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巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-17560283
研究種目 基盤研究(C)
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 愛媛大学
大阪大学
代表研究者 下村 哲
研究分担者 北田 貴弘
研究期間 開始年月日 2005/4/1
研究期間 終了年度 2007
研究ステータス 完了 (2007/4/1)
配分額(合計) 3,380,000 (直接経費 :3,200,000、間接経費 :180,000)
配分額(履歴) 2007年度:780,000 (直接経費 :600,000、間接経費 :180,000)
2006年度:1,500,000 (直接経費 :1,500,000)
2005年度:1,100,000 (直接経費 :1,100,000)
キーワード 巨大伝導帯オフセット
GaAsBi
超平坦ヘテロ界面
(411)A
(775)B
超平坦界面
量子細線
(775)
InGaAs
AlAsSb
InGaAsN
AlAsSbBi
サブバンド間吸収
その場反射率スペクトル測定
AIAsSb
InAlAsSb
巨大バンドオフセット
giant conduction band offset
GaAsBi
Super-flat interface
(411)A

研究成果

巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

下村 哲(共著) 2008

巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

S. Shimomura, R. Kimpara 2008

巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

金原 粲(監修) 下村 哲(分担執筆) 2008

巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Hiyamizu, 2007

巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Hiyamizu, S. 2007

巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Iiiyamizu 2007

巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製

S.Shumomura, T.Toritsuka, A.Uenishi, T.Kitada, S.Hiyamizu. 2006