窒化III-V族混晶の電子物性解明と応用に関する研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-11102005 |
|---|---|
| 研究種目 | 特別推進研究 |
| 研究分野 | |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 酒井 士郎 |
| 研究分担者 | 西野 克志 |
| 研究分担者 | 直井 美貴 |
| 研究分担者 | 中島 貞之丞 |
| 研究分担者 | LIU Yuhuai |
| 研究分担者 | LACROIX Yves |
| 研究分担者 | TOA Wang |
| 研究分担者 | MOHAMED Lachab |
| 研究期間 開始年月日 | 1999/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2003 |
| 研究ステータス | 完了 (2003/4/1) |
| 配分額（合計） | 233,600,000 (直接経費 :224,000,000、間接経費 :9,600,000) |
| 配分額（履歴） |
2003年度：11,700,000 (直接経費 :9,000,000、間接経費 :2,700,000) 2002年度：11,700,000 (直接経費 :9,000,000、間接経費 :2,700,000) 2001年度：18,200,000 (直接経費 :14,000,000、間接経費 :4,200,000) 2000年度：45,000,000 (直接経費 :45,000,000) 1999年度：147,000,000 (直接経費 :147,000,000) |
| キーワード | InNAs 窒化物 ナローギャップ半導体 MOCVD プラズマ ワイドギャップ半導体 GaN 電子物性 窒化III-V族混晶 InNAs Nitride Narrow gap semiconductor MOCVD Plasma Wide gap semiconductor GaN Material properties |