トップ研究者を探す融合型電子材料ナノワイヤのマクロスケール機能開拓

融合型電子材料ナノワイヤのマクロスケール機能開拓

KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る
研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-23H00250
研究種目 基盤研究(A)
研究分野
研究機関 北海道大学
代表研究者 石川 史太郎
研究分担者 村山 明宏
研究分担者 長島 一樹
研究期間 開始年月日 2023/4/1
研究期間 終了年度 2026
研究ステータス 交付 (2024/4/1)
配分額(合計) 47,190,000 (直接経費 :36,300,000、間接経費 :10,890,000)
配分額(履歴) 2024年度:10,140,000 (直接経費 :7,800,000、間接経費 :2,340,000)
2023年度:16,900,000 (直接経費 :13,000,000、間接経費 :3,900,000)
キーワード ナノワイヤ
半導体
通信帯光源
量子機能
分子線エピタキシー
シリコン
レーザー
大出力

研究成果

[学会発表] GaAs系ナノワイヤにおけるアニール処理温度が光学特性へ与える影響

橋本 英季, 飯田 竜雅, 後藤 拓翔, 峰久 惠輔, 中間 海音, 石川 史太郎 2024

[雑誌論文] 化合物半導体ナノワイヤの新材料開拓

石川 史太郎 2024

[雑誌論文] Exploring novel compound semiconductor nanowires

Fumitaro Ishikawa 2024

[学会発表] 近赤外域で光吸収・発光特性を示すSi上化合物半導体ナノワイヤ

峰久 惠輔, 橋本 英李, 中間 海音, 石川 史太郎 2024

[学会発表] GaAs/GaInNAsSbコア-マルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

後藤 拓翔, 中間 海音, 橋本 英李, 峰久 惠輔, 石川 史太郎 2024

[学会発表] MBE法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ核形成初期段階の検討

中間 海音, 峰久 惠輔, 橋本 英李, 石川 史太郎 2024

[学会発表] 積層周期を変化させたGaAs/GaNAsコア-マルチシェル多重量子井戸構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

飯田 竜雅, 中間 海音, 橋本 英李, 峰久 惠輔, 石川 史太郎 2024

[学会発表] パターンSi基板を用いた位置選択MBE法によるGaAs系ナノワイヤ配列・構造制御

中間海音, 行宗詳規, 峰久恵輔, 肥後昭男, 石川史太郎 2023

[学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaInAs, GaNAs and GaInNAs Nanowires over 2-inch Si(111) Substrate Showing Emission at Near Infrared Regime

Keisuke Minehisa, Hidetoshi Hashimoto, Kaito Nakama, Fumitaro Ishikawa 2023

[学会発表] Structural control of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with buried entire structure, native oxidation, and strain-induced deformations tuned by top-shell layer

Hidetoshi Hashimoto , Keisuke Minehisa , Kaito Nakama , Kazuki Nagashima , Takeshi Yanagida , Fumitaro Ishikawa 2023

[学会発表] Enhancing Efficiency of Second-Harmonic Generation in III-V Nanowires via Lattice Engineering

Bin Zhang, Jan E. Stehr, Ping-Ping Chen, Xingjun Wang, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova 2023

[学会発表] Energy upconversion in core/shell nanowire heterostructures based on dilute nitride alloys

Mattias Jansson, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova 2023

[学会発表] Enrolled Cylinder Transferred from Coalesced GaAs/Al-rich AlGaAs Core-Shell Nanowires through Native Oxidation

H. Hashimoto, K. Minehisa, K. Nakama, K. Nagashima, T. Yanagida, F. Ishikawa 2023

[学会発表] Nanowires from Dilute Nitride and Dilute Bismide Alloys for Nanophotonics

I. A. Buyanova, F. Ishikawa, and W. M. Chen 2023

[学会発表] Nanowires from highly mismatched alloys for nanophotonics

I. A. Buyanova, F. Ishikawa, and W. M. Chen 2023

[学会発表] Molecular Beam Epitaxy of GaInNAs Nanowires over 2-inch Si(111) Substrate Operating at Near Infrared Regime

K. Minehisa, H. Hashimoto, K. Nakama, F. Ishikawa 2023

[学会発表] Design Rules for an Efficient Photon Upconversion in Semiconductor Nanostructures

Mattias Jansson, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova 2023

[学会発表] 近赤外域発光を示す2インチSi(111)基板上GaInAs, GaNAs,およびGaInNAsナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

峰久 恵輔, 橋本 英季, 中間 海音, 石川 史太郎 2023

[学会発表] GaAs/GaInNAs/GaAs Core-Multishell Nanowires with Multiple Quantum-Wells Emitting at 1.2 μm for Telecommunications

Kaito Nakama, Keisuke Minehisa, Akio Higo, Fumitaro Ishikawa 2023

[学会発表] Material Exploration and Wafer Scale Growth of GaAs Related Nanowires by Self-catalyzed Molecular Beam Epitaxy

Fumitaro Ishikawa 2023

[学会発表] GaAsナノワイヤにおける窒素パッシベーションとアニール処理の光学特性への影響

橋本 英季, 峰久 恵輔, 中間 海音, 石川 史太郎 2023

[学会発表] MBE法による通信帯域発光波長を有するGaAs/GaInNAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤのパターン基板上VLS成長

中間 海音, 行宗 詳規, 肥後 昭男, 石川 史太郎 2023

[学会発表] GaAs/AlGaAsコア-シェルナノワイヤ埋込構造における酸化プロセスと構造変形

橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 谷川武瑠, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎 2023

[学会発表] Core-Multishell Nanowires of GaAs/GaInNAs Tripe Quantum Wells Emitting up to Telecommunication Wavelength 1.28 μm

K. Nakama, K. Minehisa, A. Higo, F. Ishikawa 2023