高ショットキー極薄バリア超高速トランジスタ材料の開発
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-17760253 |
|---|---|
| 研究種目 | 若手研究(B) |
| 研究分野 | 理工系 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
| 研究機関 | 徳島大学 大阪大学 |
| 代表研究者 | 北田 貴弘 |
| 研究期間 開始年月日 | 2005/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2006 |
| 研究ステータス | 完了 (2006/4/1) |
| 配分額（合計） | 3,300,000 (直接経費 :3,300,000) |
| 配分額（履歴） |
2006年度：1,400,000 (直接経費 :1,400,000) 2005年度：1,900,000 (直接経費 :1,900,000) |
| キーワード | 分子線エピタキシー 超高速トランジスタ 高電子移動度トランジスタ 超平坦界面 (411)A InP基板 極薄膜 高ショットキー Si表面偏析 |