フェムト秒レーザーを用いたワイドバンドギャップ半導体改質技術の開発
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-19760035 |
|---|---|
| 研究種目 | 若手研究(B) |
| 研究分野 | 理工系 工学 応用物理学・工学基礎 応用光学・量子光工学 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 富田 卓朗 |
| 研究期間 開始年月日 | 2007/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2008 |
| 研究ステータス | 完了 (2008/4/1) |
| 配分額（合計） | 3,630,000 (直接経費 :3,300,000、間接経費 :330,000) |
| 配分額（履歴） |
2008年度：1,430,000 (直接経費 :1,100,000、間接経費 :330,000) 2007年度：2,200,000 (直接経費 :2,200,000) |
| キーワード | フェムト秒レーザー ワイドバンドギャップ半導体 シリコンカーバイド 改質技術 電気伝導度 接触抵抗 電極 レーザー照射 |