長波長帯面発光量子細線レーザの作製
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-15206034 |
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研究種目 | 基盤研究(A) |
研究分野 | 理工系 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
研究機関 | 大阪大学 |
代表研究者 | 冷水 佐壽 |
研究分担者 | 下村 哲 |
研究分担者 | 北田 貴弘 |
研究分担者 | 小川 真人 |
研究分担者 | 小倉 睦郎 |
研究分担者 | 菅谷 武芳 |
研究期間 開始年月日 | 2003/4/1 |
研究期間 終了年度 | 2005 |
研究ステータス | 完了 (2005/4/1) |
配分額(合計) | 47,710,000 (直接経費 :36,700,000、間接経費 :11,010,000) |
配分額(履歴) |
2005年度:12,610,000 (直接経費 :9,700,000、間接経費 :2,910,000) 2004年度:16,900,000 (直接経費 :13,000,000、間接経費 :3,900,000) 2003年度:18,200,000 (直接経費 :14,000,000、間接経費 :4,200,000) |
キーワード | 面発光レーザ 量子細線 InGaAs InAlAs (775)B GaAs基板 (775)B InP基板 偏光制御 分布型ブラッグ反射器 InGaAS (775)B GaAs基盤 (775)B InP基盤 vertical cavity surface emitting laser quantum wire InGaAs InAlAs (775)B GaAs substrate (775)B InP substrate polarization stabilization distributed Bragg reflector |