構造へのGaN成長と評価

和田祥吾, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2010

[学会発表] ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察

西野克志, 澤井佑介, 成行祐児, 野田丈嗣, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2010

[雑誌論文] GaN-based light emitting diodes with periodic nano-structures on the surface fabricated by nanoimprint lithography technique

Naoi Y, et al. 2010

[雑誌論文] Fabrication and Photovoltaic Measurements of Surface Nanostructure of A1GaInN-Based Photodetector

Jing Zhang, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano, Satoru Tanaka 2009

[学会発表] GaN Surface Nanostructure Photodetector Based on Back Side Incidence

張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2009

[学会発表] 表面ナノ周期構造を有するlnGaN-LEDからの輻射光空間分布特性

直井美貴, 松本将和, 諦天亜, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2009

[学会発表] サファイア上周期的ナノ構造を形成するためのナノインプリント技術開発とGaN系LED

直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚, 納田卓, 木村真大, 川野俊輔, 村本宜彦 2009

[学会発表] ナノ加工を用いたGaNのC-V特性

成行祐児, 松本将和, 遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2009

[学会発表] GaN-bled Light Emitting Diodes with Periodic Nano-structues on the Surface Fabricated by Nanoimprint Lithography Technique

Yoshiki Naoi, Mitsuaki Tohno, Tianya Tan, Masakazu Matsmoto,, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano, Satoru Tanaka 2009

[学会発表] GaNナノ加工pnダイオード光検出器

張晶, 遠野充明, 奥野誠亮, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2009

[学会発表] GaN系表面ナノ構造光検出器

張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2009

[学会発表] The surface nanostructure photo-voltaic property of GaN-based photodetector

Jing Zang, S.Okuno, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano, Satoru Tanaka 2009

[学会発表] 裏面入射GaN系表面ナノ構造光検出器

張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2009

[学会発表] ナノ加工を施したGaN上への再成長及びその評価

成行祐児, 松本将和, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2009

[学会発表] ナノインプリント技術により周期的ナノ構造を形成したGaN系光デバイスからのEL特性

遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 2009

[学会発表] Evaluation and Re-growth of GaN on Nano-patterned GaN on a Sapphire Substrate

Yuji Nariyuki, Masakazu Matsmoto, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano, Satoru Tanaka 2009

[学会発表] LEDの光出力改善技術

直井美貴 2009

[学会発表] 表面ナノ周期構造を有するInGaN-LEDからの輻射光空間分布特性

直井美貴, 他 2009

[学会発表] 紫外線LEDの開発動向と今後の応用について

直井美貴 2009

[学会発表] GaN-Based Light Emitting Diodes with Periodic Nano-Structures on the Surface Fabricated by Nanoimprint Lithography Technique

Y.Naoi, et al. 2009

[学会発表] サファイア上周期的ナノ構造を形成するためのナノインプリント技術開発とGaN系LED

直井美貴, 他 2009

[学会発表] ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性

遠野充明, 張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 和地順蔵 2008

[学会発表] ナノインプリント技術によるサファイア基板上へのナノ構造の形成

遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 和地順蔵 2008