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実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-19H00666
研究種目 基盤研究(A)
研究分野
研究機関 名古屋大学
代表研究者 西谷 智博
研究分担者 目黒 多加志
研究分担者 洗平 昌晃
研究分担者 成田 哲博
研究分担者 本田 善央
研究分担者 石川 史太郎
研究分担者 田渕 雅夫
研究分担者 市川 修平
研究分担者 保田 英洋
研究分担者 七井 靖
研究期間 開始年月日 2019/4/1
研究期間 終了年度 2021
研究ステータス 完了 (2021/4/1)
配分額(合計) 45,370,000 (直接経費 :34,900,000、間接経費 :10,470,000)
配分額(履歴) 2021年度:9,490,000 (直接経費 :7,300,000、間接経費 :2,190,000)
2020年度:13,520,000 (直接経費 :10,400,000、間接経費 :3,120,000)
2019年度:22,360,000 (直接経費 :17,200,000、間接経費 :5,160,000)
キーワード フォトカソード
電子ビーム
半導体
負電子親和力表面
パルス電子ビーム
窒化ガリウム半導体
AlGaAs半導体
半導体フォトカソード
電子顕微鏡
損傷敏感試料
動態観測
ガリウムヒ素半導体

研究成果

[雑誌論文] AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency

Morita Iori、Ishikawa Fumitaro、Honda Anna、Sato Daiki、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Tabuchi Masao 2021

[学会発表] Impact of As2 pressure on the molecular beam epitaxial growth of AlGaAs superlattice at temperature over 700℃

Reiji Suzuki, Iori Morita, Fumitaro Ishikawa, Anna Honda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomihiro Nishitani, Masao Tabuchi 2021

[雑誌論文] AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency

Morita Iori、Ishikawa Fumitaro、Honda Anna、Sato Daiki、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Tabuchi Masao 2021

[学会発表] As2を利用した700℃以上成長温度でのフォトカソード構造AlGaAs/GaAs超格子MBE成長

鈴木 玲士, 石川 史太郎, 本田 杏奈, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 西谷 智博, 田渕 雅夫 2021

[学会発表] AlGaAs/GaAs superlattice grown by molecular beam epitaxy for its application to semiconductor photocathode

I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi 2020

[学会発表] フォトカソード応用のためのAlGaAs系ヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長

森田伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫 2019

[学会発表] フォトカソード応用AlGaAs系材料のMBE成長

森田伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫 2019

[学会発表] フォトカソード応用AlGaAs超格子試料のMBE成長

森田 伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫 2019

[学会発表] MBE growth of AlGaAs superlattice for photocathode

I. Morita, F. Ishikawa, T. Nishitani and M. Tabuchi 2019