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ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果の解明

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-26390066
研究種目 基盤研究(C)
研究分野 理工系
総合理工
応用物理学
薄膜・表面界面物性
研究機関 兵庫県立大学
代表研究者 新部 正人
連携研究者 川上 烈生
連携研究者 中野 由崇
研究協力者 小高 拓也
研究協力者 佐野 桂治
研究協力者 平井 翔大
研究協力者 荒木 佑馬
研究協力者 田中 良
研究期間 開始年月日 2014/4/1
研究期間 終了年度 2017
研究ステータス 完了 (2017/4/1)
配分額（合計） 4,940,000 (直接経費 :3,800,000、間接経費 :1,140,000)
配分額（履歴） 2016年度：910,000 (直接経費 :700,000、間接経費 :210,000)
2015年度：2,080,000 (直接経費 :1,600,000、間接経費 :480,000)
2014年度：1,950,000 (直接経費 :1,500,000、間接経費 :450,000)
キーワード プラズマエッチング
紫外線照射
ワイドギャップ半導体
UV
GaN
TiO2
ＵＶ照射
化合物半導体
欠陥
軟Ｘ線吸収
ドライエッチング
プラズマ
イオンビーム

研究成果

[雑誌論文] Characteristics of TiO 2 thin films surfaces treated by O 2 plasma in dielectric barrier discharge with the assistance of external heating

Kawakami Retsuo、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka、Araki Yuma、Yoshitani Yuki、Azuma Chisato、Mukai Takashi 2018

[学会発表] TiO2 Thin Film Surfaces Treated by O2 Plasma in Dielectric Barrier Discharge with Assistance of Heat Treatment

Retsuo Kawakami, Kengo Fujimoto, Masahito Niibe, Yuma Araki, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai 2017

[学会発表] Surface Structure Analysis of AlGaN Thin Films Damaged by Oxygen and Nitrogen Plasmas

Masahito Niibe, Ryo Tanaka, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano and Takashi Muka 2017

[学会発表] TiO2 薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関

荒木佑馬、新部正人、川上烈生、竹平徳崇、中野由崇 2017

[学会発表] 光触媒TiO2薄膜への加熱を伴うO2 DBDプラズマ処理効果

川上 烈生, 新部 正人, 中野 由崇, 芳谷 勇樹, 東 知里, 向井 孝志 2017

[学会発表] Generation Behavior of Electrical Damage Introduced into n-GaN Films by CF4 Plasma Treatments

Yoshitaka Nakano, Retsuo Kawakami and Masahito Niibe 2017

[学会発表] 酸素および窒素プラズマ処理したAlGaN膜の表面分析

田中良、新部正人、川上烈生、中野由崇、向井孝志 2017

[学会発表] Electrical damage in n-GaN films treated by CF4 plasma

Yoshitaka Nakano, Masahito Niibe and Retsuo Kawakami 2016

[学会発表] CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的評価

6) 中野由崇, 坂井佑輔, 新部正人, 川上烈生 2016

[学会発表] Effect of Ultraviolet Light-Assisted CF4 Plasma Irradiation on AlGaN Thin Film Surface

Retsuo Kawakami, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai 2016

[雑誌論文] Damage Characteristics of <i>n</i>-GaN Crystal Etched with N<sub>2 </sub>Plasma by Soft X-Ray Absorption Spectroscopy

M. Niibe, T. Kotaka, R. Kawakami, Y. Nakano, T. Mukai 2016

[学会発表] CF4とArプラズマ処理したAlGaN膜の表面分析

8) 平井翔大，新部正人，川上烈生，竹平徳崇，中野由崇，向井孝志 2016

[学会発表] Electrical Damage Investigation of n-GaN Films Treated by CF4 Plasma

Yoshitaka Nakano, Masahito Niibe and Retsuo Kawakami 2016

[学会発表] AlGaN表面特性への酸素プラズマ照射効果

新部正人, 川上烈生，中野由崇、田中良、荒木佑馬、東知里、向井孝志 2016

[学会発表] TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関

荒木佑馬、竹平徳崇、新部正人、川上烈生、中野由崇 2016

[学会発表] TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS 法による組成と触媒活性の相関

7)　荒木佑馬，新部正人，川上烈生，竹平徳崇，中野由崇 2016

[学会発表] CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的ダメージ

中野由崇、新部正人、川上烈生 2016

[雑誌論文] Comparison between AiGaN surfaces etchtched bycarbon tetrafluoride and argon plasmas: Effect of the fluorine impurities incorporated in the surface

