シリコン上に成長したガリウム砒素の歪効果の研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-61550013 |
|---|---|
| 研究種目 | 一般研究(C) |
| 研究分野 | 工学 応用物理学 応用物性 |
| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
| 代表研究者 | 鈴木 いく雄 |
| 研究分担者 | 酒井 士郎 |
| 研究期間 開始年月日 | 1986/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1987 |
| 研究ステータス | 完了 (1987/4/1) |
| 配分額（合計） | 1,900,000 (直接経費 :1,900,000) |
| 配分額（履歴） |
1987年度：200,000 (直接経費 :200,000) 1986年度：1,700,000 (直接経費 :1,700,000) |
| キーワード | Si Ca As 応力 GaAs ガリウム砒素 半導体結晶成長 Si GaAs |