低温成長による点欠陥密度の制御に基づくBi系Ⅲ-Ⅴ族半導体の発現機能の最大活用
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-21H01829 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(B) |
| 研究分野 | |
| 研究機関 | 広島大学 |
| 代表研究者 | 富永 依里子 |
| 研究分担者 | 上殿 明良 |
| 研究分担者 | 石川 史太郎 |
| 研究期間 開始年月日 | 2021/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2023 |
| 研究ステータス | 交付 (2023/4/1) |
| 配分額（合計） | 17,550,000 (直接経費 :13,500,000、間接経費 :4,050,000) |
| 配分額（履歴） |
2023年度：3,770,000 (直接経費 :2,900,000、間接経費 :870,000) 2022年度：6,500,000 (直接経費 :5,000,000、間接経費 :1,500,000) 2021年度：7,280,000 (直接経費 :5,600,000、間接経費 :1,680,000) |
| キーワード | Bi系III-V族半導体半金属混晶 分子線エピタキシー法 低温成長 結晶欠陥 陽電子消滅法 Bi系III-V族半導体混晶 |