異方的利得を利用したGaAsBi面発光レーザーの長波長化と偏光安定化の研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-19K04514 |
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研究種目 | 基盤研究(C) |
研究分野 | |
研究機関 | 愛媛大学 |
代表研究者 | 下村 哲 |
研究期間 開始年月日 | 2019/4/1 |
研究期間 終了年度 | 2023 |
研究ステータス | 交付 (2022/4/1) |
配分額(合計) | 4,420,000 (直接経費 :3,400,000、間接経費 :1,020,000) |
配分額(履歴) |
2021年度:780,000 (直接経費 :600,000、間接経費 :180,000) 2020年度:1,300,000 (直接経費 :1,000,000、間接経費 :300,000) 2019年度:2,340,000 (直接経費 :1,800,000、間接経費 :540,000) |
キーワード | ガリウムひ素ビスマス 長波長帯面発光レーザ 偏光安定化 量子井戸 光変調反射分光スペクトル 基板温度制御 サーモグラフィ 温度急冷ステージの設計 基板ホルダー温度分布 基板ホルダー冷却速度 GaAsBi/GaAs 量子井戸 (221)B GaAs 基板 GaAsBi 半導体レーザ 偏光異方性利得 光デバイス 面発光レーザー |