巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-17560283 |
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研究種目 | 基盤研究(C) |
研究分野 | 理工系 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
研究機関 | 愛媛大学 大阪大学 |
代表研究者 | 下村 哲 |
研究分担者 | 北田 貴弘 |
研究期間 開始年月日 | 2005/4/1 |
研究期間 終了年度 | 2007 |
研究ステータス | 完了 (2007/4/1) |
配分額(合計) | 3,380,000 (直接経費 :3,200,000、間接経費 :180,000) |
配分額(履歴) |
2007年度:780,000 (直接経費 :600,000、間接経費 :180,000) 2006年度:1,500,000 (直接経費 :1,500,000) 2005年度:1,100,000 (直接経費 :1,100,000) |
キーワード | 巨大伝導帯オフセット GaAsBi 超平坦ヘテロ界面 (411)A (775)B 超平坦界面 量子細線 (775) InGaAs AlAsSb InGaAsN AlAsSbBi サブバンド間吸収 その場反射率スペクトル測定 AIAsSb InAlAsSb 巨大バンドオフセット giant conduction band offset GaAsBi Super-flat interface (411)A |