光照射時の過渡的残留電荷測定による金属/高分子界面の不純物準位に関する研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-13750248 |
|---|---|
| 研究種目 | 若手研究(B) |
| 研究分野 | 工学 電気電子工学 電力工学・電気機器工学 |
| 研究機関 | 愛媛大学 |
| 代表研究者 | 門脇 一則 |
| 研究期間 開始年月日 | 2001/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2002 |
| 研究ステータス | 完了 (2002/4/1) |
| 配分額（合計） | 900,000 (直接経費 :900,000) |
| 配分額（履歴） |
2002年度：900,000 (直接経費 :900,000) |
| キーワード | 高分子フィルム 表面準位 残留電荷 パルス静電応力法 音響インピーダンス 紫外線劣化 減衰速度 帯電 |