凹凸あるSi表面でのhigh-k材料超薄膜の成長過程とその低次元物性発現の観測
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-17K06030 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(C) |
| 研究分野 | 理工系 化学 材料化学 デバイス関連化学 |
| 研究機関 | 愛媛大学 |
| 代表研究者 | 垣内 拓大 |
| 研究期間 開始年月日 | 2017/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2019 |
| 研究ステータス | 完了 (2019/4/1) |
| 配分額（合計） | 4,940,000 (直接経費 :3,800,000、間接経費 :1,140,000) |
| 配分額（履歴） |
2019年度：1,560,000 (直接経費 :1,200,000、間接経費 :360,000) 2018年度：1,560,000 (直接経費 :1,200,000、間接経費 :360,000) 2017年度：1,820,000 (直接経費 :1,400,000、間接経費 :420,000) |
| キーワード | 金属半導体ヘテロ界面 Si半導体 高誘電体材料 光電子分光 コインシデンス分光法 シンクロトロン放射光 酸化反応ダイナミクス 表面界面反応 表面化学反応 超薄膜 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ 二酸化ハフニウム シリコン半導体 表面界面反応追跡 時間分解光電子分光法 ハフニウムシリサイド 酸化ダイナミクス 表面界面 局所価電子状態 酸化ハフニウム超薄膜 光電子-オージェ電子コインシデンス分光法 光電子分光法 オージェ電子分光法 マイクロ・ナノデバイス 高誘電率材料 量子閉じ込め |