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数層グラフェン薄膜のナノスケール伝導特性の解明

KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る
研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-19310085
研究種目 基盤研究(B)
研究分野 総合・新領域系
複合新領域
ナノ・マイクロ科学
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
研究機関 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
代表研究者 永瀬 雅夫
研究分担者 日比野 浩樹
研究分担者 関根 佳明
研究分担者 影島 博之
研究分担者 山口 浩司
研究分担者 岡本 創
研究期間 開始年月日 2007/4/1
研究期間 終了年度 2009
研究ステータス 完了 (2009/4/1)
配分額（合計） 19,890,000 (直接経費 :15,300,000、間接経費 :4,590,000)
配分額（履歴） 2009年度：3,120,000 (直接経費 :2,400,000、間接経費 :720,000)
2008年度：4,550,000 (直接経費 :3,500,000、間接経費 :1,050,000)
2007年度：12,220,000 (直接経費 :9,400,000、間接経費 :2,820,000)
キーワード ナノ材料
マイクロ・ナノデバイス
計測工学
グラフェン
低エネルギー電子顕微鏡
ナノギャップ電極

研究成果

[学会発表] SiC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2010

[学会発表] SiC上数層グラフェンの断面TEM観察

永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 2010

[雑誌論文] Epitaxial few-layer graphene: toward single crystal growth

H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase 2010

[学会発表] 炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動

日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司 2010

[雑誌論文] Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi 2010

[学会発表] SiC上グラフェントランジスタの電気特性評価

田邉真一, 関根佳明, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 2010

[学会発表] SiC(0001)上グラフェン成長のエナージェティクス

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2010

[雑誌論文] 炭素材料グラフェン(寄稿記事)

永瀬雅夫 2010

[雑誌論文] Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi 2010

[学会発表] siC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 2010

[学会発表] 炭素新材料グラフェン(招待講演)

永瀬雅夫 2010

[学会発表] グラフェン開発の現状と極限材料応用の可能性について(招待講演)

永瀬雅夫 2010

[雑誌論文] Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles

Hiroyuki Kageshima, Hitoki Hibino, Masao Nagase, Hiroshi Yamaguchi 2010

[学会発表] SiC(0001)上グラフェン成長のエナージェティクス(招待講演)

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 2010

[雑誌論文] Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC

Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima, Hiroshi Yamaguchi 2010

[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

[学会発表] Microscopic conductance measurement of few-layer graphene on SiC

M. Nagase 2009

[雑誌論文] Direct Actuation of GaAs Membrane with the Microprobe of Scanning Probe Microscopy

K. TAMARU, K. NONAKA, M. NAGASE, H. YAMAGUCHI, S. WARISAWA, S. ISHIHARA 2009

[学会発表] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)

永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 2009

[雑誌論文] Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

[雑誌論文] Direct Actuation of GaAs Membrane with the Microprobe of Scanning Probe Microscopy

Kojiro TAMARU, Keiichiro NONAKA, Masao NAGASE, Hiroshi YAMAGUCHI, Shinichi WARISAWA, Sunao ISHIHARA 2009

[雑誌論文] Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001)

H. Hibino, S. Mizuno, H. Kageshima, M. Nagase, H. Yamaguchi 2009

[学会発表] SiC上グラフェンの物性評価

永瀬雅夫 2009

[雑誌論文] グラフェンのエレクトロニクスへの展開

永瀬雅夫 2009

[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

[学会発表] Novel microscopies for graphene on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi 2009

[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2009

[学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析

日比野浩樹, 前田文彦, 影島博之, 永瀬雅夫, 広沢一郎, 渡辺義夫 2009

[学会発表] グラフェンの現状と宇宙エレベータテザーとしての可能性について

永瀬雅夫 2009

[学会発表] Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene grown on SiC Studied by Surface Electron Microscopy

H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase 2009

[学会発表] Novel microscopies for graphene on SiC" : [Invited]

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2009

[雑誌論文] Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima H. Yamaguchi 2009

[学会発表] SiC上グラフェンの物性評価(招待講演)

永瀬雅夫 2009

[学会発表] sic上グラフェン島の理論検討

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 2009

[学会発表] SiC上のグラフェン-走査プローブ顕微鏡による評価技術-(招待講演)

永瀬雅夫 2009

[学会発表] Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2009

[学会発表] Local Conductance of Deformed Graphene Near Atomic Steps on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2009

[学会発表] Microscopic Evaluations of Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2009

[学会発表] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン形成に関する第一原理計算

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 2009

[雑誌論文] グラフェンのミクロスコピックな物性の解明(寄稿記事)

永瀬雅夫 2009

[学会発表] sic単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-(招待講演)

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 2009

[学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles

H.Kageshima, H.Hibino, M.Nagase 2009

[学会発表] グラフェンの現状と宇宙エレベータテザーとしての可能性について"(招待講演)

