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光通信を革新する新希釈窒素・希釈ビスマス量子ナノ光源の開拓

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-21KK0068
研究種目 国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))
研究分野
研究機関 北海道大学
愛媛大学
代表研究者 石川 史太郎
研究分担者 富永 依里子
研究分担者 樋浦 諭志
研究期間 開始年月日 2021/4/1
研究期間 終了年度 2024
研究ステータス 交付 (2022/4/1)
配分額(合計) 17,680,000 (直接経費 :13,600,000、間接経費 :4,080,000)
配分額(履歴) 2024年度:5,720,000 (直接経費 :4,400,000、間接経費 :1,320,000)
2023年度:5,590,000 (直接経費 :4,300,000、間接経費 :1,290,000)
2022年度:3,900,000 (直接経費 :3,000,000、間接経費 :900,000)
2021年度:2,470,000 (直接経費 :1,900,000、間接経費 :570,000)
キーワード ナノワイヤ
半導体
通信帯光源
化合物半導体
希釈窒化物
希釈ビスマス
ナノ構造
分子線エピタキシー
光特性
量子ナノ構造
希釈窒化物半導体
希釈ビスマス半導体

研究成果

[雑誌論文] Wafer-scale integration of GaAs/AlGaAs core?shell nanowires on silicon by the single process of self-catalyzed molecular beam epitaxy

Minehisa Keisuke、Murakami Ryo、Hashimoto Hidetoshi、Nakama Kaito、Sakaguchi Kenta、Tsutsumi Rikuo、Tanigawa Takeru、Yukimune Mitsuki、Nagashima Kazuki、Yanagida Takeshi、Sato Shino、Hiura Satoshi、Murayama Akihiro、Ishikawa Fumitaro 2023

[学会発表] Selective Area Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaInNAs Core-Multishell Nanowires emitting at 1.2 μm on Silicon (111)

Kaito Nakama, Mitsuki Yukimune, Akio Higo, Fumitaro Ishikawa 2022

[学会発表] (001)GaAs基板上のGaAs1-xBix薄膜の構造評価(1) 熱処理した低温成長GaAs1-xBix薄膜中の欠陥のTEM評価

上田修、池永訓昭、堀田行紘、高垣佑斗、西山文隆、行宗詳規、石川史太郎、富永依里子 2022

[雑誌論文] Designing Semiconductor Nanowires for Efficient Photon Upconversion via Heterostructure Engineering

Jansson Mattias、Ishikawa Fumitaro、Chen Weimin M.、Buyanova Irina A. 2022

[学会発表] 低温成長GaAs1-xBixのホッピング伝導機構の解析

原田南斗、梅西達哉、香西優作、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、梶川靖友 2022

[学会発表] 低温 MBE 成長 GaAsBi 層の光電評価

梅田皆友、今林弘殻、塩島謙次、梅西達哉、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、上田修 2022

[学会発表] パターン開口Si加工基板を用いたMBE 法によるGaAs 系ナノワイヤ成長条件最適化

中間 海音, 行宗 詳規, 峰久 恵輔, 肥後 昭男, 石川 史太郎 2022

[学会発表] (001)GaAs基板上のGaAs1-xBix薄膜の構造評価(2)固相成長したGaAs1-xBix薄膜中の欠陥のTEM評価

上田修、池永訓昭、堀田行紘、高垣佑斗、西山文隆、行宗詳規、石川史太郎、富永依里子 2022

[学会発表] Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning

T. Hara, Y. Maeda, A. Kusaba, Y. Kangawa, F. Ishikawa, T. Okuyama 2022

[学会発表] パターン開口Si加工基板を用いたMBE 法によるGaAs 系ナノワイヤ成長条件最適化

峰久恵輔, 橋本英季, 中間海音, 谷川武瑠, 行宗詳規, 石川史太郎 2022

[学会発表] 加工基板を用いた位置選択 MBE 法によるSi(111)GaAs上ナノワイヤ成長条件の検討

中間海音, 行宗詳規, 肥後昭男, 石川史太郎 2022

[学会発表] Molecular beam epitaxy of GaAs-related nanowires over 2-inch Si(111) substrate for large volume nanowires synthesis

Keisuke Minehisa, Hidetoshi Hashimoto, Kaito Nakama, Takeru Tanigawa, Kento Sakaguchi, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa 2022

[学会発表] Dependence of optical signal response time on Bi content in low-temperature-grown GaAs1-xBix

S. Saito, T. Umenishi, M. Harada, Y. Kozai, Y. Tominaga, M. Yukimune, F. Ishikawa, O. Kojima 2022

[学会発表] MBE法を用いた無加工2インチ Si 基板上 GaInNAs ナノワイヤ成長

峰久 恵輔, 橋本 英季, 中間 海音, 谷川 武瑠, 行宗 詳規, 石川 史太郎 2022

[学会発表] GaAs/GaInNAs Core-Multishell Nanowires Arrays Emitting at 1.28 ?m on Patterned Silicon (111) Grown by Molecular Beam Epitaxy

K. Nakama, M. Yukimune, A. Higo, F. Ishikawa 2022

[学会発表] MBE研究で続けてきたこと

石川史太郎 2022

[学会発表] Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers

Hiroki Imabayashi, Minato Umeda, Kenji Shiojima, Tatsuya Umenishi, Yoriko Tominaga, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, and Osamu Ueda 2022

[学会発表] 2 inch Wafer Scale GaAs Nanowires Synthesis by Self-Catalyzed Molecular Beam Epitaxy

K. Minehisa, H. Hashimoto, K. Nakama, T. Tanigawa, K. Sakaguchi, M. Yukimune, F. Ishikawa 2022

[学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaNAsBi Nanowires emitting 1300nm

Masahiro Okujima, Kohei Yoshikawa, Yuto Torigow, Syota Mori, Mitsuki Yukimune, Robert D. Richards, Fumitaro Ishikawa 2021

[学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaNAsBi/GaAs Core-Multishell Nanowires

Yuto Torigoe, Kohei Yoshikawa, Masahiro Okujima, Syota Mori, Mitsuki Yukimune, Robert D. Richards, Fumitaro Ishikawa 2021