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高指数面基板上の副格子交換エピタキシーによる半導体多層膜結合共振器の研究

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-15K13956
研究種目 挑戦的萌芽研究
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 徳島大学
代表研究者 北田 貴弘
研究分担者 井須 俊郎
研究分担者 熊谷 直人
研究分担者 盧 翔孟
研究分担者 南 康夫
研究期間 開始年月日 2015/4/1
研究期間 終了年度 2016
研究ステータス 完了 (2016/4/1)
配分額(合計) 3,900,000 (直接経費 :3,000,000、間接経費 :900,000)
配分額(履歴) 2016年度:1,820,000 (直接経費 :1,400,000、間接経費 :420,000)
2015年度:2,080,000 (直接経費 :1,600,000、間接経費 :480,000)
キーワード 電子・電気材料
薄膜・量子構造
半導体非線形光学材料
微小光共振器
テラヘルツ波発生

研究成果

[学会発表] Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures grown by MBE

Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Takahiro Kitada 2017

[学会発表] (113)B GaAs基板上の副格子交換によるGaAs/AlAs多層膜結合共振器

盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 2017

[学会発表] MBEによる GaAs/Ge/GaAs(113)Bヘテロ構造における副格子交換

盧 翔孟, 太田 寛人, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 2016