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ボウイングを利用した赤外領域半導体材料

KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る
研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-23510133
研究種目 基盤研究(C)
研究分野 総合・新領域系
複合新領域
ナノ・マイクロ科学
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
研究機関 香川大学
代表研究者 小柴 俊
研究期間 開始年月日 2011/4/1
研究期間 終了年度 2013
研究ステータス 完了 (2013/4/1)
配分額（合計） 5,590,000 (直接経費 :4,300,000、間接経費 :1,290,000)
配分額（履歴） 2013年度：1,040,000 (直接経費 :800,000、間接経費 :240,000)
2012年度：1,430,000 (直接経費 :1,100,000、間接経費 :330,000)
2011年度：3,120,000 (直接経費 :2,400,000、間接経費 :720,000)
キーワード ナノ機能材料
エピタキシャル成長
III-V化合物半導体
窒化物半導体
GaNAs
室温発光
化合物半導体
ヘテロ構造
RF-MBE
Nitride
nano　structure

研究成果

[雑誌論文] GaNAs/GaAs MQWs p-i-n junctions grown by RF-MBE using modulated nitrogen radical beam source

N. Ohta; K. Arimoto; M. Shiraga; K. Ishii; M. Inada; S. Yanai; Y. Nakai; H. Akiyama; T. Mochizuki; N. Takahashi; H. Miyagawa; N. Tsurumachi; S. Nakanishi; S. Koshiba 2013

[雑誌論文] Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n Junctions Grown by RF-MBE using Modulated Nitrogen Radical Beam Source

N. Ohta, K. Arimoto, M. Shiraga, K. Ishii, M. Inada, S. Yanai, Y. Nakai, H. Akiyama, T. Mochizuki, T. Takahashi, N. Takahashi, H. Miyagawa, N. Tsurumachi, S. Nakanishi, and S.Koshiba 2013

[学会発表] Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n Junctions Grown by RF-MBE using Modulated Nitrogen Radical Beam Source

Natsumi Ohta; Kohei Arimoto; Masahiro Shiraga; Kenta Ishii; Masatoshi Inada; Shunnsuke Yanai; Yuuko Nakai; Hidefumi Akiyama; Toshimitsu Mochizuki; Toshio Takahashi; Naoshi Takahashi; Hayato Miyagawa; Noriaki Tsurumachi; Shunsuke Nakanishi; Shyun Koshiba 2012

[学会発表] GaNAs/GaAs Nano Structures Grown by Modulated Nitrogen Beam Epitaxy and their Optical and Electrical Properties

S. Koshiba 2012

[学会発表] Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n Junctions Grown by RF-MBE using Modulated Nitrogen Radical Beam Source

N.　Ohta; K.　Arimoto; M. Shiraga; K. Ishii; M. Inada; S. Yanai; Y. Nakai; H. Akiyama; T. Mochizuki; T. Takahashi; N. Takahashi; H. Miyagawa; N. Tsurumachi; S. Nakanishi; S. Koshiba 2012

[学会発表] GaNAs/GaAs Nano Structures Grown by Modulated Nitrogen Beam Epitaxy and their Optical and Electrical Properties

Shyun Koshiba 2012

[雑誌論文] Electrical and Optical Properties of GaNAs/GaAs MQW p-i-n Junctions

K. Arimoto; M. Shiraga; H. Shirai; S. Takeda; M. Ohmori; H. Akiyama; T. Mochizuki; K. Yamaguchi; H. Miyagawa; N. Tsurumachi; S. Nakanishi; S. Koshiba 2012

[学会発表] InGaNAs 系量子構造の光学特性評価

中森 章絵; 福村 博信; 矢内 俊輔; 白神 昌明; 戎 麻里; 宮川 勇人; 鶴町 徳昭; 中西 俊介; 小柴 俊 2011

[学会発表] GaP 基板上におけるGaNAs/AlNAs 超格子の作製

矢内 俊輔; 中井 裕子; 伊藤寛; 宮川 勇人; 鶴町 徳昭; 中西 俊介; 高橋 尚志;高橋 敏男; 小柴 俊 2011

[学会発表] Electrical and Optical Properties of GaNAs/GaAs MQW p-i-n Junctions

Kohei Arimoto; Masahiro Shiraga; Hideto Shirai; Shunsuke Takeda; Masato Ohmori; Hidefumi Akiyama; Toshimitu Mochizuki; Kenzo Yamaguchi; Hayato Miyagawa; Noriaki Tsurumachi; Shunsuke Nakanishi; Shyun Koshiba 2011

[学会発表] ドープしたGaAs/GaNAs ヘテロpn 接合の作製および電気特性評価

有本 昂平; 戎 麻里; 矢内 俊輔; 福村 博信; 白井 英登; 中西 俊介; 鶴町 徳昭; 宮川 勇人; 小柴 俊 2011

[学会発表] Electrical and Optical Properties of GaNAs/GaAs MQW p-i-n Junctions

K, Arimoto; M. Shiraga; H. Shirai; S. Takeda; M. Ohmori; H. Akiyama; T. Mochizuki; K. Yamaguchi; H. Miyagawa; N. Tsurumachi; S. Nakanishi; S. Koshiba 2011