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量子ドットと半導体多層膜結合共振器構造を用いた超高速波長変換素子

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-24360028
研究種目 基盤研究(B)
研究分野 理工系
工学
応用物理学・工学基礎
応用光学・量子光工学
研究機関 徳島大学
代表研究者 井須 俊郎
研究分担者 北田 貴弘
研究分担者 熊谷 直人
研究分担者 盧 翔孟
研究分担者 森田 健
研究期間 開始年月日 2012/4/1
研究期間 終了年度 2015
研究ステータス 完了 (2015/4/1)
配分額(合計) 18,850,000 (直接経費 :14,500,000、間接経費 :4,350,000)
配分額(履歴) 2015年度:3,900,000 (直接経費 :3,000,000、間接経費 :900,000)
2014年度:3,900,000 (直接経費 :3,000,000、間接経費 :900,000)
2013年度:5,070,000 (直接経費 :3,900,000、間接経費 :1,170,000)
2012年度:5,980,000 (直接経費 :4,600,000、間接経費 :1,380,000)
キーワード 量子ドット
微小共振器
超高速光スイッチ
非線形光学応答
キャリア緩和
MBE,エピタキシャル成長
化合物半導体多層膜
波長変換
超高速全光スイッチ
微笑共振器

研究成果

[学会発表] 超高速波長変換素子に向けたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器

盧翔孟、熊谷直人、北田貴弘、井須俊郎 2016

[雑誌論文] Four-wave mixing in GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots

Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu 2015

[学会発表] Investigation of Carriers Thermal Transfer in Self-asssembled Quantum Dots Grown on (311)B GaAs by Temperature Dependence Photoluminescence

X. M. Lu, A. Kawaguchi, N. Kumagai, T. Kitada, and T. Isu 2015

[学会発表] (001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果

盧翔孟,熊谷直人,北田貴弘,井須俊郎 2015

[学会発表] Temperature Dependence Photoluminescence From InAs Quantum Dots With AlAs Cap Grown on (311)B and (100) GaAs Substrate

X. M. Lu, A. Kawaguchi, N. Kumagai, T. Kitada, and T. Isu 2015

[雑誌論文] Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap

X. M. Lu, S. Matsubara, Y. Nakagawa, T. Kitada, and T. Isu 2015

[学会発表] Temperature dependence photoluminescence of quantum dots grown on (311)B GaAs by molecular beam epitaxy

X. M. Lu, A. Kawaguchi, N. Kumagai, T. Kitada, and T. Isu 2015

[学会発表] Effects of AlAs cap and InGaAs Layer on optical property of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy

盧翔孟,川口晃弘,中河義典,熊谷直人,北田貴弘,井須俊郎 2014

[学会発表] 分子線エピタキシーによる(001)と(113)B GaAs基板上に成長したInAs量子ドットのフォトルミネッセンスに与えるAlAsキャップの影響

盧 翔孟,松原修三,中河義典,北田貴弘,井須俊郎 2014

[雑誌論文] Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices

Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, and Toshiro Isu 2014

[学会発表] 超高速波長変換素子に向けたInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の作製

大柄根斉宣,安長千徳,中河義典,森田健,北田貴弘,井須俊郎 2014

[雑誌論文] Wavelength conversion via four-wave mixing in a triple-coupled multilayer cavity

Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, and Toshiro Isu 2013

[雑誌論文] Strongly Enhanced Four-Wave Mixing Signal from GaAs/AlAs Cavity with InAs Quanynm Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers

Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu 2013

[学会発表] 半導体多層膜結合共振器構造の非線形光学応答とそのデバイス応用

井須俊郎,北田貴弘,森田健,盧翔孟,中河義典 2013

[学会発表] 微小開口部アレイからの選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造

小松秀士,中河義典,森田健,北田貴弘, 井須俊郎 2013

[雑誌論文] Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaA sbarriers

Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Toshiro Isu 2013

[学会発表] GaAs/AlAs三結合共振器への波長帯域制限したパルス光照射による四光波混合信号光のスペクトル形状

北田貴弘,安長千徳,中河義典,森田健,井須俊郎 2013

[学会発表] Clear observation of cavity mode of GaAs/air multilayer structure

Hidetada Komatsu, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu 2013

[学会発表] Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices

Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu 2013

[雑誌論文] GaAa/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches

Morita K., et al. 2013

[学会発表] Novel semiconductor quantum dots for ultrafast nonlinear optical devices

Kitada T., at al. 2012

[学会発表] Molecular Beam Epitaxy of InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Ultrafast Nonlinear Optical Devices

Kitada T., at al. 2012

[学会発表] Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers

Kitada T., at al. 2012

[学会発表] 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットにおける超高速キャリア緩和の励起波長依存性

北田貴弘, 他. 2012

[雑誌論文] Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers

Kitada T., et al. 2012

[学会発表] AlAsキャップ付InAs量子ドットのフォトルミネツセンスに対するInGaAs層の影響

盧翔孟,川口晃弘,中河義典,熊谷直人,北田貴弘,井須俊郎 0

[学会発表] InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号測定

大柄根斉宣,安長千徳,中河義典,森田健,北田貴弘,井須俊郎 0

[学会発表] GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for an ultrafast wavelength conversion device via the four-wave-mixing

Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu 0

[学会発表] Reduced wetting layer and enhanced photoluminescence of InAs quantum dots with AlAs cap grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy

X. M. Lu, S. Matsubara, Y. Nakagawa, T. Kitada, and T. Isu 0

[学会発表] Enhanced photoluminescence from InAs quantum dots with a thin AlAs cap layer grown on (100) and (311)B GaAs substrate

Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu 0

[学会発表] (113)B GaAs基板上に成長した量子ドットのPLの温度依存性

盧翔孟,川口晃弘,熊谷直人,北田貴弘,井須俊郎 0

[学会発表] Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap

X. M. Lu, S. Matsubara, Y. Nakagawa, T. Kitada, and T. Isu 0

[学会発表] GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for novel ultrafast wavelength conversion devices

Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu 0