III-N-V半導体における原子緩和に関する研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-20360139 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(B) |
| 研究分野 | 理工系 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
| 研究機関 | 大阪大学 |
| 代表研究者 | 近藤 正彦 |
| 研究分担者 | 若原 昭浩 |
| 研究分担者 | 江村 修一 |
| 研究分担者 | 石川 史太郎 |
| 研究期間 開始年月日 | 2008/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2012 |
| 研究ステータス | 完了 (2012/4/1) |
| 配分額（合計） | 18,590,000 (直接経費 :14,300,000、間接経費 :4,290,000) |
| 配分額（履歴） |
2011年度：4,550,000 (直接経費 :3,500,000、間接経費 :1,050,000) 2010年度：4,550,000 (直接経費 :3,500,000、間接経費 :1,050,000) 2009年度：4,550,000 (直接経費 :3,500,000、間接経費 :1,050,000) 2008年度：4,940,000 (直接経費 :3,800,000、間接経費 :1,140,000) |
| キーワード | III-N-V 半導体 III-N-V化合物半導体 熱処理 X線吸収微細構造 原子配列 GaInNAｓ X線光電子分光 原子緩和 電気・電子材料 III-N-V半導体 X線吸収微細構 GaInNAs GaInNA s エピタキシャルリフトオフ InNP ボンド結合長 |