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光励起下におけるInAs量子ドット層の面内伝導特性の解明と光伝導アンテナへの応用

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-26889043
研究種目 研究活動スタート支援
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 徳島大学
代表研究者 熊谷 直人
研究協力者 井須 俊郎
研究協力者 北田 貴弘
研究協力者 盧 翔孟
研究協力者 村雲 圭祐
研究期間 開始年月日 2014/4/1
研究期間 終了年度 2015
研究ステータス 完了 (2015/4/1)
配分額(合計) 2,730,000 (直接経費 :2,100,000、間接経費 :630,000)
配分額(履歴) 2015年度:1,300,000 (直接経費 :1,000,000、間接経費 :300,000)
2014年度:1,430,000 (直接経費 :1,100,000、間接経費 :330,000)
キーワード 量子ドット
光伝導アンテナ
テラヘルツ
分子線エピタキシー

研究成果

[雑誌論文] Photoconductivity of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs layers with 1.5 um cw and pulse excitation

Keisuke Murakumo,YuyaYamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu 2016

[学会発表] ErドープInAs量子ドット層のキャリア緩和時間から評価した光電流周波数特性

熊谷直人、村雲圭祐、盧翔孟、北田貴弘、井須俊郎 2016

[学会発表] Mobility of in-plane photocurrent of stacked InAs QDs layers in strain-relaxed InGaAs matrix

N. Kumagai, K. Murakumo, T. Kitada, and T. Isu 2015

[学会発表] 歪緩和InGaAs層に埋め込んだInAs量子ドット層の面内光伝導特性

村雲 圭佑, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 2015

[学会発表] 1.5umパルス励起によるInAs量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流

村雲圭祐、熊谷直人、蘆翔孟、北田貴弘、井須俊郎 2015

[学会発表] In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer

Keisuke Murakumo, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu 2015

[学会発表] Photoconductivity with 1.55 um excitation of InAs QDs embedded in InGaAs barriers on GaAs substrate

Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu 2015

[学会発表] 量子ドット光伝導スイッチのメサ加工による暗電流の抑制

村雲圭佑、山岡裕也、熊谷直人、北田貴弘、井須俊郎 2015

[学会発表] InAs量子ドット積層構造の面内光伝導キャリアの移動度

熊谷直人、村雲圭佑、北田貴弘、井須俊郎 2015

[学会発表] 超高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光伝導

熊谷直人、村雲圭佑、北田貴弘、井須俊郎 2014

[学会発表] InAs/InGaAs量子ドット積層構造の面内光伝導特性の異方性

村雲圭佑、熊谷直人、北田貴弘、井須俊郎 2014

[学会発表] Mobility of in-plane photocurrent of stacked InAs QDs layers in strain-relaxed InGaAs matrix

N. Kumagai, K. Murakumo, T. Kitada, and T. Isu 0

[学会発表] In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer

K. Murakumo, N. Kumagai, T. Kitada, and T. Isu 0