永瀬雅夫 2009

[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性

永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 2009

[雑誌論文] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC

M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi 2009

[学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの積層ドメイン構造

日比野浩樹, 水野清義, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司 2009

[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性

永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司 2009

[学会発表] エピタキシャル・グラフェンの走査プローブ顕微鏡による物性評価

永瀬雅夫 2009

[学会発表] Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene grown on SiC Studied by Surface Electron Microscopy

H.Hibino, H.Kageshima, M.Nagase 2009

[学会発表] SiC単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性-デバイス展開を目指して-」

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

[学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 2009

[雑誌論文] グラフェンのミクロスコピックな物性の解明

永瀬雅夫 2009

[学会発表] SiC上のグラフェジ-走査プローブ顕微鏡による評価技術-:(招待講演)

永瀬雅夫 2009

[雑誌論文] Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001)

H.Hibino, S.Mizuno, H.Kageshima, M.Nagase, H.Yamaguchi 2009

[学会発表] "エピタキシャル・グラフェンの走査プローブ顕微鏡による物性評価"(招待講演)

永瀬雅夫 2009

[学会発表] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2009

[学会発表] SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算-吸着原子・原子空孔の影響-」

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

[学会発表] Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase 2009

[学会発表] エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析

日比野浩樹、前田文彦、影島博之、永瀬雅夫、広沢一郎、渡辺義夫 2009

[学会発表] Microscopic conductance measurement of few-layer graphene on SiC

M.Nagase 2009

[学会発表] SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)

永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司 2009

[学会発表] SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

[雑誌論文] Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001)Surfaces

Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Hiroshi Yamaguchi 2009

[図書] グラフェンの機能と応用展望、一部(第11章SiC上のグラフェン成長と電気特性)の執筆を分担

永瀬雅夫, 他、監修:斉木幸一朗、徳本洋志 2009

[学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの積層ドメイン構造

日比野浩樹, 水野清義, 影島博之, 永瀬雅夫, 山口浩司 2009

[学会発表] SiC上グラフェン島の理論検討

影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司 2009

[学会発表] Microscopic Evaluations of Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene

H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase 2009

[雑誌論文] Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001) Surfaces

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi 2009

[学会発表] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン形成に関する第一原理計算

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 2009

[学会発表] Local Conductance of Deformed Graphene Near Atomic Steps on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2009

[学会発表] SiC上グラフェン 成長と電気特性[Invited]

永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司 2008

[学会発表] iC上のグラフェン成長と電気特性(招待講演)

永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 2008

[雑誌論文] Thickness Determination of Graphene Layers Formed on SiC Using Low-Energy Electron Microscopy

H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene formation on SiC(0001) surface

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi 2008

[雑誌論文] In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogapprobe

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] In-plane conductane images of few-layer graphene on SiC substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[雑誌論文] In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogap probe

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] Local conductance measurement of thermally grown graphene on SiC substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] Local Conductance of Graphene Near Buried Atomic Steps on SiC Substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kagoshima, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] Evaluation of the number of graphene layers grown on SiC : SPM and RAMAN spectroscopy studies

H. Hibino, M. Nagase, C. Jackson, H. Kageshima, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] Local conductane measurement of deformed double-layer graphene on atomic step-structures of SiC substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] Local conductance measurement of thermally grown graphene on SiC substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[雑誌論文] Local conductance measurement of few-layer graphene on SiC substrate using an integrated nanogap probe

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[雑誌論文] Height Dependence of Young's Modulus for Carbon Nanopillars Grown by Focused-Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Depositio

K. Nonaka, K. Tamaru, M. Nagase, H. Yamaguchi, S. Warisawa, S. Ishihara 2008

[学会発表] Local Conductance of Graphene Near Buried Atomic Steps on SiC Substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] 二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響

永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 2008

[学会発表] 二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響

永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 2008

[学会発表] Evaluation of the number of graphene layers grown on SiC: SPM and RAMAN spectroscopy studies

H. Hibino, M. Nagase, C. Jackson, H. Kageshima, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi 2008

[雑誌論文] Local conductance measurement of few-layer graphene on SiC substrate using an integrated nanogap probe

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi, 2008

[学会発表] Theoretical study on epitaxial graphene formation on SiC(0001) surface

H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi 2008

[学会発表] Local conductane measurement of deformed double-layer graphene on atomic step-structures of SiC substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[雑誌論文] Height Dependence of Young's Modulus for Carbon Nano-pillars Grown by Focused-Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition

K. Nonaka, K. Tamaru, M. Nagase, H. Yamaguchi, S. Warisawa, S. Ishihara 2008

[学会発表] In-plane conductane images of few-layer graphene on SiC substrate

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi 2008

[雑誌論文] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC

M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, H. Yamaguchi

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