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巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-17560283
研究種目 基盤研究(C)
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 愛媛大学
大阪大学
代表研究者 下村 哲
研究分担者 北田 貴弘
研究期間 開始年月日 2005/4/1
研究期間 終了年度 2007
研究ステータス 完了 (2007/4/1)
配分額(合計) 3,380,000 (直接経費 :3,200,000、間接経費 :180,000)
配分額(履歴) 2007年度:780,000 (直接経費 :600,000、間接経費 :180,000)
2006年度:1,500,000 (直接経費 :1,500,000)
2005年度:1,100,000 (直接経費 :1,100,000)
キーワード 巨大伝導帯オフセット
GaAsBi
超平坦ヘテロ界面
(411)A
(775)B
超平坦界面
量子細線
(775)
InGaAs
AlAsSb
InGaAsN
AlAsSbBi
サブバンド間吸収
その場反射率スペクトル測定
AIAsSb
InAlAsSb
巨大バンドオフセット
giant conduction band offset
GaAsBi
Super-flat interface
(411)A

研究成果

[図書] 薄膜ハンドブック第2版

下村 哲(共著) 2008

[雑誌論文] Handbook of thin film

S. Shimomura, R. Kimpara 2008

[図書] 薄膜ハンドブック(第2版)

金原 粲(監修) 下村 哲(分担執筆) 2008

[雑誌論文] 830-nm polahzation controlled lasing of InGaAs quantum wtre vertical-cavity surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy

Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Hiyamizu, 2007

[雑誌論文] 830-nm polarization controlled lasing of InGaAs quantum wire vertical-cavity surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy

Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Hiyamizu, S. 2007

[雑誌論文] 830-nm polarization controlled lasing of InGaAs quantum wire vertical-catty surface-emitting lasers grown on(775)B GaAs substrates by molecular beam enitaxy

Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Iiiyamizu 2007

[雑誌論文] 1.3 um range enectiveiy cynnaricai In0.53Ga0.47As/Tn0.52Al0.48As quantum wires grown on (2 2 1)A InP substrates by molecular beam epitaxy

S.Shumomura, T.Toritsuka, A.Uenishi, T.Kitada, S.Hiyamizu. 2006