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窒化ガリウムを用いた細胞培養監視用pHセンサの開発

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-22560332
研究種目 基盤研究(C)
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子デバイス・電子機器
研究機関 徳島大学
代表研究者 敖 金平
研究期間 開始年月日 2010/4/1
研究期間 終了年度 2012
研究ステータス 完了 (2012/4/1)
配分額(合計) 4,550,000 (直接経費 :3,500,000、間接経費 :1,050,000)
配分額(履歴) 2012年度:650,000 (直接経費 :500,000、間接経費 :150,000)
2011年度:1,300,000 (直接経費 :1,000,000、間接経費 :300,000)
2010年度:2,600,000 (直接経費 :2,000,000、間接経費 :600,000)
キーワード pHセンサ
窒化ガリウム
AlGaN/GaN へテロ構造
GaN MOSFET
耐熱電極
pHセンサ
AlGaN/GaN HFET
高温動作
AlGaN/GaNヘテロ構造
耐環境
細胞培養
耐環境電極

研究成果

[雑誌論文] Thermally stable TiN Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure

Jin-Ping Ao, Yoshiki Naoi, Yasuo Ohno 2013

[雑誌論文] Influence of Dry Recess Process on Enhancement-Mode GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Qingpeng Wang, Kentaro Tamai, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama, Dejun Wang, Jin-Ping Ao, and Yasuo Ohno 2013

[学会発表] Synthesis and Application of Metal Nitrides as Schottky Electrodes for Gallium Nitride Electron Devices

Jin-Ping Ao 2012

[雑誌論文] Design Fabrication and Characterization of GaN MOSFET (in Chinese)

王青鵬, 江〓, 敖金平, 王徳君 2012

[学会発表] Synthesis and Application of Metal Nitrides as Schottky Electrodes for Gallium Nitride Electron Devices

Jin-Ping Ao 2012

[学会発表] Thermally Stable TiN Schottky Contact on AlGaN/GaN Heterostructure

Jin-Ping Ao, et al 2011

[雑誌論文] GaN MOSFET with a gate SiO_2 insulator deposited by silane-based plasma-enhanced chemical vapor deposition

Jin-Ping Ao, et al 2011

[雑誌論文] GaN MOSFET with a gate SiO2insulator deposited by silane-basedplasma-enhanced chemical vapor deposition

Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Yuji Sogawa, Shiro Akamatsu, Young Hyun Kim, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama, and Yasuo Ohno 2011

[学会発表] Thermally Stable TiN Schottky Contact on AlGaN/GaN Heterostructure

Jin-Ping Ao 2011

[学会発表] Thermally Stable TiN Schottky Contact on AlGaN/GaN Heterostructure

Jin-Ping Ao, et al. 2010