窒化物半導体による半金属合金の合成と評価に関する研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-10450010 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(B) |
| 研究分野 | 工学 応用物理学・工学基礎 応用物性・結晶工学 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 酒井 士郎 |
| 研究分担者 | 直井 弘之 |
| 研究分担者 | HAO Maoshen |
| 研究分担者 | 直井 美貴 |
| 研究期間 開始年月日 | 1998/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1999 |
| 研究ステータス | 完了 (1999/4/1) |
| 配分額（合計） | 9,500,000 (直接経費 :9,500,000) |
| 配分額（履歴） |
1999年度：3,000,000 (直接経費 :3,000,000) 1998年度：6,500,000 (直接経費 :6,500,000) |
| キーワード | InNAs 窒化物 ナローギャップ半導体 MOCVD プラズマ窒素源 光学的特性 光物性 半導体デバイス |