高温・高圧合成によるキャリア制御型半導体ダイヤモンドの確立
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-15K13957 |
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研究種目 | 挑戦的萌芽研究 |
研究分野 | 理工系 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
研究機関 | 愛媛大学 |
代表研究者 | 石川 史太郎 |
研究分担者 | 松下 正史 |
研究期間 開始年月日 | 2015/4/1 |
研究期間 終了年度 | 2017 |
研究ステータス | 完了 (2017/4/1) |
配分額(合計) | 3,900,000 (直接経費 :3,000,000、間接経費 :900,000) |
配分額(履歴) |
2016年度:1,560,000 (直接経費 :1,200,000、間接経費 :360,000) 2015年度:2,340,000 (直接経費 :1,800,000、間接経費 :540,000) |
キーワード | ダイヤモンド 高温・高圧合成 ドーピング 電子材料 イオン注入 ナノ構造 ナノ多結晶 半導体 不純物 ナノ多結晶ダイヤモンド 導電性 光物性 |