制御された炭素・水素ラジカルを用いたβ-C_3N_4薄膜の合成法の開発
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-09875039 |
|---|---|
| 研究種目 | 萌芽的研究 |
| 研究分野 | 工学 機械工学 機械工作・生産工学 |
| 研究機関 | 愛媛大学 |
| 代表研究者 | 井出 敞 |
| 代表研究者 | 八木 秀次 |
| 研究分担者 | 豊田 洋通 |
| 研究分担者 | 井出 敞 |
| 研究期間 開始年月日 | 1997/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1998 |
| 研究ステータス | 完了 (1998/4/1) |
| 配分額（合計） | 2,100,000 (直接経費 :2,100,000) |
| 配分額（履歴） |
1998年度：700,000 (直接経費 :700,000) 1997年度：1,400,000 (直接経費 :1,400,000) |
| キーワード | Microwave Plasma CVD High pressure β-C_3N_4 Thin film |