高融点金属ゲートAlGaN/GaN HFETに関する研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-18560337 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(C) |
| 研究分野 | 理工系 工学 電気電子工学 電子デバイス・電子機器 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 敖 金平 |
| 研究期間 開始年月日 | 2006/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2007 |
| 研究ステータス | 完了 (2007/4/1) |
| 配分額（合計） | 3,880,000 (直接経費 :3,400,000、間接経費 :480,000) |
| 配分額（履歴） |
2007年度：2,080,000 (直接経費 :1,600,000、間接経費 :480,000) 2006年度：1,800,000 (直接経費 :1,800,000) |
| キーワード | AlGaN GaN HFET 高融点金属 耐熱ゲート 高温動作 セルフアライゲート ショットキー接触 AlGaN GaN HFET refractory metal heat-resistant gate high-temperature operation self-align gate Schottky contact |