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光によるQ値可変を実現する半導体多層膜共振器の創製

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-21656084
研究種目 挑戦的萌芽研究
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 徳島大学
代表研究者 北田 貴弘
研究分担者 井須 俊郎
研究分担者 森田 健
研究期間 開始年月日 2009/4/1
研究期間 終了年度 2010
研究ステータス 完了 (2010/4/1)
配分額(合計) 3,200,000 (直接経費 :3,200,000)
配分額(履歴) 2010年度:1,400,000 (直接経費 :1,400,000、間接経費 :0)
2009年度:1,800,000 (直接経費 :1,800,000)
キーワード 微小共振器
量子ドット
MBE,エピタキシャル
非線形光学応答
超高速全光デバイス
MBE、エピタキシャル

研究成果

[雑誌論文] Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers

T.Kitada, et al. 2011

[学会発表] Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers

T.Kitada, et al. 2010

[学会発表] 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ

北田貴弘, 他 2010

[雑誌論文] Marked Enhancement of Optical Kerr Signal in Proportion to the Fourth Power of Quality Factor of a GaAs/AlAs Multilayer Cavity

T.Kitada, et al. 2009

[学会発表] Doping effect on photocarrier lifetime in InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers grown by molecular beam epitaxy

T.Kitada, et al. 2009