紫外線高輝度発光ダイオードを用いたフルカラー発光素子の研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-07555102 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(A) |
| 研究分野 | 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 酒井 士郎 |
| 研究分担者 | 湯浅 貴之 |
| 研究分担者 | 直井 美貴 |
| 研究期間 開始年月日 | 1995/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1996 |
| 研究ステータス | 完了 (1996/4/1) |
| 配分額（合計） | 7,600,000 (直接経費 :7,600,000) |
| 配分額（履歴） |
1996年度：2,200,000 (直接経費 :2,200,000) 1995年度：5,400,000 (直接経費 :5,400,000) |
| キーワード | GaN InGaN バルク MOCVD LED 半導体レーザ ホモエピタキシ- 転位 ワイドギャップ半導体 厚膜 昇華法 青色発光素子 GaN InGaN Bulk GaN MOCVD LED Semiconductor lasers Homoepitaxy Dislocation |