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ジェットエンジン機構を用いた超高温結晶成長220nm波長帯深紫外LEDの開発

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-22H01973
研究種目 基盤研究(B)
研究分野
研究機関 徳島大学
代表研究者 永松 謙太郎
研究期間 開始年月日 2022/4/1
研究期間 終了年度 2024
研究ステータス 交付 (2023/4/1)
配分額（合計） 17,420,000 (直接経費 :13,400,000、間接経費 :4,020,000)
配分額（履歴） 2023年度：8,450,000 (直接経費 :6,500,000、間接経費 :1,950,000)
2022年度：8,320,000 (直接経費 :6,400,000、間接経費 :1,920,000)
キーワード 高温結晶成長
深紫外LED
窒化物半導体

研究成果

[雑誌論文] Investigation of V/III ratio dependencies for optimizing AlN growth during reduced parasitic reaction in metalorganic vapor phase epitaxy

Atsushi Tomita, Takumi Miyagawa, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi, Kentaro Nagamatsu 2023

[学会発表] High-temperature growth in AlN by MOVPE

Kentaro Nagamatsu 2023

[雑誌論文] High growth temperature for AlN by jet stream gas flow metalorganic vapor phase epitaxy

Kentaro Nagamatsu, Miyagawa Takumi, Tomita Atsushi, Hirayama Hideki, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi 2023

[学会発表] 超高温MOVPEを用いたAlGaN成長

富田 敦之, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 高島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 2023

[学会発表] 有機金属気相成長法による高温AlN成長

永松　謙太郎 2022

[学会発表] The high-temperature growth in AlN with the unaffected parasitic reaction by Jet gas stream MOVPE

Kentaro Nagamatsu, Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi 2022

[学会発表] Lateral epitaxial overgrowth by mass transport in AlN with the temperature of 1700℃

Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Shota Tsuda, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi, Kentaro Nagamatsu 2022

[学会発表] Dependence of c-plane sapphire misorientation angle in high temperature AlN growth and specific step bunching at large angle

Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Shota Tsuda, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi, Kentaro Nagamatsu 2022

[学会発表] The dependence of the V/III ratio in high-temperature AlN growth with several misorientations off-angle sapphire substrate

Atsushi Tomita, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi, Kentaro Nagamatsu 2022

[学会発表] 気相反応抑制下におけるAlN高温成長の最適化のためのV/III比依存性

富田 敦之, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 2022