R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, S. Hirai, T. Mukai 2015

[雑誌論文] Electrical Investigation of Deep-Level Defects Induced in AlGaN/GaN Heterostrucutures by CF4 Plasma Treatments

2)R. Kawakami, Y. Nakano, M. Niibe, T. Shirahama, and T. Mukai 2015

[学会発表] 紫外光アシストCF4プラズマでエッチンングされたAlGaN表面分析

10)新部正人，川上烈生，中野由崇，竹平徳崇，平井翔大，荒木佑馬，東知里，向井孝志 2015

[雑誌論文] Recovery of x-ray absorption spectral profile in etched TiO2 thin films

1)Keiji Sano, Masahito Niibe, Retsuo Kawakami and Yoshitaka Nakano 2015

[雑誌論文] Ar+-irradiation-induced damage in hydride vapor-phase epitaxy GaN films

Y. Nakano, D. Ogawa, K. Nakamura, R. Kawakami, M. Niibe 2015

[学会発表] Anatase TiO2 Thin Films Grown by Facing-Target Reactive Sputtering and Its Impact on Photocatalytic Activity

1) R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, C. Azuma and T. Mukai 2015

[学会発表] TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS 法による組成と触媒活性の相関

9) 荒木佑馬，新部正人，川上烈生，竹平徳崇，中野由崇 2015

[雑誌論文] Surface Analysis of AlGaN Treated with CF<sub>4 </sub>and Ar Plasma Etching

S. Hirai, M. Niibe, R. Kawakami, T. Shirahama, Y. Nakano, T. Mukai 2015

[学会発表] 酸化チタン薄膜表面への酸素プラズマ照射効果

11)新部正人，荒木佑馬，竹平徳崇，川上烈生，中野由崇，東知里 2015

[学会発表] A Relation between Pinch-Off Voltages and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Treated by CF4 Plasma

2) Y. Nakano, R. Kawakami, M. Niibe, T. Shirahama and T. Mukai 2015

[学会発表] Comparison between Surface Characteristics of Titanium Oxide Thin Films Treated with N2 Dielectric Barrier Discharge Plasma and Annealed in N2 Gas

5) R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano and T. Mukai 2015

[学会発表] ArとCF4プラズマで処理したAlGaN膜の表面分析

平井翔大，新部正人，白濱達夫，川上烈生，中野由崇，向井孝志 2014

[雑誌論文] Damage Characteristics of n-GaN Thin Film Surfaces Etched by Ultraviolet Light-Assisted Helium Plasmas

5)R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, K. Aoki, K. Oba, M. Takabatake, T. Mukai 2014

[学会発表] Damage Characteristics of n-GaNCrystal Etched with N2 Plasma by Soft X-ray Absorption Spectroscopy

Masahito Niibe, Takuya Kotaka, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai 0

[学会発表] CF4とArプラズマでエッチングしたAlGaN表面ダメージ

新部正人，川上烈生，中野由崇，向井孝志，白濱達夫，平井翔大 0

[学会発表] Ｘ線吸収分光法を用いたTiO2薄膜のプラズマダメージ評価

佐野桂治，新部正人，川上烈生，中野由崇 0

[学会発表] Morphological and Compositional Changes in AlGaN Surfaces etched by RF Capacitively Coupled Carbon Tetrafluoride and Argon Plasmas

R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, S. Hirai and T. Mukai 0

[学会発表] ArとCF4プラズマで処理したAlGaN膜の表面分析

平井翔大，新部正人，川上烈生，白濱達夫，中野由崇，向井孝志 0

[学会発表] Surface analysis of AlGaN treated by Ar and CF4 plasma etching

Shodai Hirai, Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano 0

[学会発表] Etching damage analysis of n-GaN crystals etched with N2-plasma using soft X-ray absorption spectroscopy

Masahito Niibe, Takuya Kotaka, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai 0

[学会発表] Spectral Recovery of Etching Damage of TiO2 thin film Observed in XAS Spectra

Keiji Sano, Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano 0

[学会発表] Ar+イオン照射したHVPE-GaN膜の電気的評価

中野由崇，中村圭二，新部正人，川上烈生 0

[学会発表] TiO2超微粒子の軟Ｘ線照射によるNEXAFSスペクトル形状の回復

新部正人，佐野桂治，川上烈生，中野由崇 0

[学会発表] Ar＋イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価

中野由崇，高木健司，小川大輔，中村圭二，新部正人，川上烈生 0

[学会発表] CF4プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価

中野由崇，川上烈生，新部正人，高木健司，白濱達夫，向井孝志 0