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長波長帯面発光量子細線レーザの作製

KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る
研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-15206034
研究種目 基盤研究(A)
研究分野 理工系
工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 大阪大学
代表研究者 冷水 佐壽
研究分担者 下村 哲
研究分担者 北田 貴弘
研究分担者 小川 真人
研究分担者 小倉 睦郎
研究分担者 菅谷 武芳
研究期間 開始年月日 2003/4/1
研究期間 終了年度 2005
研究ステータス 完了 (2005/4/1)
配分額(合計) 47,710,000 (直接経費 :36,700,000、間接経費 :11,010,000)
配分額(履歴) 2005年度:12,610,000 (直接経費 :9,700,000、間接経費 :2,910,000)
2004年度:16,900,000 (直接経費 :13,000,000、間接経費 :3,900,000)
2003年度:18,200,000 (直接経費 :14,000,000、間接経費 :4,200,000)
キーワード 面発光レーザ
量子細線
InGaAs
InAlAs
(775)B GaAs基板
(775)B InP基板
偏光制御
分布型ブラッグ反射器
InGaAS
(775)B GaAs基盤
(775)B InP基盤
vertical cavity surface emitting laser
quantum wire
InGaAs
InAlAs
(775)B GaAs substrate
(775)B InP substrate
polarization stabilization
distributed Bragg reflector

研究成果

[雑誌論文] 1.3μm rang effectively cylindrical In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.52>Al_<0.48>As quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy

S.Shimomura 2006

[雑誌論文] 1.3μm rang effectively cylindrical In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.52>Al_<0.48>As quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy

S.shimomura 2006

[雑誌論文] Extremely strong lateral confinement and improved uniformity of 1.3 μm range In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.52>Al_<0.48>As self-organized quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy

S.Shimomura 2005