シリコンカーバイドのエピ膜上に形成される表面欠陥の起源の解明とその除去方法の開発
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-16560009 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(C) |
| 研究分野 | 理工系 工学 応用物理学・工学基礎 応用物性・結晶工学 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 岡田 達也 |
| 研究期間 開始年月日 | 2004/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2007 |
| 研究ステータス | 完了 (2007/4/1) |
| 配分額（合計） | 4,150,000 (直接経費 :4,000,000、間接経費 :150,000) |
| 配分額（履歴） |
2007年度：650,000 (直接経費 :500,000、間接経費 :150,000) 2006年度：500,000 (直接経費 :500,000) 2005年度：500,000 (直接経費 :500,000) 2004年度：2,500,000 (直接経費 :2,500,000) |
| キーワード | シリコンカーバイド(SiC) ホモエピタキシャル成長 表面欠陥 透過電子顕微鏡(TEM) 結晶欠陥 フェムト秒レーザ リップル構造 アモルファス化 リップ構造 シリコンカーバイド ジルコニア粒子 4H-SiC エピ成長 内部欠陥 透過型電子顕微鏡 特性X線分析 silicon carbaide (SiC) homoepitaxial growth surface defect transmission electron microscopy (TEM) crystallographic defect femto second laser ripple structure amorphization |