シリコン上への燐化インシウムのハイブリッド成長と光デバイスへの応用に関する研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-60460121 |
|---|---|
| 研究種目 | 一般研究(B) |
| 研究分野 | 工学 電気工学 電子材料工学 |
| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
| 代表研究者 | 梅野 正義 |
| 研究分担者 | 曽我 哲夫 |
| 研究分担者 | 酒井 士郎 |
| 研究分担者 | 神保 孝志 |
| 研究期間 開始年月日 | 1985/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1987 |
| 研究ステータス | 完了 (1987/4/1) |
| 配分額（合計） | 7,000,000 (直接経費 :7,000,000) |
| 配分額（履歴） |
1987年度：500,000 (直接経費 :500,000) 1986年度：1,100,000 (直接経費 :1,100,000) 1985年度：5,400,000 (直接経費 :5,400,000) |
| キーワード | MOCVD LPE シリコン基板 燐化インジウム ガリウム砒素 歪超格子 レーザ GaAsPLED 混晶半導体 可視光レーザ MOCVD LPE Hybrid growth Si substrate InP GaAs Strained layer superlattice |