高耐久半導体素子の実現に向けたシリコン窒化膜における点欠陥の構造と性質の解明
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-25K07835 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(C) |
| 研究分野 | |
| 研究機関 | 香川大学 |
| 代表研究者 | 宮川 勇人 |
| 研究期間 開始年月日 | 2025/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2027 |
| 研究ステータス | 交付 (2025/4/1) |
| 配分額（合計） | 4,550,000 (直接経費 :3,500,000、間接経費 :1,050,000) |
| 配分額（履歴） |
2027年度：910,000 (直接経費 :700,000、間接経費 :210,000) 2026年度：1,950,000 (直接経費 :1,500,000、間接経費 :450,000) 2025年度：1,690,000 (直接経費 :1,300,000、間接経費 :390,000) |
| キーワード | シリコン窒化膜 絶縁破壊 電子スピン共鳴 ESR SiN膜 |